刻蚀终点侦测器国际招标公告(2)
刻蚀终点侦测器国际招标公告(2)
序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | 刻蚀终点侦测器 | 59个 | (1)刻蚀终点侦测器主要用于G6 OLED干刻工艺,包含栅极层、主动层、源极/汲极层、介电层、钝化缓冲层等;(2)等离子体稳定后10秒以内,EPD是可以成功侦测的(3)可以成功侦测到钝化层(氧化硅)刻蚀终点。 | ****-********0002/89 |
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