湖南大学-竞价公告(CB105322020000119)
湖南大学-竞价公告(CB105322020000119)
申购单号:CB***************
申购主题:SiC MOSFET功率器件,SiC MOSFET功率器件,隔离驱动模块,SiC MOSFET功率器件
采购单位:湖南大学
报价要求:
发票类型:增值税普通发票
币种:人民币
预算:
签约时间:
送货时间:签订合同后60个工作日内
安装要求:免费上门安装（含材料费）
收货地址:国家电能****
付款方式:详情见备注
备注说明:国产设备：1.货到合同指定地点并安装调试验收合格后，凭验收报告在10个工作日内支付合同总金额的（100）%。2.供应商在申请验收前，须先把合同质保金（5）%交到采购人指定账户，并开具合同金额100%发票；3.在验收合格之日起的（一）年后无质量问题，经采购人认可，一次性将合同质保金无息退还供应商。申购明细：
| 序号 | 采购内容 | 数量 | 预算单价 |
| 1 | SiC MOSFET功率器件 | 80.0 | 个 |
| 品牌 | Cree | ||
| 型号 | C2M*******P | ||
| 规格参数 | 封装结构：TO-247-4 PlusVds-漏源极击穿电压: 1700 V Id-连续漏极电流: 72 A@25C壳温Rds On-漏源导通电阻: 45 mOhms 最大工作温度: + 150 C | ||
| 质保及售后服务 | 服务网点:当地;电话支持:7x24小时;服务年限:1;服务时限:报修后24小时;销售资质:协议供货商;商品承诺:原厂全新未拆封正品; | ||
| 序号 | 采购内容 | 数量 | 预算单价 |
| 2 | SiC MOSFET功率器件 | 90.0 | 个 |
| 品牌 | Cree | ||
| 型号 | C2M*******P | ||
| 规格参数 | 封装结构：TO-247-4 PlusVds-漏源极击穿电压: 1700 V Id-连续漏极电流: 40 A@25C壳温Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms 最大工作温度: + 150 C | ||
| 质保及售后服务 | 服务网点:当地;电话支持:7x24小时;服务年限:1;服务时限:报修后24小时;销售资质:协议供货商;商品承诺:原厂全新未拆封正品; | ||
| 序号 | 采购内容 | 数量 | 预算单价 |
| 3 | 隔离驱动模块 | 20.0 | 个 |
| 品牌 | Cree | ||
| 型号 | CGD15FB45P1 | ||
| 规格参数 | 产品：三相全桥集成驱动输出电流: 8 A 电源电压: 15 V 最大工作温度: + 85 C最小工作温度: - 35 C | ||
| 质保及售后服务 | 服务网点:当地;电话支持:7x24小时;服务年限:1;服务时限:报修后24小时;销售资质:协议供货商;商品承诺:原厂全新未拆封正品; | ||
| 序号 | 采购内容 | 数量 | 预算单价 |
| 4 | SiC MOSFET功率器件 | 90.0 | 个 |
| 品牌 | Cree | ||
| 型号 | C3M*******K | ||
| 规格参数 | 封装结构：TO-247-4LVds-漏源极击穿电压: 1200 V Id-连续漏极电流: 63 A@25C壳温Rds On-漏源导通电阻: 32 mOhms 最大工作温度: + 150 C | ||
| 质保及售后服务 | 服务网点:当地;电话支持:7x24小时;服务年限:1;服务时限:报修后24小时;销售资质:协议供货商;商品承诺:原厂全新未拆封正品; | ||
标签: 大学
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