招标文件编号：自政采招（2013）33号四川理工学院实验设备公开招标征求意见公告（2013年5月13日）● 资格条件1、在中国境内注册并具有独立法人资格的合法企业。2、具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度。3、具有履行合同所必须的设备和专业技术能力。4、具有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录。5、参加本次政府采购活动前三年内，在经营活动中没有重大违法违规记录。6、本项目拒绝联合体投标。7、招标文件和法律、行政法规规定的其他条件。● 技术需求【第1包：粉末冶金成套设备】序号设备名称数量技术参数1网带还原炉1台1、网带还原炉炉子结构型式：双驼峰式网带炉；加热功率：50Kw（5温区）；额定温度：950℃；网带宽度：400mm；网带材质：310S；炉管材质：310S（厚度6mm，炉管顶部底部压筋，两端炉管法兰用12mm不锈钢）；炉管内腔有效高度：100mm；有效加热空间：5000L×450W×100H mm ；进料段长度：2000 mm；进料管材料：SUS321；水冷段总长度：6000mm； 其中： 水冷段Ⅰ长度：2000mm；内胆材质：304不锈钢，厚度≥4 mm，上下压筋； 水冷段Ⅱ长度：2000mm， 水冷段Ⅲ长度：2000mm；安全报警：冷却水失压报警、炉温超温报警；炉温控制方式：智能 PID+SCR控温；网带调速方式：变频；网带线速调节范围：20~200mm/min；气体及耗量：净化氨分解气 15m3 /h；2、氨分解发生器AF15额定产气量：15m3/h；产气成分： H2 75%、N2 25%、De≤-60℃、残余NH3 ≤10PPm；裂解温度：850℃；裂解管材质：310S；切换方式：再生自动切换；氨气缺气报警；氨气两级减压；3、料盘尺寸：360 mm×300 mm×30 mm；材质：低碳钢；数量：80 个。2双锥回转真空干燥机1台1、总容积：350 L；2、工作容积： 175 L；3、加热面积：≥2 m2；4、转速：3~5 rpm ；5、功率：≥1.5 kW；6、整机参考重量：1350kg；7、罐内设计压力：-0.09~0.096 Mpa；8、夹层设计压力：0.3 Mpa。3三足式上部卸料离心机1台1、转鼓直径：800 mm；2、高度：320~400 mm；3、有效容积：80~100 L；4、装料限度：140~165 kg；5、转速：1200~1500 r/min；6、分离因素 645~1000；7、电机功率：5.5~7.5 kW；8、主机重量：1142~1500 kg。4三次元旋振筛1台1、功率：0.5~2.0 kw；2、有效筛分直径：800 mm ；3、筛分粒度级数（或三层式设计）：4 ；4、外形尺寸：不低于900×900×930 mm。5LBM干法辊压造粒机1台1、轧辊直径：240 mm；2、有效使用宽度：80 mm；3、轧辊转速：10~30 rpm；4、最大成形压力轧片：120 Mpa；5、最大厚度：4 mm；6、轧片参考产量: 300 kg/h；7、成品粒度：0.1~0.8 mm；8、成品参考产量：180 kg/h；9、主机参考功率：7.5 kW；10、设备参考总功率：：20 kW。6其它配套设备1套1、500升反应釜一台（带无极调速电机）；2、2000升反应釜一台（带一般电机）；3、6立方米储池一个（塑料）；4、8立方米废水处理水泥池一个(现场建设)；5、不锈钢容器3个(1.4m×1.4m×0.4m)；6、200kg液氨罐6个；7、3 kW 1200℃马弗炉一台；8、万分之一天枰一台；9、2 kW电烘箱一台；10、VH-5小型V型混料机一台；11、200L双锥混料机一台；12、光电分析仪一台；13、2 kW塑料水泵两台；14、400升不锈钢储料容器；15、抽湿除水净化循环再利用装置一套（对网带还原炉进行改装，要求能对炉内还原气氛净化处理）；备注1、完成水电控制系统以及相关设备的安装调试；2、完成粉末冶金中试生产线的安装调试。【第2包：超高真空多功能磁控溅射设备】设备名称数量技术参数超高真空多功能磁控溅射设备1套一、技术特点1、该设备适用于镀制各种单层膜、多层膜。可镀金属、合金、化合物、半导体、陶瓷膜（需配射频电源）、介质复合膜和其它化学反应膜。可用于多种薄膜材料的物理化学性能研究实验、集成电路半导体器件的原理研究实验、有机无机功能薄膜研究及太阳能电池研究实验等。