序号 | 货物名称 | 技术参数或功能要求 |
1 | 高通量离子束溅射薄膜制备系统（核心产品） | 1.1工艺腔基础真空度优于7.5E-8 torr。 |
1.2利用带聚焦功能的离子束溅射系统可制备多元合金薄膜。 |
1.3★RF射频离子源；离子束直径3mm,束流≥75mA,离子束能量≥1200eV,栅极≥2，RF射频离子源tuning 系统全自动；离子源必须配RF射频中和源，中和源电流≥750mA，RF射频中和源tuning 系统全自动；离子源必需配备聚焦透镜模块，保证出射离子束的聚焦和准直性。（提供证明资料附件，原件备查） |
1.4▲通过薄膜厚度的控制，实现成分连续性分布，成分范围0-100%可控，分辨率可达到0.1%。 |
1.5▲靶材自动切换，切换时间小于2分钟。 |
1.6▲可进行等边三角形沉积，边长尺度≥1英寸(25mm)；在1英寸等边三角形区域沉积中单层薄膜厚度精度±5%。 |
1.7▲可进行等边三角形多层膜沉积，沿三条中轴线分别实现不同材料的成分梯度薄膜制备；成分连续线性分布，分布范围0-5%可控，误差±5%；(提供符合要求的设计方案) |
1.8工艺腔内靶材的冷却到室温。 |
1.9工艺腔内基片的冷却到室温。 |
1.10▲热处理装置范围室温至400℃，精度≤±2℃@400℃。 |
1.11热处理基础真空度优于5E-7 torr。 |
1.12换样腔基础真空度优于5E-6 torr。 |
1.13换样腔具有基片溅射清洗系统。 |
1.14样品过渡腔基础真空度优于5E-7 torr。 |
1.15▲样品过渡腔使用真空全自动机械手，在真空环境下实现对靶材的取送与转运。 |
1.16换靶腔真空度优于5E-7 torr。 |
1.17▲换靶腔使用真空全自动机械手，在真空环境下实现对靶材的取送与转运。 |
1.18▲储靶腔基础真空度优于5E-8 torr。 |
1.19★储靶腔靶位数量≥40个。 |
1.20▲储靶腔的靶材的升降和旋转自动化系统。 |
1.21高通量掩模装置移动精度≤10微米，最大移动速度1.5mm/s。 |
1.22连续掩膜满足 10E-8 torr 真空设计要求。 |
1.23保证镀膜机运行和工艺要求的实现，确定系统各个电气设备的运作顺序和运行状态，使系统自动、连续、高效、稳定、可靠的运行 |
1.24PLC对系统具备如下保护功能： 真空系统自锁， 各真空内的机械传动系统的限位， 离子源系统的保护 真空系统保护， 报警：失水，失气，过压，过流，温度。 |
1.25用户权限控制 |
2 | 高通量热蒸发薄膜制备系统 | 2.1工艺腔真空度优于5E-8Torr |
2.2基片直径≥1 inch，镀膜膜厚均匀性优于±3% |
2.3电控气动真空阀，全量程真空规 |
2.4材料基因芯片制备过程操作模式：手动、自动、和维护 |
2.5▲可以制备3元及以上组合材料芯片，三元及三元以上连续镀膜材料基因芯片，三元及三元以上阶梯镀膜材料基因芯片，样品制备速率优于10小时/芯片(提供符合要求的设计方案) |
2.6▲实现多源共蒸镀，不同材料沿各对称轴实现成分梯度线性分布，分布范围0-5%可控，误差±5%； |
2.7抽真空系统：低温泵和离子泵，各腔体之间使用高真空插板阀连接；机械真空泵和腔体使用电控气动真空阀连接 |
2.8▲可在真空状态下更换蒸发材料和蒸发源（提供证明资料附件，原件备查） |
2.9基片背底加热温度≤400℃，精度≤±1℃@400℃ |
2.10膜厚监测、残余气体分析 |
2.11连续掩膜使用314不锈钢制造，元件表面进行抛光，满足10^-8torr 真空设计要求 |
2.12▲连续掩膜步进精度≤20μm，移动速度：0-1.5 mm/s 可调 |
2.13连续掩膜成分分布连续，0-100%成分分布范围可控 |
