1.55微米波段InP基单片集成半导体激光器芯片代加工服务(第4次)竞价公告
1.55微米波段InP基单片集成半导体激光器芯片代加工服务(第4次)竞价公告
项目名称 | 1.55微米波段InP基单片集成半导体激光器芯片代加工服务(第4次) | 项目编号 | TYLGJJCG2020-0395 |
项目编号 | TYLGJJCG2020-0395 | ||
公告发布日期 | 2020/11/02 10:46 | 公告截止日期 | 2020/11/15 17:19 |
公告截止日期 | 2020/11/15 17:19 | ||
采购单位 | 太原理工大学 | 付款条款 | 货到验收合格后一次性支付全款 |
付款条款 | 货到验收合格后一次性支付全款 | ||
联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系手机 | 中标后在我参与的项目中查看 |
联系手机 | 中标后在我参与的项目中查看 | ||
是否本地化服务 | 否 | 是否需要踏勘 | 否 |
是否需要踏勘 | 否 | ||
踏勘联系人 | 踏勘联系电话 | ||
踏勘联系电话 | |||
踏勘地点 | 踏勘联系时间 | ||
踏勘联系时间 | |||
采购预算 | ¥288,000.00 | ||
送货/施工/服务期限 | 合同生效之日起60日内 | ||
送货/施工/服务地址 | 太原理工大学明向校区科技楼 |
采购内容 | 是否进口 | 计量单位 | 采购数量 | 售后服务 | |
1.55微米波段InP基外延片 | 否 | 个 | 12 | 质保期一年 | |
参考品牌及型号 | 定制 | ||||
技术参数要求 | 服务内容:1、提供2英寸,n型掺杂的InP晶圆;2、根据所提出的器件需求,提供外延结构咨询,具体包括外延工艺的确定,以及缓冲层、限制层和量子阱层的外延材料、层厚度、掺杂元素和掺杂浓度;3、根据既定的外延结构,基于InP晶圆,利用金属有机化合物化学气相沉淀系统进行材料外延生长;4、实验前后采用半导体标准清洗工艺对外延片进行处理;5、提供以下表征数据:PL谱(包括微区图和mapping图)、XRD测试数据、SIMS测试数据。技术参数:5、提供的产品为包括衬底、缓冲层、限制层和量子阱层的InP基外延片;6、尺寸:2英寸;厚度控制≤±2.5%;厚度均匀性≤±2%;PL中心波长:1.55微米;PL波长均匀性≤±2 nm。 |
采购内容 | 是否进口 | 计量单位 | 采购数量 | 售后服务 | |
单片集成激光器芯片加工技术服务 | 否 | 次 | 6 | 质保期两年 | |
参考品牌及型号 | 定制 | ||||
技术参数要求 | 服务内容:1、根据所提出的器件需求,提供单片集成激光器芯片工艺加工技术咨询,具体包括有源\无源区域集成方案确定和芯片加工工艺流程设计;2、根据既定的工艺流程,提供相应的光刻版;3、根据既定的工艺流程,针对2英寸外延片,进行离子注入、刻蚀、光栅制作、材料二次外延生长、电极制作、减薄和退火等半导体工艺实验加工,并提供相应步骤的SEM图像和显微镜照片;4、工艺流程期间提供必要的芯片清洗处理;5、工艺流程结束后提供芯片解理、打线等服务;6、提供器件测试数据:功率-电流曲线,小信号响应曲线,光谱和线宽;7、服务期间可提供工艺线培训;8、服务期间可随时提取样品和测试结果。9、光子集成激光器性能需满足:波导阈值电流@25℃≤20mA;调制带宽≥20 GHz;工作波长:1.55微米;输出功率≥5 mW。 |
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