序号

目录

商务需求

（一）免费保修期内售后服务要求

1

维修响应及故障解决时间

1.1提供设备报修电话及联系人，招标人报修后，24小时内响应，24小时内派员上门现场维护，并在72小时内解决问题，如在规定时间内不能解决设备故障，应提供相同档次、功能的设备给招标人代用。若中标人不能按照上述要求进行维修，导致设备故障维修不及时，且无法提供代用设备的，按维修时间每超过一天赔偿合同总金额的0.5%（最高处罚不超过合同总金额的5%）或按实际损失赔偿。情节严重者，招标人将诉诸法律程序。保修期内，中标人所提供的系统设备各部件发生非人为故障的，中标人应免费上门维修。保修期内，必须保证设备95％以上工作日正常工作，同一硬件一个月内连续三次或以上出现同一故障，中标人须无偿更换同一型号全新设备，并承诺系统设备终身维护。在无故障的情况下，每年定期上门对机器进行检测，运行调节，内部清洁等。

2

关于免费保修期

★2.1中标人提供制造商免费保修期1年，时间自最终验收合格并交付使用之日起计算。保修期内，中标人对设备维修不收取任何费用，包括但不限于以下费用：零配件成本费、人工费、维修费等相关费用。保修期过后，设备维修只收取零配件成本费，不收取人工费、维修费等其他费用。

（二）其他商务要求

1

关于交货

1.1交货地点：?南方科技大学工学院大楼南楼二楼三代半导体实验室

1.2投标人必须承担的设备运输、安装调试、验收检测和提供设备操作说明书、图纸等其他类似的义务。

★1.3签订合同后180日内交货。

2

关于验收

2.1投标人货物经过双方检验认可后，签署验收报告，产品保修期自验收合格之日起算，由投标人提供产品保修文件。

2.2当满足以下条件时，招标人才向中标人签发货物验收报告：

中标人将所有货物完好无损地送到招标人指定地点且负责安装、调试、试运行，在未发现中标人有违反售后服务承诺或质量问题的前提下，并经招标人验收合格。

2.3中标人无偿提供验收测试报告，所供货的产品必须符合中国电源标准及规范国际接插头，如不符合，中标人必须无偿更换，配齐相关的水电气接插件，并符合上述标准。

3

关于培训

3.1 中标人在设备安装调试完成前交付使用说明书、维修手册、图纸等相关资料。同时承诺免费对招标人进行专业的设备操作、维护、维修培训及指导，直至其完全掌握货物的功能应用及基本故障处理技术。

4

关于付款

★4.1合同签订且收到发票后支付合同总价的30%为进度款，货到指定地点、安装验收合格后支付65%，余款5%待质保期满，无质量问题且经招标人确认后无息支付。

4.2

国产货物：招标人指定地点交货，投标总价为人民币包干价，包括但不限于：货物（含设备费、软件费、辅材费等）价款、包装、运输、装卸、安装、调试、技术指导、培训、咨询、服务、保险、检测、验收合格交付使用之前及技术和售后服务等其他各项有关费用，以及一切不可预见费等，项目结算时不做任何单价或费用的调整。

进口货物：CIP招标人指定地点，投标总价为人民币包干价，符合国家科教仪器免税政策的设备应报人民币免税价，包括但不限于：货物（含设备费、软件费、辅材费等）价款、包装、运输、装卸、安装、调试、技术指导、培训、咨询、服务、保险、检测、验收合格交付使用之前以及技术和售后服务等其他各项有关费用，以及一切不可预见费等。

4.3为规范办理进出口业务，确保货物与进口清关单据保持唯一对应关系，即单单相符、单证相符、单货相符，办理进口代理及相关服务的单位必须为招标人所指定或认可，投标报价包含进口代理费以及发生的其他所有相关费用。汇率风险由中标人承担。

4.4 根据国家外汇政策管理要求，进口货物外汇支付须由报关单上的境内收货人即学校所指定或认可的外贸代理单位执行。中标人须在发货前委托前述的外贸代理单位购汇向境外供应商支付货款。