2.14连续掩膜分辨率可达0.1% |
2.15▲含1套固定掩膜装置 |
2.16▲样品台旋转角度0-360°，样品台旋转精度≤0.0005°（提供证明资料附件，原件备查） |
2.17▲分立掩膜掩模转角定位精度≤0.0005° |
2.18▲分立掩膜掩模中心定位精度≤10 μm |
2.19分立掩膜单个沉积微区边长≤1mm，组合通量 ≥ 200 |
2.20▲分立掩膜掩膜板尺寸可以根据需求在1-4英寸之间变化 |
2.21▲分立掩膜系统掩膜板数量可以根据需要增加 |
2.22▲加料过程不打破工艺腔真空 |
2.23▲加料过程全部在惰性气体环境中完成 |
2.24惰性气体环境条件：水含量≤ 1ppm，氧含量≤1ppm |
2.25▲样品过渡腔真空度优于5E-9Torr |
2.26▲样品过渡腔样品定位精度 ≤ 10μm |
2.27样品过渡腔材料基因芯片转移自动化 |
2.28换样腔真空度优于5E-6 Torr |
2.29换样腔自动向转移腔取送样品 |
2.30换样腔样品溅射清洗 |
2.31手套箱水含量≤ 1ppm， |
2.32手套箱氧含量≤1ppm |
2.33手套箱泄漏率< 0.001vol%/h |
2.34制备工艺使用PLC+触摸屏实现自动化控制 |
2.35控制模块化 |
2.36平板显示器，显示系统运行的状态、数据、和警告 |
2.37记录所有系统自动运行时的数据，工艺数据采集频率 < 1秒 |
2.38系统文件：一个包含系统文件U盘 (操作手册，机械图，电路图) |
2.39自动工艺程序创建和编辑 |
2.40保护报警：1）真空系统自锁;2)各真空腔内的机械传动系统的限位; 3) 真空系统保护;4) 报警：失水，失气，过压，过流，温度 |
2.41电控系统：3相电源的输入，紧急停止保护; |
2.42用户权限控制 |
3 | 高通量磁控溅射薄膜制备系统 | 3.1工艺腔真空度优于5E-7Torr，镀膜工艺气压控制通过调节插板阀开合实现 |
3.2基片直径 ≥3 inch，膜厚均匀性优于±3% |
3.3电控气动真空阀，全量程真空规 |
3.4材料基因芯片制备过程操作模式：手动、自动、和维护 |
3.55元复杂材料体系高通量组合制备，三元及三元以上连续镀膜材料基因芯片，三元及三元以上阶梯镀膜材料基因芯片(提供符合要求的设计方案) |
3.6▲可进行多对称轴等分多层膜沉积，沿各对称轴线分别实现不同材料的成分梯度薄膜制备；成分连续线性分布，分布范围0-5%可控，误差±5%； |
3.7抽真空系统：各腔体之间使用高真空插板阀连接；机械真空泵和分子泵使用电控气动真空阀连接 |
3.8单层薄膜厚度可控0.5nm; 样品制备速率优于10小时/片 |
3.9使用PLC实现系统自动控制 |
3.10电控系统：1) 3相电源的输入和控制;2)真空系统自锁; 3)各真空腔内的机械传动系统的限位; 4)真空系统保护; 5)报警：失水，失气，过压，过流，温度 |
3.11工艺腔安装在可调水平的整体框架上 |
3.12连续掩膜使用316不锈钢制造，元件表面进行抛光，满足10^-7torr 真空设计要求 |
3.13▲连续掩膜步进精度≤20μm，移动速度：0-1.5 mm/s 可调 |
3.14连续掩膜成分分布连续，0-100%成分分布范围可控 |
3.15连续掩膜分辨率可达0.1% |
3.16▲样品台旋转角度0-360°，样品台旋转精度≤0.0005°（提供证明资料附件，原件备查） |
3.17▲分立掩膜掩模转角定位精度≤0.0005° |
3.18▲分立掩膜掩模中心定位精度≤10 μm |
3.19分立掩膜单个沉积微区边长≤1mm，组合通量 ≥ 200 |
3.20▲分立掩膜掩膜板尺寸可以根据需求在1-4英寸之间变化 |
