1-1

A********-其他光学仪器

镀膜机 （单探头）

1（套）

否

1、主要技术参数 （1）烘烤最高温度：350℃，用于除真空室内水汽。 （2）整机主要系统空载极限真空度达到3×10-4Pa。 （3）恢复真空度：4×10-3Pa，小于15分钟。 （4）电子枪：2支270度E型枪，功率8KW可调。 （5）膜厚控制仪：膜厚仪，单探头晶控系统。 （6）真空系统控制采用电脑+PLC，可实现整机系统连续自动镀膜和实时监控。 （7）分子泵与高阀之间配水冷冷阱。 （8）主要密封胶圈采用氟橡胶。 2、系统详细配置 （1）形式：箱式，立式前开门，蒸发室和抽气室为焊接式；主机与电控柜之间安装金属线槽（主要连接电线、软水管和软气管均放入金属线槽），并从主机与电控柜上方通过。 （2）真空腔体：内腔尺寸为Ф900mm（直径）。采用304不锈钢制造，内表面作抛光处理，外壁（包括高阀上端与真空室）通冷却水,内表面作抛光处理，外表面为直接焊不锈钢半圆水管（耐2-4公 斤水压）。箱体内衬不锈钢防污板（侧壁防污板厚度δ=1mm，室内下防污板厚度δ≧2.0mm，包括抽气口采用活动百叶窗两套，防污板为可拆卸式、便于清洗；真空室外壁配有水冷。真空室外壁采用多段水冷却。提高内表面光洁度，再进行焊接加工，焊接无堆积现象以减少气体负载。 在真空室顶部设置起重吊环。外壁通冷却水管，不锈钢材料，与真空室体外部焊接要求横平竖直，不锈钢材料，焊缝牢固可靠，整洁美观。箱体内表面要求先抛光处理后，提高内表面光洁度，再进行焊接加工，焊接无堆积现象以减少气体负载。 （3）真空室门：采用304不锈钢材料，内表面作抛光处理，外表面为直接焊不锈钢半圆水管，通冷却水冷却；真空室门上装有表面涂漆的外装饰板；真空室门上设观察窗2个，配置铅玻璃和可手动旋转的防护镜。采用先进的偏光技术可通过旋转玻璃角度来改变明亮度。真空室门采用气缸自动关门技术更快节省了镀膜时间。 （4）主机骨架:骨架前面有带锁的门；两侧有固定侧板。 （5）水冷却系统:主进、出水分配管采用不锈钢管制成，各主要冷却均单独供水冷却。进、出塑料软管有标识区分；对主泵、电子枪等加装水流保护，有断水报警。 （6）控电柜:采用并柜方式.一侧作为仪表安装柜,宽度为19英寸国际标准;另一侧作为电器元件安装柜,为前后开门大板式结构。极限真空度:3×10－4Pa（真空室洁净） （7）恢复真空时间:大气至4×10－3 Pa≤15min(空载) （8）保真空:真空室达到极限真空度后，关闭高真空阀一小时后，真空室真空度≤9×10－1Pa （9）真空系统配置:主泵：分子泵2台;罗茨泵1台（抽速150L/Sec）;前级泵: 双级直联泵1台（抽速约76L/Sec）;各真空阀门为气动阀门；配备防湍流装置(可减少真空室排大气时湍流对较轻工件的影响)装在真空窒底部；真空系统管道采用不锈钢材料，管道软连接处采用金属波纹管；能实现对真空腔体的快慢放气，充气阀口装配过滤器； （10）真空系统测量：配三路数字复合真空计壹套（两路低真空电阻规，一路高真空电离规）；带压强控制仪功能。高真空电离规安装在真空箱体抽气室顶部靠近工作室一侧；预留冷阱检测接口；低真空电阻规一组安装在真空箱体抽气室顶部靠近工作室一侧，另一路安装在前级管道式，用于分子泵的启动及保护信号检测。真空规管均采用金属规管。 （11）系统操作：有手动和程序自动两种模式；PLC控制所有泵阀动作；高阀、低阀、预阀，到位信号送入PLC控制信号；PLC程序带故障报警功能，如气压、水流、机械泵等保护及报警。 （12）测试方法：按照GB11164真空镀膜机通用技术条件执行。 （13）工件架：三伞型工件盘夹具两套（不锈钢材料，开孔尺寸用户一个月内）。 （14）工件架旋转：转速3～30rpm，交流变频调速，上驱动方式。工件盘轴向、径向跳动小于等于±3mm；转动支承部位配有水冷套。磁流体密封。 （15）烘烤系统：桶状上烘烤。上烘烤加热器采用管状加热器。配温控仪，仪表控制精度为±1℃，控温方式为一点控温PID自动控温及显示。烘烤功率：8KW。温度：最高350℃，温度可控可调；烘烤温度均匀性：设定温度±5℃。 （16）电子束蒸发源（双枪单电源）：加速电压：负 6-9kV；最大电流：？0.5A（此时的加速电压是-9kV）电子束偏转角：270°（永磁铁）；X扫描电流：±3A可调、10HZ-250HZ ；Y扫描电流：±3A可调 10HZ-250HZ。 （17）坩埚：直接水冷；右枪六穴直冷坩埚一套，坩埚衬套尺寸：Φ40*17，电动转位和点动转位（配坩埚衬套6个），驱动方式为步进电机；左枪为环形直冷坩埚一套，坩埚尺寸与右枪对称，驱动方式为步进电机， 转速可调。备有有线遥控盒手持操作；可开关高压，调节束流、开关挡板、带坩埚显示、束流显示等。配2套气动挡板机构，转动角度一定范围内可调，挡板为插入式。配2套固定式修正挡板，可调节高度及角度，安装在左、右电子枪上方。 （18）阻蒸：一组，电压12V，功率10KW 。 （19）晶体控制仪：膜厚仪，一台配单探头，一台配六探头，并配相应的控制系统，采用电脑膜系编辑导入。（a）控制电子束蒸发源蒸发速率。（b）控制及电子束蒸发源挡板。（c）控制材料充气。（d）控制电子枪坩埚的转动。可控制自动实现整个镀膜工艺。 （20）离子源辅助：配离子源 1台 （21）充气系统：配两路“山武”质量流量计，流量控制范围4～200SCCM。带压强控制功能，可实现每个坩埚不同的真空度，在-3 Pa范围可控。 （22）电气控制系统：PLC+电脑对设备真空系统、蒸发源系统、烘烤系统、工件转动系统、晶控膜厚监控系统等进行监测和控制，实现真空系统及晶控镀膜过程自动控制，安全报警及故障信息显示，并通过文字方式提示。控电柜面板下方安装两个单相220V、10A电源插座。水、电、气路有故障自动报警和保护系统。 （23）设备颜色：采用标准色标。