5

其他

5.1投标产品必须是全新、未使用过的原装合格正品（包括零部件），如安装或配置了软件的，须为正版软件。

如为进口产品，必须具有合法的进口手续和途径，在供货时必须提供原产地证明及相关进口资料。不接受贴牌及非正当进货渠道产品。

5.2投标人提供的产品及其有关服务必须符合中华人民共和国的设计和制造生产标准或行业标准。

5.3投标产品是合法注册有效周期内该品牌最新型号的产品，其产品符合国家有关安全规定。不得提供已停产或淘汰的产品，否则将按未响应技术参数要求处理。

5.4投标人应按其投标文件中的承诺，进行其他售后服务工作。

序号

货物名称

数量

单位

备注

1

原子层沉积

1

套

接受进口

序号

货物名称

技术参数或功能要求

1

原子层沉积

该设备主要组成：反应腔室、上电极、下电极、射频源、真空系统、气路系统、前驱源系统、控制系统与软件、附件等。

兼具远程等离子ALD和热法ALD。热法ALD和等离子体ALD可以按需切换，此切换无需任何硬件变动

1.1反应腔室

1.1.1带预真空腔室，圆锥形反应腔室，由整块铝锭加工制成、无焊缝、低漏率，并配有可取出的内衬板，可减少腔体壁沉积同时方便反应腔维护。

▲1.1.2反应腔本底真空≤?5E-6Torr(不加热抽12小时)；漏率≤1mTorr/min；反应腔内从大气压强降至1 E-5Torr时间少于30分钟.

1.2上电极

▲1.2.1 等离子体射频源13.56Mhz, 功率600W；带自动匹配单元：从射频源至离子源匹配阻抗来确保最大功率输出。

1.3?下电极

▲1.3.1下电极直径240mm，采用镀镍工艺制造。通过内嵌式加热方式可实现加热至最高550°C。温度均匀性+/-2℃；平台温度控制精度< ±1.0°C。

1.3.2 可处理最大直径8英寸晶元，并可兼容更小的样片、以及不规则碎片。

1.4 真空系统

▲1.4.1工艺腔体配置抽速500升/秒；前级干泵抽速为600立方米/小时

1.4.2预真空室配置干泵，抽速为14立方米/小时

1.4.3 配置可加热的APC阀，控制泵与真空腔室，开关响应时间150ms

1.4.4 配置250mTorr薄膜电容真空计用于工艺腔体压力监控.

1.5气路系统

包括内部气路系统和外部气路系统。

1.5.1内部气路系统提供两路专用的气体给管路吹扫和前驱源冒泡或蒸汽牵引。

▲1.5.2?外部气路系统可根据客户需求配置典型的8路工艺气路，气体由机台顶部管路进入腔体

1.5.3 各工艺气路均配置数字型质量流量计MFC、颗粒过滤器和气动截止阀。

1.5.4 气路管道采用电抛光不锈钢管，接头采用VCR接头

1.6?前驱源系统

1.6.1前驱源可以是一种固体、液体或者气体状态的化学源。前驱源以气化方式从源容器进入腔室

▲1.6.2装配2路独立前驱源柜，前驱源以及管路都有加热带进行加热，可加热前驱源及输送管路至200度并且每路都配有专用的快速反应ALD气阀，开关速度~10ms。

1.6.3 水是热方式ALD的一种前驱源，水罐位于腔体的下面，且在该管路上配有专用的ALD快速反应阀，开关速度~10ms

1.7?控制系统和软件

1.7.1 通过现场总线、远程现场控制器，实时控制所有系统部件

1.7.2 采用带Windows操作系统的电脑用于工艺控制，电脑通过以太网与远程现场控制器通讯

1.7.3 工艺系统操作软件PC4500包含系统监视、数据加载、工艺处方编辑、参数显示、手动/自动工艺控制、软件安全互锁、参数控制、逐步工艺执行、用户管理等功能

1.8主要工艺工艺参数

▲1.8.1热方式Al2O3 薄膜沉积均匀性+/-1.5%（150mm），重复性+/-2%，沉积速率为0.95 ?/cycle，每一个cycle的时间约为7秒，薄膜折射率为1.62,薄膜击穿电压为5MV/cm

▲1.8.2?Plasma 方式AlN薄膜沉积均匀性+/-2.5%（150mm），重复性+/-2%，沉积速率为0.6~0.8?/cycle，每一个cycle的时间约为40秒，薄膜折射率为1.90~1.95范围内可调。