3.21★分立掩膜系统掩膜板数量可以根据需要增加（提供证明资料附件，原件备查） |
3.22样品过渡腔真空度优于5E-9Torr |
3.23▲样品过渡腔样品定位精度 ≤ 10μm |
3.24样品过渡腔材料基因芯片转移自动化 |
3.25样品过渡腔具有样品和芯片存储功能 |
3.26换样腔真空度优于5E-6 Torr |
3.27换样腔自动向转移腔取送样品 |
3.28换样腔基片溅射清洗 |
3.29手套箱水含量≤ 1ppm |
3.30手套箱氧含量≤1ppm |
3.31手套箱泄漏率< 0.001vol%/h |
3.32制备工艺使用PLC+触摸屏实现自动化控制 |
3.33控制模块化 |
3.34平板显示器，显示系统运行的状态、数据、和警告 |
3.35记录所有系统自动运行时的数据，工艺数据采集频率 < 1秒 |
3.36系统文件：一个包含系统文件U盘 (操作手册，机械图，电路图) |
3.37自动工艺程序创建和编辑 |
3.38用户权限控制 |
3.39▲溅射源角度可调 |
3.40▲溅射源和晶圆间距可调 |
3.41磁控溅射源防止交叉污染的挡板和电控气动挡板 |
3.42▲溅射源配直流电源和射频电源 |
4 | 高通量等离子体化学气相沉积薄膜制备系统 | 4.1工艺腔基础真空度优于5E-7Torr |
4.2▲真空气压实现自动控制 |
4.3基片直径 ≥ 6inch |
4.4▲包含射频和微波两种等离子体 |
4.5▲微区等离子体直径 ≤ 1cm |
4.6▲微区温度均匀区域≥6mm，均匀度≤5摄氏度 |
4.7▲设计反应气氛外溢约束装置，控制气体流场导向，使化学气相沉积反应局域可控； |
4.8▲通过对样品台的 X-Y-Z 方向的精确控制，结合微区加热和微区等离子体沉积，通过编程智能化控制，在同一基底上实现分立组份的高通量 CVD 的工艺筛选 |
4.9▲材料芯片制备过程自动化 |
4.10▲气浮隔振光学平台：平面度< 0.05mm/m2 |
4.11表面粗糙度：< 0.8μm，振幅：< 1μm；荷载能力：800kg/m2；重复定位精度：±0.05mm |
4.12半导体激光器：功率稳定性± 0.5%p-p；光学噪声< 0.5%rms, 10 Hz - 2 MHz； |
4.133维移动平台：行程精度 <± 10 μm |
4.14▲大功率激光源：功率>1kw; 功率稳定性5%@4小时 |
4.15▲干涉仪温度控制系统，恒温控制+0.1°c |
4.16换样腔真空度优于5E-6 Torr |
4.17换样腔自动向转移腔取送样品 |
4.18换样腔样品溅射清洗 |
4.19▲按国家和国际标准存储和传输有毒气体 |
4.20气体传输装置≥ 5路 |
4.21▲固体微波源，最大功率≥400W, 0 - 400W功率连续可调 |
4.22▲微波应用波导产生等离子体 |
4.23▲微波射流等离子体直径 <5mm |
4.24样品过渡腔真空度优于5E-9Torr |
4.25样品过渡腔样品定位精度 ≤ 20μm |
4.26样品过渡腔材料基因芯片转移自动化 |
4.27▲记录所有系统自动运行时的工艺参数数据，工艺数据采集频率 < 0.2s |
4.28a)制备工艺使用PLC+触摸屏实现自动化控制；b)控制模块化；c)提供控制软件 |
4.29各种操作模式：手动、自动、和维护 |
4.30通过用户提供的网络可实现远程数据传送 |
4.31带平板显示器，显示系统运行的状态、数据、和警告 |
4.32电控系统：a) 3相电源的输入和控制;b)真空系统自锁; c)各真空腔内的机械传动系统的限位; d)电子束蒸发源系统的保护； e）真空系统保护; f)报警 ：失水， 失气， 过压， 过流 ，温度 |
4.33用户权限控制 |
双击鼠标自动滚屏 [
