“电子束蒸发镀膜仪”招标公告

“电子束蒸发镀膜仪”招标公告

购置“电子束蒸发镀膜仪”招标项目报名公告
清设报第*******
清华大学拟对购置“电子束蒸发镀膜仪”项目进行招标,欢迎具有相应资质的单位报名参与投标。项目情况及相关要求如下:
一、项目简介
清华大学交叉信息研究院购置“电子束蒸发镀膜仪”,用于沉积高质量金属及氧化物薄膜。
二、招标内容
电子束蒸发镀膜仪一台,主要技术指标要求如下:
1.电子发射枪功率6kW,电压2~10kV可调,电子束流0~0.6A。
2.电子束蒸发沉积系统配置6个或6个以上旋转电子束蒸发源,用于沉积Ti,Ni,Au, Cr,Al,Al2O3等金属及氧化物薄膜;蒸发坩埚可自动旋转并可编程控制。
3.真空腔有同外界连接的不同气体接口,可以注射氧气及其他气体来实现
清洁和氧化过程,并且可以控制蒸镀腔内气体压强。
4.蒸镀腔设有观察窗;配有蒸发源挡板及晶振探头挡板;蒸发源与样品台距离500mm左右;镀膜过程中样品衬底温度不得超过100℃。
5.样品台可装载6英寸晶片,具有三维转动功能;样品台倾斜度:-900-2700,倾斜精确度0.10。
6.镀膜主真空腔真空度优于10-7 Torr,极限空度优于3.0×10-8 Torr; 预真空室真空度优于2×10-7Torr。
7.样品衬底在蒸镀前可以通过离子枪进行清洁;清洁离子枪电压:100-1000eV;离子枪距样品距离约180mm左右。
8.膜厚检测系统:通过计算机控制检测镀膜速度与厚度。膜厚检测技术要求为频率:10-4 Hz,沉积速度分辨率:0.001 nm/s,沉积厚度分辨率:0.01?/s。
9.计算机控制系统:计算机控制腔体抽真空及充气过程,实现编程镀膜,自动控制电子束蒸发功率、镀膜工艺参数、蒸发源挡板及蒸发坩埚位置、沉积速度、样品台倾斜、旋转等参数。计算机控制系统有可视界面,有USB, Ethernet及 parallel 接口,有多级用户权限设计。当镀膜过程出现问题,计算机控制系统应允许手动镀膜。
三、资格预审要求
1、独立法人资格(提供投标单位营业执照复印件,加盖公章);
2、有针对本项目的法人代表授权委托书(原件);
3、不同时为制造商的投标商应提供对此次招标项目的制造商授权书(原件);
4、企业资质证明、ISO9001质量体系认证、及其它相关材料(复印件,加盖公章);
5、年度销售业绩(提供财务审计报告复印件,加盖公章);
报名时需提交以上资料,同时附上准备投标产品的品牌、型号以及该产品与本招标公告所开列的主要技术要求相对应的指标参数或文字表述。招标单位根据以上证明资料进行资格预审,招标人将从资格预审通过者中遴选邀请对象,未被邀请者恕不另行通知。
四、报名时间与地点
报名时间:2013年7月8日-2013年7月18日
(每天上午8:30-11:30,下午1:30-4:30,节假日休息)
报名方式:请将招标项目编号、投标公司名称、联系人和联系方式以电子邮件形式发送至 sys-zb@tsinghua.edu.cn; 7月18日提交纸质报名资料。
纸质资料提交地点:清华大学实验室与设备处9号楼223室
(上午8:30-11:30,下午1:30-4:30)
五、联系方式
联 系 人:王 慧 联系电话:010-********
Email: sys-zb@tsinghua.edu.cn


联系人:郝工
电话:010-68960698
邮箱:1049263697@qq.com

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