科研仪器设备(第一百二十批)国际招标公告(1)-0625-214021008031
科研仪器设备(第一百二十批)国际招标公告(1)-0625-214021008031
序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | 电感耦合等离子体金属刻蚀机 | 1套 | 该设备主要由刻蚀腔体、进样室、下电极、射频等离子体源及自动匹配单元、气路系统、真空系统、冷水机、控制单元等组成。设备功能:通过感应耦合(ICP)方式产生高密度等离子体,在Si衬底或化合物半导体的金属薄膜电极上形成数百纳米至微米一下的电极图案结构,可以根据反应气体的配比、反应的压力衬底温度、在掩膜材料的帮助下,对金属暴露区进行选择性的刻蚀,即将光刻胶掩膜或介质硬掩膜制成的图形转移刻蚀到金属电极上。 | |
2 | 电感耦合等离子体化合物刻蚀机 | 1套 | 该设备主要由刻蚀腔体、进样室、下电极、射频等离子体源及自动匹配单元、气路系统、真空系统、冷水机、控制单元等组成。设备功能:通过感应耦合(ICP)方式产生高密度等离子体,在化合物半导体材料或薄膜上形成数百纳米至微米一下的图案结构,可以根据反应气体的配比、反应的压力衬底温度、在掩膜材料的帮助下,对化合物材料进行选择性的刻蚀,即将光刻胶掩膜或介质硬掩膜制成的图形转移刻蚀到化合物材料或薄膜上。 | |
3 | 低温等离子增强化学气相沉积设备 | 1套 | 反应腔上电极加热,不低于200℃,下电极电阻,不低于400℃;配备有观察窗口,本底真空1E-4Pa,漏率≤ 1E-8mPaM3/s;自动真空进样装置(LoadLock)可传载8英寸及以下样片,本底真空≤10Pa,漏率:≤ 1E-8PaM3/s;样品台支持加工8英寸圆片,4英寸、3英寸、2英寸以及更小其他小尺寸不规则衬底的载片设计。 |
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