序号 | 货物名称 | 招标技术要求 |
1 | 感应耦合干法刻蚀机 | 1主机要求 |
1.1 感应耦合高密度等离子体干法刻蚀机,主要用于200mm及以下尺寸晶片的硅高深宽比刻蚀,淡化硅,氧化硅,碳的刻蚀。 |
1.2本设备TM传输模块、PM工艺模块、动力模块: TM传输模块由手动传输系统构成 PM工艺模块由真空反应室、等离子体系统、气路输送系统、排气系统、温度控制系统构成; 动力模块由反应室粗真空系统、反应室热交换系统、电源供给系统组成 |
2 PM 工艺模块 晶片在工艺模块内进行刻蚀,主要由真空反应室系统、等离子体控制系统、气体输送系统、排气系统、温度控制系统关键功能系统组成 |
| 方式进行等离子刻蚀;反应室系统具备加热控温能力,外部具备热防护;。反应室系统腔室本底真空:<腔室漏气率:<控压范围:控压精度:40~400W |
▲2.2.7匹配器匹配稳定时间:< 3 s |
▲2.2.8匹配器匹配精确度: 上电极:±1%设定值或±5W,下电极:±10%设定值 |
2.3工艺气体输送系统 |
2.3.1气体输送柜Gasbox 与PM整机集成,无需独立安装;减少气柜与反应腔室件距离,便于维护,减少占地; |
2.3.2反应腔内采用中心和边缘双区进气的方式,保证更优的刻蚀均匀性和更佳的均匀性调节空间; |
2.3.3工艺气体输送柜具备Ar、C4F8、O2、SF6 ,CF4,CHF3气体供气能力 |
2.3.4采用质量流量计控制(MFC),设定气体流量与实际输出流量偏差小于设定值的1% |
2.3.5每路气体独立MFC控制,具备独立检漏能力; |
2.3.6工艺气体能够实现软件自校准功能; |
▲2.3.7 Gas box漏气率< 0.5 mTorr/min; |
▲2.3.8 单一分支漏率< 0.5 mTorr/min; |
2.4下电极系统 |
2.4.1采用静电卡盘对晶圆进行吸附; |
2.4.2静电卡盘采用He气对晶圆进行冷却,并具有He气流量异常的监控功能; |
2.4.3静电卡盘温度可调,下电极连接真空冷却循环系统(Chiller),并通过冷却液进行控温; |
▲2.4.4下电极温度范围(CHILLER):-20~40℃ |
▲2.4.5下电极温度精度(CHILLER):±0.5℃ |
▲2.4.6下电极控温均匀性(ESC):±0.5℃ |
2.5真空&排气系统 |
2.5.1反应室系统、隔离阀、干泵、排气管道等部位均配置加热 系统,有效减少刻蚀副产物的沉积,保证副产物顺利排出,减 少系统维护频率; |
2.5.2真空系统为闭环压力控制系统,由高精度真空压力检测开 关、高精度真空规、高精度摆阀组成,实现反应室压力实时检 测&控制;该压力控制系统具有控制精度高、反应速度快的优点; |
2.5.3真空系统由进口干泵泵组、进口摆阀、隔膜阀、压力传感器、真空规及不锈钢管路组成; |
2.5.4独立控制器,响应更快,控制更精准,更省电; |
2.5.5安全周密的逻辑互锁,保证设备使用与维护时人身安全; |
▲2.5.6分子泵抽速2200L/S; |
| 2.6.1 反应室系统具备模块温度控制能力;超温报警、工艺结束报警;极限超温报警,同时自动切断炉丝加热电源;软件界面同时显示控制热偶温度 |
▲2.6.3反应腔室壁控制室温~100℃ |
▲2.6.5立体源主筒底部~120℃ |
3传输系统 |
3.1.1采用手动开盖,自动机械手传片方式; |
3.1.2传输系统具备真空环境,具备自动抽、充气及检测能力; |
3.1.3 传输系统具备可观察窗口,便于观察wafer状态; |
▲3.1.4传输类型为手动传输 |
▲3.1.5机械手指规格200mm(8 inch) |
▲3.1.7压升率<1.0mTorr /min。 |
4 辅助动力系统 |
4.1.1 辅助系统由干泵、chiller、电源柜、变压器、伴热供电模块组成,为工艺系统提供真空、供电; |
7软件控制系统 |
| | 7.3手动模式:能够实现手动传片和手动工艺,方便工艺实验和生产过程中的异常恢复; |
