设 备名 称

技 术 指 标

数量

少子寿命测试仪

1、 用途：用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量。可测材料：硅棒、硅芯、检磷棒、检 硼棒、硅块、硅片等。

2、 设备组成:

2.1、光脉冲发生装置

重复频率：20～30次/s 脉宽＞60μｓ

红外光源波长：1.09μm（测量硅单晶），余辉<1 μS； 脉冲电流：5A～20A

2.2、高频源

用石英谐振器，振荡频率：30MHz ，低输出阻抗 输出功率＞1W

2.3、放大器和检波器

频率响应：放大倍数不少于25，频宽不少于2 Hz-1 MHz

2.4、样品：

教学用样品（每组一套）。

3、测量范围

测硅单晶的电阻率范围：ρ≥2Ω·㎝（欧姆·厘米）,寿命值的测量范围：5～7000μｓ;

测电子级参杂硅单晶片（厚度小于1mm）电阻率范围：ρ﹥0.1Ω.cm。

可测单晶尺寸：断面竖测：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；纵向卧测：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；

4、质保：质保期不少于一年。

4套