湖南大学-竞价公告(CB105322020000124)
湖南大学-竞价公告(CB105322020000124)
申购单号:CB***************
申购主题:SiC 肖特基二极管,SiC 肖特基二极管,SiC MOSFET功率模块,SiC MOSFET功率模块
采购单位:湖南大学
报价要求:
发票类型:增值税普通发票
币种:人民币
预算:
签约时间:
送货时间:签订合同后60个工作日内
安装要求:免费上门安装(含材料费)
收货地址:湖南大学****
付款方式:详情见备注
备注说明:国产设备:1.货到合同指定地点并安装调试验收合格后,凭验收报告在10个工作日内支付合同总金额的(100)%。2.供应商在申请验收前,须先把合同质保金(5)%交到采购人指定账户,并开具合同金额100%发票;3.在验收合格之日起的(一)年后无质量问题,经采购人认可,一次性将合同质保金无息退还供应商。申购明细:
序号 | 采购内容 | 数量 | 预算单价 |
1 | SiC MOSFET功率模块 | 38.0 | 个 |
品牌 | Cree | ||
型号 | CCS050M12CM2 | ||
规格参数 | 封装结构:三相全桥Vds-漏源极击穿电压: 1200 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds On-漏源导通电阻: 25 mOhms 最大工作温度: + 150 C 模块尺寸:108 x 45 x 21 mm | ||
质保及售后服务 | 服务网点:当地;电话支持:7x24小时;服务年限:1;服务时限:报修后24小时;销售资质:协议供货商;商品承诺:原厂全新未拆封正品; |
序号 | 采购内容 | 数量 | 预算单价 |
2 | SiC 肖特基二极管 | 50.0 | 个 |
品牌 | GeneSiC | ||
型号 | GB05MPS33-263 | ||
规格参数 | 封装结构:TO-263-7VRRM-反向耐压: 3300 V IF-连续导通电流:11A @100C壳温 最大工作温度: + 175 C | ||
质保及售后服务 | 服务网点:当地;电话支持:7x24小时;服务年限:1;服务时限:报修后24小时;销售资质:协议供货商;商品承诺:原厂全新未拆封正品; |
序号 | 采购内容 | 数量 | 预算单价 |
3 | SiC MOSFET功率模块 | 12.0 | 个 |
品牌 | Cree | ||
型号 | CCS020M12CM2 | ||
规格参数 | 封装结构:三相全桥Vds-漏源极击穿电压: 1200 V Id-连续漏极电流: 20 A Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms 最大工作温度: + 150 C 模块尺寸:108 x 45 x 21 mm | ||
质保及售后服务 | 服务网点:当地;电话支持:7x24小时;服务年限:1;服务时限:报修后24小时;销售资质:协议供货商;商品承诺:原厂全新未拆封正品; |
序号 | 采购内容 | 数量 | 预算单价 |
4 | SiC 肖特基二极管 | 140.0 | 个 |
品牌 | Cree | ||
型号 | C5D25170H | ||
规格参数 | 封装结构:TO-247-2VRRM-反向耐压: 1700 V IF-连续导通电流:25.6A @100C壳温 最大工作温度: + 175 C | ||
质保及售后服务 | 服务网点:当地;电话支持:7x24小时;服务年限:1;服务时限:报修后24小时;销售资质:协议供货商;商品承诺:原厂全新未拆封正品; |
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