品牌

奥极因、FHI、SUPERALD

型号

SJ-N8、FA100、E200SP

技术规格及参数

1. 工作条件
1.1 电源电压：AC 380V±10%，50Hz，三相五线
1.2长时间连续工作（满足7×24，即每周7天、每天24小时运行）
2. 设备基础规格
2.1适用于8英寸、6英寸、4英寸、3英寸、2英寸及破片加工
2.2设备运行过程中，整机外壳温度均不高于60℃，以保证操作的安全性
2.3.1真空腔材质为316L不锈钢，漏率≤ 5×10-10mbar·L/s，腔体表面经过电解抛光处理
2.3.2 样品台室温至500℃可控，尺寸不小于φ200mm，可放样品高度不小于10mm
2.3.3腔体进气方式：前驱体蒸汽通过喷淋头进入真空腔，蒸汽自上而下流经衬底
*2.3.4腔体开关方式：可通过界面操作系统自动开关腔门，配备安全互锁检测功能，确保腔门在安全状态下开关；耐腐蚀O-ring密封
*2.3.5腔体具备快速开关真空隔离装置，防止前驱体气体和等离子体活性自由基交叉污染，避免污染电感耦合等离子体反应装置
2.3.6 真空腔体上方具备独立的反应气扩散区域，配备活动式结构，腔体上方所有结构可完全打开，便于清洁
2.3.7 反应腔体内部配备可更换式内衬，维护时便于更换
2.3.8设备本底真空度≤5×10-3 Torr
2.4.1 至少配备7路前驱体源管路：2路常温源、4路加热源（不低于150℃）、1路高温加热源（不低于200℃）
2.4.2 每个前驱体源气路至少配备1个源瓶（≥250mL）和2个进口阀门
2.4.3 阀门配备安全互锁检测功能，在真空腔门打开时处于强制关闭状态，防止前驱体暴露在空气中
2.4.4 至少配备2路反应物管路，反应物包含H2O、NH3、等，每路反应物管路分别配备1个ALD专用阀门，阀门最高耐温不小于180℃ ，ALD专用阀门其隔膜材质为钴基超级合金，阀体材质为316L VIM-VAR不锈钢，密封处泄漏率不大于1 × 10-9 std cm3/s
2.4.5 反应物NH3管路需加配微调阀，微调阀采用带金属阀座的垫圈用于本体密封，机体材料为316不锈钢
2.4.6 反应物H2O管路配备1个经过电解抛光处理且体积不小于75mL的不锈钢源瓶
2.4.7 前驱体管路配有载气（N2或Ar），载气管路前端需配备计量调压阀、气动阀等
2.4.8 吹扫管路采用1个质量流量控制器和1个进口阀门(阀门最高耐温不小于150℃)用于控制惰性气体
2.4.9 管路及接头均采用EP级电解抛光不锈钢材料，所有气体管路连接处采用金属VCR密封
*2.4.10 管路排布符合工业标准，从源瓶到真空腔的所有管路配备加热箱，保证管路、阀门等位置受热均匀
2.5 源瓶系统：室温至150℃可控，控制精度：±1℃
*2.6 加热箱：室温至150℃可控，控制精度：±1℃，要求所有管路放置在加热箱内实现一体式加热，加热箱内管路温度均匀性±3℃
2.7采用固态继电器用于控制加热，符合 UL、CSA、ROHS标准
2.8真空泵采用双级油封式旋片真空泵，抽速60m3/h，噪音不大于60dB
2.9真空测量：至少配备2个真空压力计，包含一个高真空压力计(量程范围：0.005-10Torr)和一个大气真空压力计(量程范围：0.5-1000Torr)
2.10真空压力计采用薄膜规，要求高精度，长寿命，必须对腐蚀性介质具有极高的耐受性，可在工艺进行的同时进行压力监测，，精度：±0.25%读数；响应时间：<20ms；分辨率：≤0.005%FS；符合CE，ROHS 规范
3. 设备软硬件规格
3.1控制系统配备工控机和PLC，工控机配备SSD固态硬盘，安装正版操作系统；PLC可支持2ms扫描周期
3.2输入设备配备鼠标、键盘和触摸显示器，显示器尺寸不小于19inch，可360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停
3.3界面操作系统支持历史数据、报警日志的存储和导入导出功能
3.4界面操作系统需实时展示系统加热状态、所有阀门开关状态、腔室压力状态
3.5界面操作系统具备配方编辑功能，可对工艺参数沉积温度、循环次数、脉冲时间等进行编辑
3.6用户可设定设备及工艺运行时的报警参数，包括但不限于温度、压力、流量等
3.7用户可设定设备及工艺运行时的提醒参数，包括前驱体源用量追踪及提醒功能
3.8界面操作系统具备用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，针对操作人员分级管理
3.9界面操作系统支持多个配方交替运行，实现单一和多层薄膜材料的制备
3.10界面操作系统可自动完成Thermal-ALD和PEALD的单一或多层配方运行
3.11界面操作系统配备独立的维护界面，所有管路具备自动清洗功能，确保ALD阀门与真空腔之间的管路没有前驱体残留
3.12阀门配备电磁阀，电磁阀响应时间<5ms，带过电压保护回路，带动作指示灯
3.13电气硬件互锁设计包含CDA等硬件互锁（Interlock）功能，防止误操作的发生，保证设备和人身安全
4. 等离子体系统
4.1 采用电感耦合(ICP)远程等离子体激发源
*4.2 配备射频电源，频率13.56MHz，功率不小于1000W，冷却方式为风冷。功率输出稳定度及功率调节精度不大于10W，功率转化效率不小于65%，，杂散功率抑制不小于-60dBc，谐波抑制不小于-50dBc
4.3 配备自动匹配器，可自动进行阻抗匹配，缩短匹配时间
4.4 配备自动匹配器集成步进马达和驱动器，集成VI传感器，传感器具备检测射频功率输出端参数功能，匹配时间不大于3s
4.5 配备4路气体管路，包含N2、O2、H2、NH3
4.6 每路气体管路配备1个进口阀门和1个质量流量控制器
*4.7 等离子体工艺启辉窗口，功率范围30-1000W，压力范围0.05-1.0Torr
5. 热阱加热器
5.1设备配备热阱加热器用于处理反应残余气
5.2热阱加热器内部阱芯可更换
5.3热阱加热器最高可加热温度不小于400℃，控温精度±1℃
6.工艺及服务
6.1.1 提供Al2O3工艺配方
6.1.2工艺验收标准：8英寸（Φ200mm）单晶硅片基底上沉积30nm Al2O3薄膜，薄膜的不均匀性＜2％（均匀九点）
6.1.3具备独立的工艺部门，为客户提供原子层沉积工艺技术支持.

售后及质保要求

1.质保期：中标人提供制造商免费质保【1】年。
2.维修响应时间：提供设备报修电话及联系人，招标人报修后，【2】小时内响应，【24】小时内派员上门现场维护，并在【72】小时内解决问题，如在规定时间内不能解决设备故障，应提供相同档次、功能的设备给招标人代用。