序号 | 货物名称 | 招标技术要求 |
1 | 原子分辨率分析电子显微镜 | 1.电子枪和加速电压 |
2 | ▲1.1 电子枪:冷场发射电子枪,无需单色器,保证低能量发散度下的大束流; |
3 | ▲1.2电子枪寿命,质保期≥3年,业内单根电子枪平均寿命9年以上 |
4 | 1.3加速电压:最高加速电压为200KV,提供在最高加速电压下及80KV,40KV下的球差校正数据; |
5 | 1.4 加速电压稳定度:≤0.5ppm/min(峰峰值); |
6 | 1.5 物镜电流稳定度:≤0.5ppm/min(峰峰值); |
7 | 2.分辨率 |
8 | 2.1线分辨率:0.1nm(200KV), |
9 | ▲2.2信息分辨率(杨氏分辨率):0.10nm(200KV);(备注:要求原件备查) |
10 | ▲2.3STEM图像分辨率:0.0707nm(200KV),0.1045nm(80KV),0.164nm(40KV,保证束斑是圆的)。 |
11 | 3. 电子枪能量发散度:£0.3eV@200kV,在此能量分辨率下可实现高空间分辨率的高信噪比的原子级分辨率图像 |
12 | 3.1大束流下电子枪能量发散度:£0.33eV(200KV, 发射电流1μA以下时); |
13 | 4.小束斑下的束流强度:≥1nA@0.136nm束斑时(200kV ); |
14 | 5.物镜参数:球差系数Cs:可调正负; |
15 | ▲6.聚光镜球差校正后的参数(200KV&80KV&40KV): Ronchigram≥ 55mrad(200KV&80KV&40kV)。 B2≦300nm; A2≦100nm; C3≦±5μm; S3≦12μm; A3≦3μm; A4≦20μm; B4,D4≦100μm; |
16 | ★7.球差自动校正合轴系统:全新像差校正算法,不需要标准样品进行校正器调整;(备注:要求原件备查) |
17 | 8.束流漂移:1nm/min或更低(200KV&80KV); |
18 | 9.样品漂移:0.5nm/min或更低(200KV&80KV); |
19 | 10.污染速度:0.4nm/min或更低(200KV&80KV); |
20 | 11.放大倍数 |
21 | 11.1 TEM:50x-2,000,000x(荧光屏为参考面); |
22 | ▲11.2 标准配置洛伦茨模式:可进行铁磁性样品的磁畴观察;(备注:要求原件备查) |
23 | 11.3STEM:200X-150,000,000X |
24 | 12.真空系统 |
25 | 12.1 四级真空系统 |
26 | ▲12.2电子枪出口室:≤10-9Pa;(备注:要求原件备查) |
27 | 12.3 样品室:≤2x10-5Pa; |
28 | ★12.4 污染防止功能:自动整机烘烤系统,可将原位实验等外来污染物清除。(备注:要求原件备查) |
29 | 13.样品台及倾斜角 |
30 | 13.1 样品倾斜角度:双倾样品杆X/Y=±25°/±25°; |
31 | 13.2 样品移动范围:2mm(X,Y),0.2mm(Z); |
32 | 13.3 X/Y/Z三轴压电陶瓷控制系统标准配置:步长优于0.04nm; |
33 | 13.4 精细六轴马达驱动(X/Y/Z/R/Tilt X/Tilt Y)。 |
34 | 14.扫描透射(STEM)模式探测器:ABF, BF, HAADF同时安装,同时采集图像,还可以通过实时信号处理得到e-ABF像,进而轻松地观察从轻元素到重元素。HAADF采用复合材料全新探测器,信噪比是YAG型2倍; |
35 | 15 一体化能谱仪配置 |
36 | 15.1 一体化电制冷超级双能谱仪探测器,无窗设计,可伸缩设计; |
37 | ▲15.2 探测器面积:≥200mm2;(备注:要求原件备查) |
38 | ★15.3 固体角和峰背比应同时获得保证:固体角1.24srad以上,而且峰背比P/B(Fiori number)3800以上;(备注:要求原件备查) |
39 | 15.4 能量分辨率:≤133eV; |
40 | 15.5 探头保护阀门,两端真空度不同,阀门无法打开。 |
41 | 16 CMOS相机系统 |
42 | ★16.1分辨率:4k x 4k,单像素尺寸≥15μm(备注:要求原件备查) |
43 | 16.2 耦合方式:1:1光纤耦合 |
44 | 16.3Low dose低剂量观测:有,减少电子束对样品的辐射损伤 |
45 | 16.4动态范围:16位 |
46 | 16.5具备实时漂移校准功能 |
47 | 16.6基本操作软件:DigitalMicrograph软件可实现数据的采集、分析、处理等 |