7.4自动模式,能够实现全自动传片及全自动进行工艺流程作业,全自动加工模式与手动加工模式能够方便切换; |
7.5功能兼容:具备Bosch刻蚀工艺及非Bosch刻蚀工艺功能 |
7.6配备集成控制系统,实现对机台的状态指示和部件控制,并 提供人机界面实现生产、调试、维护等操作; |
7.7 数据记录:系统自动记录工艺过程中的重要参数,并且可以生成Excel文件,方便用户查询。 |
7.8实时数据:提供给用户重要参数的实时变化,并且以曲线的 形式显示,辅助用户分析和监测。 |
7.9部件生命周期管理:提供了重要部件的生命周期管理,当达 | 8报警与互锁 |
8.1系统提供完备的报警和安全互锁功能。互锁是为保证人员和设备的安全,对某些有潜在危险的操作所进行的软硬件限制。对于有互锁限制的操作,只有当互锁条件满足时才能运行。 这些潜在危险包括:高频辐射、高温(烫伤、器件损伤甚至引发火灾等)、危险气体(毒性、腐蚀性、易燃、易爆)、运动部件、危险电压、气压差等。 |
8.2当互锁被触发时,系统会发出报警,操作屏上会提示报警信息,并有声音提示。在安全级别较高的互锁条件或自动模式下触发互锁后,工艺会被终止,这时需要操作员排除问题并清除报警,之后重新初始化系统。互锁功能在手动模式下依然有效。系统自动记录全部报警和错误日志,可以在日志系统中查找历史记录 |
8.3 工艺异常(工艺状态下的压力、流量、射频功率超出正常范围)后会立即终止工艺,关闭射频电源,关闭全部气路阀门,隔离腔室。 |
8.4 紧急情况发生时,可以通过EMO回路紧急停止设备,减少人员设备伤害。EMO按钮为黄色背景红色蘑菇头形状,在设备前面板和后面板安装,共2处,当按下时,EMO回路就会切断机台供电。在断电情况下,系统主电源会自动关断,除Slot阀之外,所有阀门会自动关闭。恢复供电的时候设备不会自动启动。 |
8.5 标识:射频、高温、高压部分都贴有危险标记以提醒注意;可活动和转动的机械部分都贴有危险标记以提醒注意。 |
8.6 报警接口:系统提供连接特气泄漏检测报警装置的接口(系统不提供该检测报警装置)。 |
▲9工艺验收指标 Si方槽刻蚀(8寸,CD=100μm方槽) | 刻蚀深度 | 400~450μm | 侧壁角度 | 90±2° | 刻蚀速率 | 4μm/min | 刻蚀均匀性 | 5%(片内,片间) 开口率50% ~60% | 选择比(PR) | 40:1 | 选择比(oxide) | 100:1 | 侧壁粗糙度 | 200nm | 底部notch | 2μm底部有截止层 |
Si圆槽刻蚀(8寸,CD=100μm圆方槽) | 刻蚀深度 | 400~450μm | 侧壁角度 | 90±2° | 刻蚀速率 | 4μm/min | 刻蚀均匀性 | 5%(片内,片间) 开口率30%~40% | 选择比(PR) | 40:1 | 选择比(oxide) | 100:1 | 侧壁粗糙度 | 200nm | 底部notch | 2μm底部有截止层 |
si-trench刻蚀(8寸CD=10μm trench) | 刻蚀深度 | 400~450μm | 侧壁角度 | 90±2° | 刻蚀速率 | 4μm/min | 刻蚀均匀性 | 5%(片内,片间) 开口率<10% | 选择比(PR) | 40:1 | 选择比(oxide) | 100:1 | 侧壁粗糙度 | 200nm | 底部notch | 2μm底部有截止层 |
si-trench刻蚀(8寸CD=2μm trench) | 刻蚀深度 | 80 um | 侧壁角度 | 90±1° | 刻蚀速率 | 2μm/min | 刻蚀均匀性 | 5%(片内,片间) 开口率<10% | 选择比(PR) | 40:1 | 选择比(oxide) | 100:1 | 侧壁粗糙度 | 200nm | 底部notch | 2μm底部有截止层 | 截止层损耗 | 200nm 底部oxide截止层 |
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