序号 | 货物名称 | 招标技术要求 |
| 矢量磁场超低温扫描隧道显微镜 | |
1 | 快速进样室 | |
| 真空度 | 1.1没有烘焙的情况下真空度≥5×10-5Pa |
| 安放台 | 1.2安放台能够安放4个样品架和4个针尖架。 |
| 传送杆 | 1.3一根磁力传送杆用于在快速进样室和制备室之间传送针尖和样品。 |
| 快进门 | 1.4用于取放针尖和样品。可以更换为标准的刀口法兰密封方式以实现更好的真空度。 |
| 漏气阀 | 1.5手动漏气阀,尺寸为ICF70,连接6mm塑料管。 |
2 | 制备室 | |
★ | 真空度 | 2.1真空度≥3.0×10-8Pa |
| 样品操纵台 | 22 操纵台上能够安放4个样品架和4个针尖架。在样品加热台上能够进行直流加热和电子束轰击加热。 |
| 样品加热 | |
▲ | | 2.3.1直流电加热:1300 deg. C |
▲ | | 2.3.2电子束轰击加热:1500 deg. C 5分钟 1000 deg. C 1小时 |
| | 2.3.3 样品尺寸:4*4mm |
| | 2.4可旋转的操纵台:用于RHEED和样品生长,加热台(位于操纵台下方) |
| | 2.5 温度监测:无调控样品温度的传感器。需要用户使用高温计进行温度的监测。 |
| 观察窗 | 2.7 2个ICF114 和3个ICF70观察窗。 |
| 扩展法兰口 | 2.8 1个ICF 70和ICF152法兰用于安装RHEED,1个ICF70用于针尖生长,一个ICF70用于离子枪,一个ICF70用于晶振,一个ICF152安装窗口用于观察,1个ICF114法兰用于生长,6个ICF70法兰用于生长,增加一个ICF70用于移动腔体,1个ICF114和2个ICF70法兰用于观察,4个ICF70法兰作为扩展法兰。位置可根据客户的需求进行调整。 |
| 传送调整机构 | 2.9 X移动台 |
| 针尖生长 | 2.10 探针高压生长(参考物理所高组) |
| 样品操纵台的动作 | 2.11 运动方向:Z和Θ,X,Y方向不包括在内,用户升级X,Y方向。 |
| 传送杆 | 2.12使用磁力传送杆,在制备室和转换室之间进行样品和针尖的传送。 |
3 | 转换室 | 3.1材料为不锈钢304,腔体外径为114mm,内壁电化学抛光处理。 |
| 真空度 | 3.2 真空度≥3.0×10-8Pa |
▲ | 安防台 | 3.3 固定在磁力传送杆上的安放台能够安放4个样品架和4个针尖架。 |
| 传送杆 | 3.4 使用带有重力平衡装置的磁力传送杆,在转换室和STM扫描头之间进行针尖和样品的传送。 |
| 法兰 | 3.5 2个ICF70观察窗,3个ICF70扩展法兰用于生长或者导入气体。 |
4 | 杜瓦 | |
| 液氦杜瓦 | |
| | 4.1.1 制冷功率50 μW@100mK。 |
▲ | | 4.1.2配有液氦液面计及正压安全阀。液氦消耗冷小于0.4 L/H |
★ | 磁铁 | 4.2 磁场强度x-y-z(z为平行针尖方向)方向不低于1.8-1.8-8T。 |
| 磁铁控制器 | 4.3最大输出电流:120安培。 |
5 | 插入室 | |
★ | 最低温度 | 5.1最低温度小于40mK(0T磁场)。 |
| 自动气体循环控制系统 | 5.2 自动气体循环控制系统。所有的泵及电动阀门都通过软件控制。 |
| 温度控制器 | 5.3温度传感器采用RuO和Cernox。所有的系统温度通过软件监测和控制 |
| 扫描头 | 5.4材料无磁性的材料。 |
| 减震 | 5.5 内部减震采用螺旋弹簧减震方式。 |
