项目名称

低成本氮化镓器件与系统集成技术

拟提名奖项及等级

拟提名广东省科技进步奖二等奖

主要完成单位

单位1南方科技大学

单位2深圳市芯茂微电子有限公司

单位3深圳方正微电子有限公司

主要完成人

（职称、完成单位、工作单位）

1.于洪宇（教授、南方科技大学、负责项目的总体布局，技术路线制定，研发指导，经费监管，人才培养，项目推进与监督）

2.赵鑫（无职称、深圳市芯茂微电子有限公司、负责电源系统整体方案的制定和具体实施，以及器件和电路设计指导）

3.汪青（副研究员、南方科技大学、负责器件和工艺部分的团队建设，人才培养，技术路线制定和项目统筹规划，器件设计和制备）

4.陈建国（工程师、深圳方正微电子有限公司、氮化镓器件击穿特性提升，栅极可靠性提升，欧姆接触优化，及生产良率提升）

5.蒋苓利（工程师、南方科技大学、南方科技大学、负责研发具体实施的推进，团队工作指导，平台搭建，GaN模块电路开发设计指导与实施）

代表性论文

专著目录

论文1：Evaluationof LPCVD SiN_x Gate Dielectric Reliability by TDDB Measurement inSi-Substrate-Based AlGaN/GaN MIS-HEMT、IEEETransactions on Electron Devices、2018（65)、戚永乐、于洪宇

论文2：Ultra-Low Contact Resistivity of < 0.1 Omega mm for Au-Free Ti_xAl_y Alloy Contact on Non-Recessed i-AlGaN/GaN、IEEEELECTRON DEVICE LETTERS、2020（41）、范梦雅、蒋玉龙、于洪宇

论文3：Gate Leakage Suppression and Breakdown Voltage Enhancement inP-GaN HEMTs Using Metal/Graphene Gates、IEEETransactions on Electron Devices、2020（67）、周广楠、夏光睿、于洪宇

论文4：Quasi-Normally-Off AlGaN/GaNHEMTs With SiN? Stress Liner andComb Gate for Power Electronics Applications、IEEE Journal of the ElectronDevices Society、2020（8）、郑韦志、汪青、于洪宇

论文5：A Novel Oxygen-Based DigitalEtching Technique for p-GaN/AlGaN Structures without Etch-Stop Layers、Chinese Physics Letters、2020（37）、蒋洋、汪青、于洪宇

知识产权名称

专利1：<一种集成不同厚度金属层以调节功函数的方法>（ZL********8922.5、于洪宇；张淑祥；杨清华、南方科技大学；中国科学院微电子研究所）

专利2：<一种后栅工艺中的栅极形成方法>（ZL********8494.6、于洪宇；张淑祥；杨红、南方科技大学；中国科学院微电子研究所）

专利3：<一种同步整流控制装置及其同步整流控制电路>（ZL********1260.8、赵鑫；宗强；刘准；管磊、深圳市芯茂微电子有限公司）

专利4：<一种氮化镓器件及封装方法>（ZL********7076.4、陈建国；谢春诚；刘蓬、北大方正集团有限公司；深圳方正微电子有限公司）

专利5：<一种同步整流周期预关断电路>（ZL********1230.7、赵鑫；刘准；吴寿化；管磊；殷忠、深圳市芯茂微电子有限公司）