551800

1-2

A********-其他光学仪器

镀膜机 （六探头）

1（套）

否

1、主要技术参数 （1）烘烤最高温度：350℃，用于除真空室内水汽。 （2）整机主要系统空载极限真空度达到3×10-4Pa。 （3）恢复真空度：4×10-3Pa，小于15分钟。 （4）电子枪：2支270度E型枪，功率8KW可调。 （5）膜厚控制仪：膜厚仪，六探头晶控系统。 （6）真空系统控制采用电脑+PLC，可实现整机系统连续自动镀膜和实时监控。 （7）分子泵与高阀之间配水冷冷阱。 （8）主要密封胶圈采用氟橡胶。 2、系统详细配置。 （1）形式：箱式，立式前开门，蒸发室和抽气室为焊接式；主机与电控柜之间安装金属线槽（主要连接电线、软水管和软气管均放入金属线槽），并从主机与电控柜上方通过。 （2）真空腔体：内腔尺寸为Ф900mm（直径）。采用304不锈钢制造，内表面作抛光处理，外壁（包括高阀上端与真空室）通冷却水,内表面作抛光处理，外表面为直接焊不锈钢半圆水管（耐2-4公 斤水压）。箱体内衬不锈钢防污板（侧壁防污板厚度δ=1mm，室内下防污板厚度δ≧2.0mm，包括抽气口采用活动百叶窗两套，防污板为可拆卸式、便于清洗；真空室外壁配有水冷。真空室外壁采用多段水冷却。提高内表面光洁度，再进行焊接加工，焊接无堆积现象以减少气体负载。在真空室顶部设置起重吊环。外壁通冷却水管，不锈钢材料，与真空室体外部焊接要求横平竖直，不锈钢材料，焊缝牢固可靠，整洁美观。箱体内表面要求先抛光处理后，提高内表面光洁度，再进行焊接加工，焊接无堆积现象以减少气体负载。 （3）真空室门：采用304不锈钢材料，内表面作抛光处理，外表面为直接焊不锈钢半圆水管，通冷却水冷却；真空室门上装有表面涂漆的外装饰板；真空室门上设观察窗2个，配置铅玻璃和可手动旋转的防护镜。采用先进的偏光技术可通过旋转玻璃角度来改变明亮度。真空室门采用气缸自动关门技术更快节省了镀膜时间。 （4）主机骨架:骨架前面有带锁的门；两侧有固定侧板。 （5）水冷却系统:主进、出水分配管采用不锈钢管制成，各主要冷却均单独供水冷却。进、出塑料软管有标识区分；对主泵、电子枪等加装水流保护，有断水报警。 （6）控电柜:采用并柜方式.一侧作为仪表安装柜,宽度为19英寸国际标准;另一侧作为电器元件安装柜,为前后开门大板式结构。极限真空度:3×10－4Pa（真空室洁净） （7）恢复真空时间:大气至4×10－3 Pa≤15min(空载) （8）保真空:真空室达到极限真空度后，关闭高真空阀一小时后，真空室真空度≤9×10－1Pa （9）真空系统配置:主泵：分子泵2台;罗茨泵1台（抽速150L/Sec）;前级泵: 双级直联泵1台（抽速约76L/Sec）;各真空阀门为气动阀门；配备防湍流装置(可减少真空室排大气时湍流对较轻工件的影响)装在真空窒底部；真空系统管道采用不锈钢材料，管道软连接处采用金属波纹管；能实现对真空腔体的快慢放气，充气阀口装配过滤器。 （10）真空系统测量：配三路数字复合真空计壹套（两路低真空电阻规，一路高真空电离规）；带压强控制仪功能。高真空电离规安装在真空箱体抽气室顶部靠近工作室一侧；预留冷阱检测接口；低真空电阻规一组安装在真空箱体抽气室顶部靠近工作室一侧，另一路安装在前级管道式，用于分子泵的启动及保护信号检测。