| XY方向扫描范围 | 5.6 在 4.2K/400mK温度下大于0.6/0.6微米。 |
| Z方向工作范围 | 5.7在 4.2K/400mK温度下大于70/60纳米。 |
▲ | Z向分辨率 | 5.8 <0.02nm |
▲ | XY方向分辨率 | 5.9 <0.05nm |
▲ | 温飘 | 5.10 4.2K情况下小于0.5nm/hour |
★ | 噪音 | 5.11 40mK情况下,topo信号(FFT)小于1pm/√Hz |
▲ | 能量分辨率 | 5.12 在40mK温度下的能量分辨率优于0.1meV |
6 | ▲STM控制器 | 6.1 SPM控制器 |
7 | 真空系统 | |
| 真空规 | 7.1 包含3个离子真空规。共用多通道真空规控制器。 |
| 真空阀门 | 7.2 2个ICF114手动闸板阀分别连接在快速进样室和制备室之间、以及制备室和转换室之间。ICF70的手阀连接在插入室和转换室之间。1个气动角阀连接在分子泵与快速进样室之间。 |
| 离子泵控制器 | 7.3 7米长离子泵控制器连接线及2根10米长TSP连接线。 |
| 分子泵及干泵 | 7.4 至少6m长控制线。 |
8 | 减震台 | 8.1减震台高度改为有坑实验室方案。四条气垫腿安装有被动减震装置。 |
| 材料 | 8.1.1采用非磁性不锈钢304. |
| 台面尺寸 | 8.1.21500L×1200W×1000H mm |
| 重量 | 8.1.3 700Kg |
| 氮气或者压缩空气 | 8.1.4氮气瓶及10Kg/cm2 的减压阀需由用户自行准备,通过外径6mm的塑料管进行联接。 |
9 | 配件 | |
| 样品架 | 9.1 3个直流电加热型样品架,3个电子束轰击加热型样品架。 |
| 探针架 | 9.2 5个。 |
| 探针 | 9.3 包含10根铂铱针尖。 |
| 样品安装工具 | 9.4 1套。 |
| 照明光源 | 9.5 LED照明光源及ICF70卡套:2套 |
| 液氦输液管 | 9.6 1根。 |
| 烘烤系统 | 9.7 腔上安装加热丝及温度传感器,另外有10根加热带。 |
10 | 追加配件 | |
| 电子束轰击针尖加热(EBT100) | 10.1 用于针尖清洁。包含一个高压控制器 |
| 3KV(Specs离子枪及电源) | 10.2安装于制备腔,对针尖和样品进行清洁。。 |
| 安装于转换腔的低温解离台 | 10.3该装置安装于转换室,液氦的情况下30K以内,液氮冷却到90K以内,并且可以使用解离杆对样品进行解离。 |
▲ | 升级六电极 | 10.4 扫描头以及样品架均升级为六点电极 |
| 样品操纵台的动作 | 10.5 运动方向:Z和Θ,X,Y方向不包括在内,用户升级X,Y方向。 |
| 极低温超高真空极低温强磁场扫描隧道显微镜 | |
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1 | 快速进样室 | 1.1材料为不锈钢304,腔体外径为114mm,内壁需进行电化学抛光处理。 |
| 真空度 | 1.2没有烘焙的情况下好于5×10-7Torr,烘焙后的情况下好于1×10-8Torr。 |
▲ | 安放台 | 1.3固定在磁力传送杆上的安放台能够放置4个样品架和4个针尖架。 |
| 传送杆 | 1.4一根磁力传送杆用于传送针尖和样品。(传送位于快速进样室和制备室之间) |
| 快进门 | 1.5尺寸为ICF114,用于取放针尖和样品。标准的刀口法兰可以实现更好的真空度。 |
| 漏气阀及角阀 | 1.6尺寸为ICF70,连接6mm塑料管。1个气动角阀用于快速进样室,可连接分子泵。 |