48 | 16.7图像存储模式:dm图像存储格式,并可与.tiff格式、.jpg格式、.emf格式、.bmp格式、.gif格式等自由转换 |
49 | 16.8读写速度:≥25fps@4Kx4K; |
50 | 17配能量过滤 (EFTEM)和电子能量损失谱(EELS)分析系统,实现能量过滤成像提高图像质量,分析材料的化学价态、电子结构、元素组成及其面分布等 |
51 | ★17.1过滤器主机:能量过滤器主机:标配 1)高速 2k x 2k x 18μm CMOS 探测器,2)BF/DF 探测器,3)100nS 级高速静电快门,4)双 EELS 探测系统,5)实时零损峰(ZLP)校正,6)实时 STEM EELS 面分布,7) 连续 EFTEM 及 8)高级自动能量过滤设置等,技术参数不低于Gatan GIF 1065 |
52 | 17.2 过滤器光阑:9.0/5.0mm成像光阑和5.0mm/2.5mm EELS分析光阑 |
53 | 17.3 图像模式:畸变 < 0.75% |
54 | 17.4工作电压:40kV~300kV |
55 | 17.5谱模式:探测器读出信道:≥2048 |
56 | 17.6STEM和Spectrum Imaging(SI):将所有STEM探头集成于STEMPack,并达到8000谱/秒的采谱速度 |
57 | 17.7专用光阑(Q-Slit),实现角分辨EELS表征 |
58 | 17.8STEMx 升级,实现4D-STEM采集与分析功能,在STEM表征中,二维平面扫描的每一点,记录对应的汇聚束衍射花样,并通过软件分析实现应变分布分析、通过任意形状及形状组合的虚拟光阑重构暗场像等分析功能 |
59 | ▲17.9 原位升级,使得系统能够连续采集EELS与EFTEM动态数据 |
60 | ▲17.10 高速EDS采集功能,实现EELS数据和EDS数据的同步采集 |
61 | 17.11能损谱制造商原厂软件控制GIF系统和相机 |
62 | 18. 样品杆干泵站 |
63 | 18.1 极限真空度≤5E-4 Pa |
64 | 18.2 烘烤功能:标准内置 |
65 | 18.3 样品杆放置数量≥3 支 |
66 | 19. 离子清洗仪 |
67 | 19.1 等离子源:空气 |
68 | 19.2 进样方式:直接插入样品杆 |
69 | 19.3 时间可调节 |
70 | 20.样品杆 |
71 | ▲20.1增强型标准单倾样品杆、增强型低背景铍双倾样品杆、真空转移铍双倾样品杆、加热单倾样品杆各一根 |
72 | 21.电镜操作 |
73 | 21.1 数字化操作系统,基于Windows10的计算机控制系统,在用户图形界面上完成原子分辨率分析电子显微镜的操作控制。具有远程操作系统,无需暗室,寻找视野、电镜合轴均可通过远程显示器实现; |
74 | 21.2 能比较方便地实现常用功能,包括样品移动、光束移动、改变放大倍数、模式切换、聚焦、合轴操作等; |
75 | 21.3 可以根据需要拥有一套或多套电镜状态参数,每套状态参数相互独立,可在使用过程中迅速切换调用。可设置任意多个用户,每个用户之间的参数设置相对独立,同时还可以相互调用; |
76 | 21.4 控制软件具有多种探测器(附件)同时采集数据功能和频谱分析功能,可进行在线或后续的离线分析,可快速完成所需模式(如常用的透射模式与扫描透射模式)之间的切换,实现在同一点的多种模式或手段的综合分析。 |
77 | ▲22.电镜原厂生产的原子分辨率分析电子显微镜专用主动消磁器 |
78 | 22.1 主动式消磁器设置在主机附近的传感器感知到外界干扰磁场后,传递给控制器,控制器通过三个方向消磁线圈发出相反方向的抵消磁场,将外界干扰磁场消除; |
79 | 22.2 主动式消磁器磁场衰减率最大-40dB,最大补偿磁场5.0μT以内,对应磁场频率范围包括DC(0Hz)~3kHz,信号处理通过模拟信号处理系统实现; |
80 | 22.3X,Y,Z轴传感器可以根据实测磁场,分别独立安装,达到最佳消磁效果。 |
81 | 22.4负责消磁器的施工 |
82 | ▲25.电镜原厂生产的原子分辨率分析电子显微镜专用一体化主动减震器 |
83 | ★25.1 由四个减震器组成的系统,分别支撑在电镜四个支撑位上,方便安装和维修。 |
84 | 26设置室环境改造 |
85 | 26.1内容包括:环境设计,吸音、降噪、空调系统等所需内容安装,上述环境改造所需的设备及材料由电镜厂家负责,由专业机构实施,电镜厂家负责指导、检测、监理,以及相应材料,直至整体验收。 |