真空规管均采用金属规管。 （11）系统操作：有手动和程序自动两种模式；PLC控制所有泵阀动作；高阀、低阀、预阀，到位信号送入PLC控制信号；PLC程序带故障报警功能，如气压、水流、机械泵等保护及报警。 （12）测试方法：按照GB11164真空镀膜机通用技术条件执行。 （13）工件架：三伞型工件盘夹具两套（不锈钢材料，开孔尺寸用户一个月内）。 （14）工件架旋转：转速3～30rpm，交流变频调速，上驱动方式。工件盘轴向、径向跳动小于等于±3mm；转动支承部位配有水冷套。磁流体密封。 （15）烘烤系统：桶状上烘烤。上烘烤加热器采用管状加热器。配温控仪，仪表控制精度为±1℃，控温方式为一点控温PID自动控温及显示。烘烤功率：8KW。温度：最高350℃，温度可控可调；烘烤温度均匀性：设定温度±5℃。 （16）电子束蒸发源（双枪单电源）：加速电压：负 6-9kV；最大电流：？0.5A（此时的加速电压是-9kV）电子束偏转角：270°（永磁铁）；X扫描电流：±3A可调、10HZ-250HZ ；Y扫描电流：±3A可调 10HZ-250HZ。 （17）坩埚：直接水冷；右枪六穴直冷坩埚一套，坩埚衬套尺寸：Φ40*17，电动转位和点动转位（配坩埚衬套6个），驱动方式为步进电机；左枪为环形直冷坩埚一套，坩埚尺寸与右枪对称，驱动方式为步进电机， 转速可调。备有有线遥控盒手持操作；可开关高压，调节束流、开关挡板、带坩埚显示、束流显示等。配2套气动挡板机构，转动角度一定范围内可调，挡板为插入式。配2套固定式修正挡板，可调节高度及角度，安装在左、右电子枪上方。 （18）阻蒸：一组，电压12V，功率10KW 。 （19）晶体控制仪：膜厚仪，一台配单探头，一台配六探头，并配相应的控制系统，采用电脑膜系编辑导入。（a）可控制电子束蒸发源蒸发速率。（b）可控制及电子束蒸发源挡板。（c）可控制材料充气。（d）可控制电子枪坩埚的转动。可控制自动实现整个镀膜工艺。 （20）离子源辅助：配离子源 1台 （21）充气系统：配两路“山武”质量流量计，流量控制范围4～200SCCM。带压强控制功能，可实现每个坩埚不同的真空度，在-3 Pa范围可控。 （22）电气控制系统：PLC+电脑对设备真空系统、蒸发源系统、烘烤系统、工件转动系统、晶控膜厚监控系统等进行监测和控制，实现真空系统及晶控镀膜过程自动控制，安全报警及故障信息显示，并通过文字方式提示。控电柜面板下方安装两个单相220V、10A电源插座。水、电、气路有故障自动报警和保护系统。 （24）设备颜色：采用标准色标。

610300

1-3

A********-其他光学仪器

冷水机

1（台）

否

（1）温度：23-25℃ （2）流量：≥16m3/h （3）压力：0.3-0.35MPa （4）控制：PLC自动控制 （5）管道：采用台塑南亚管件，外套保温棉

67400

1-4

A********-其他光学仪器

喷砂机

1（台）

否

（1）内置：带装盘，带推车 （2）电压：220V 50HZ （3）功率：≥600W

16700

1-5

A********-其他光学仪器

真空专用铝箔

1（台）

否

（1）尺寸：≥0.03*620mm （2）重量：≥50Kg

3800