2 | 制备室 | 2.1材料为不锈钢304,腔体外径为203mm,内壁需进行电化学抛光处理。 |
| 真空度 | 2.2烘焙后真空度≥3×10-10Torr |
| 安放台 | 2.3安放台上能够安放4个样品架和4个针尖架。安放台上有一个样品架可以进行加热。 |
★ | 样品加热 | 2.4直流电加热:1300 deg. C |
| | 2.4.1电子束轰击加热:1000 deg. C |
| | 2.4.2 电子子束样品尺寸:4*4mm,高度1mm |
| | 2.5可旋转的操纵台(电子束加热或者直接通电流加热无法同时进行):用于RHEED和样品生长,加热台(位于安放台下方)可以旋转让样品朝下。 |
| 传送杆 | 2.6使用磁力传送杆,在制备室和观察室之间进行样品和针尖的传送。 |
★ | 扩展法兰口 样品架 | 2.7 1个ICF 114和5个ICF70法兰用于生长,3个观察窗,1个ICF70和1个ICF152法兰用于安装RHEED,1个ICF70法兰用于真空规,4个ICF70法兰作为扩展法兰。法兰的规格、位置可根据客户的需求进行调整。离子泵和减震台之间的腔体增加ICF152法兰口,使用盲板封住,客户自行安装手阀以及分子泵 2.8 旗形样品托 |
3 | 观察室 | 3.1适用JT系统的样品架 |
| 真空腔 | 3.2材料为不锈钢304,腔体外径为353mm,内壁需进行电化学抛光处理。 |
| 真空度 | 3.3烘焙后液氮温度下真空度≥5.0×10-10Torr(室温) 2.0×10-10Torr(液体窒素温度以下) |
| | /安装后第一次烘焙需要两周 |
| | /通常烘焙需要一周 |
| 辐射防护屏 | 3.4SPM台由双层防护层包围。 |
| 液氦容器 | 3.5 10升液氦容器被安装在观察室的杜瓦腔里。 |
▲ | 液氦维持时间 | 3.6 在没有任何样品交换下,关闭隔热层上的开关的条件下,液氦的维持时间长于120个小时。(3T的磁场情况下) |
| 液氮容器 | 3.7 13升液氮容器,维持时间超过100个小时。(3T的磁场情况下) |
★ | 系统温度 | 3.8 使用液氮制冷最低温度:78K;使用液氦制冷最低温度:小于5K,扫描头安装有加热器,可以做变温实验。增加JT功能情况下1.4K以下 |
| 变温部分 | 3.9 杜瓦和扫描头之间安装有加热块,液体He使用時 5K-50K, (JT配置的情况下1.4K-50K)液氮情况下78K-100K, |
| 温度传感器 | 3.10 温度传感器冷台和样品台上,4K到室温。包含温度显示器。 |
| 液氦液面计 | 3.11 测量液氦余量 |
| SPM台 | 3.12内部减震,SPM台由螺旋弹簧悬挂安装。 |
| SPM扫描台 | 3.13 SPM扫描台安装在SPM冷台上,由XY粗动压电平台,Z粗动压电平台和精细扫描管压电组成。 探针扫描类型 |
| 样品台 | 3.14样品架安装在XY粗动偏压台上,样品可移动范围为直径2 mm,通过使用软件和远程控制,步长为50-100nm的控制可得到实现。 |
| Z方向精度 | 3.150.05纳米(78K温度下),0.01纳米(5K温度下) |
| XY方向精度 | 3.160.1纳米(78K温度下),0.05纳米(5K温度下) |
★ | 扫描范围 | 3.17室温下:最大的XY扫描范围:4.0um*4.0um,feedback Z:500nm@±220V 5K以下:最大的扫描范围:1.0um*1.0um,feedback Z:150nm@±220V 最大电压为230V |