2、溅射镀膜室材料不锈钢(304)，真空室双层水冷结构:溅射方式：为避免微粒物质落到基片上，采用基片在上、磁控溅射靶在下的结构，即由下向上溅射；样品台：可温控，加热温度为室温~450℃； 溅射室下底有五个靶枪位，安装五个磁控靶枪，靶材直径2英寸（Ф50mm），各靶枪均水冷，并配挡板；工作模式：可以采用单靶独立、多靶轮流或组合共溅工作模式，向心溅射；磁控溅射靶射频（ RF ）、脉冲、直流 (DC) 兼容；为了保证镀膜的工艺性（预溅射、多层膜、掺杂膜、防止交叉污染和干扰等），每只磁控溅射靶均配备挡板；磁控溅射靶头可调角度，为寻找最佳溅射角度提供手段；真空室衬套一套。便于清洁真空室。3、由于采用了超高真空密封技术，极限真空度高，系统经烘烤，极限真空可达6×10-5Pa量级。恢复工作背景真空时间短，从大气到工作背景真空（7×10-4Pa ）时间 30～40 分钟（充干燥氮气）；设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤ 10 Pa。4、超高真空密封主要采用如下技术：玻璃金属焊接技术、陶瓷金属焊接技术、刀口无氧铜金属密封技术等，整机主要采用金属密封技术，真空管路用不锈钢金属波纹管路（不用橡胶管路），采用超高真空阀门。运动部件的密封，采用磁力耦合传动密封技术。真空规用金属规（不用玻璃规），密封口用刀口金属密封结构。5、系统自动监控和保护功能强，包括缺水欠压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护、真空系统检测与保护等。6、PLC 智能控制系统一套，包括：可编程控制器（ PLC ），软件。可实现镀膜过程计算机化。7、系统配有水路及水流报警系统，用来对分子泵、磁控靶、水冷转盘进行冷却，在水路上安装有水流继电器，一旦缺水或水流不足，将进行报警并切断相应电源，以防止损坏设备。二、技术指标1、真空室1.1 室体尺寸：不小于Ф550×450mm （可以根据靶实际位置确定）； 1.2 材料：不锈钢(304)；1.3 真空室结构：双层水冷；1.4 开门方式：电动上开；1.5 基片台位置：室体顶部； 1.6 靶位置：室体底部； 1.7 观察窗：CF50 2个； 1.8 真空室照明。2、基片台2.1 尺寸：Ф100mm； 2.2 数量：5个；2.3 布置位置：中间1个，周向4个；2.4 控制：与靶实现定位。3、基片加热器温度：室温～450 ℃，可控可调，材料为氮化硼。周向基片台1个加热。 4、基片架公转速度 0～30 转/分，可自转，可控可调。5、基片架：周向4个基片位，中间1个基片位。6、靶面到基片距离 40～80mm 可调，（考虑基片台移动，基片设计挡板）。7、磁控溅射靶：5个均为原装进口，直径为2英寸，磁控溅射靶射频（ RF ）、脉冲、直流 (DC) 兼容，其中1靶能溅射磁性材料。8、磁控溅射靶头可调角度，周向四靶可向心溅射，每只磁控溅射靶均配备挡板；9、镀膜室的极限真空：6×10-5Pa ，恢复工作背景真空7×10-4Pa： 30～40分钟（新设备充干燥氮气）。设备总体漏放率：关机12小时真空度≤10Pa。10、磁控溅射靶电源：射频源 500W、13.56MHz共4套；直流磁控溅射电源5KVA ，近/远控制，数字通讯（RS485通讯口带MODBUS通信协议），1套。11、质量流量控制器：气路系统：三路进气，全部MFC质量流量计控制器进气，备有混气室。MFC流量范围：2路500SCCM，1路100SCCM（实现手动/自动控制，五段分时控制）。12、溅射工作时能实现周向四靶程序控制，其间能自由设定每靶工作时间、循环次数，具备自动靶-台对应定位，并防靶间互污染。13、脉冲偏压电源：5KVA，1套。 13.1 电压：-50~ -1000V； 13.2 频率： 30～60kHz连续可调；13.3 占空比： 10%～80%连续可调； 13.4 输入电压：三相四线～380V 50Hz，恒压控制； 13.5 全逆变电源设计制作；控制精度：高于1%；13.6具有远控接口（RS485通讯口带MODBUS通信协议）。14、PLC 智能控制系统一套，包括：可编程控制器（ PLC ），软件，17寸触摸屏。可实现镀膜过程计算机化。15、水冷样品台。 16、1P冷水机。17、空气压缩机。18、靶材：钽，钛，铬，镍，铜，铝，钼，铁。各1块。