★ | 位置传感器 | 3.18通过电容来定位针尖移动位置。 |
| 能量分辨率 | 3.19 低温下(1.4K以下)能量分辨率优于0.5meV; |
| 温飘 | 3.20 温度稳定后,78K温度下XY方向小于<2nm/hour,5K温度下<0.5nm/hour; 5K以下的最小电流<2pA |
▲ | 噪音 | 3.21 5K以下情况下,topo信号(FFT)小于2pm/√Hz |
| 样品架 | 3.22 3个DC样品架和3个EB样品架,此为标准件。 |
| 针尖架 | 3.23 5个 |
▲ | 变温功能 | 3.24 内蔵机械式温度开关结构,阻断STM头和杜瓦之间的热传导 低温温度控制器:PID制御控制加热控温 |
★ | JT冷却功能 | 3.25 ?用于冷却到液氦温度以下的JT冷却装置 最低温度低于1.4K *由于流入的热量增加,液氦和液氮的维持时间将比没有JT冷却功能的情况下短。 ?JT冷却的氦气循环装置 用于JT冷却环流的泵,气体处理以及循环冷却的阀门单元 |
★ | 3T超导磁铁 | 3T(20A)超导磁铁和控制电源 最大磁场:垂直于样品表面的3T *液氦和液氮的保留时间将比没有磁铁功能的情况下短,因为磁铁引线的热流入增加。 |
| 真空系统 | |
| 真空规 | 3.26 包含3个离子真空规安装于快速进样室,制备室和观察室。 |
| 真空阀门 | 3.27 2个ICF114手动闸板阀分别连接在快速进样室于制备室之间以及制备室于观察室之间;1个ICF152的气动角阀连接在分子泵与快速进样室之间。 |
| 离子泵及钛泵 | 3.28 组合泵安装于观察室。 |
| | 3.29组合泵安装于制备室。 |
| | 3.离子泵控制器及2个TSP控制器。 |
| 分子泵及干泵 | 3.31 250L/sec的分子泵和>100L/min的涡旋真空泵安装于快速进样室; |
4 | 减震台 | 4.1 四条气垫腿安装有被动减震装置。 |
| 台面尺寸 | 4.2 1000mm W×800mm D×750mm H |
| 重量 | 4.3700Kg |
| 氮气或者压缩空气 | 4.4 氮气瓶及10Kg/cm2 的减压阀需由用户自行准备,通过外径6mm的塑料管进行连接。 |
5▲ | SPM控制器 | 5.1 SPM控制器 |
6 | 配件 | |
| 液氦输液管 | 6.1 1根。 |
| 探针 | 6.2包含10根铂铱针尖。 |
| 样品安装工具 | 6.3 1套。 |
| 工具箱 | 6.4 1个。 |
| 照明光源 | 6.5 LED照明光源及ICF70卡套:1套 |
| 直流电源 | 6.6 直流电源 (APS100) |
| 烘烤系统 | 6.7加热丝及sensor安装在真空腔上,另外提供7根加热带 |
| 安装手册 | 6.8 1套。 |
7 | 追加配件 | |
| 电子束轰击针尖加热(EBT100) | 7.1用于针尖清洁。包含一个高压控制器。 |
| 电子束加热样品加热电源EBM100 | 7.2 高压加热电源用于电子束样品加热;高压:0-1.5keV,发射电流0-100mA可控,带灯丝电源,用于发射电流。 |
| 3Kv离子枪及电源 | 7.3 安装于制备腔,对针尖和样品进行清洁。。 |
| 制备室的低温生长台 | 7.4在X、Y、Z方向移动和角度旋转调节的低温生长台; 7.4.1液氦制冷:40K以下; 7.4.2液氮制冷:100K以下; |
| 5电极升级 | 7.5 样品架上有5个电极触点和相应的STM样品架插座的支架。 支架的耐热性低于200°C,不可能进行直流加热和电子束加热。数量2个样品架 |