6英寸纳米压印设备/双面掩膜对准紫外曝光机招标公告
6英寸纳米压印设备/双面掩膜对准紫外曝光机招标公告
根据国家采购与招投标法律法规的有关规定,武汉大学对6英寸纳米压印设备/双面掩膜对准紫外曝光机设备进行公开招标,欢迎具备相应资质和实力的供应商参加投标。现将有关事项公告如下:
一、招标范围:6英寸纳米压印设备/双面掩膜对准紫外曝光机(主要技术指标:见附件)
二、供应商资格要求
投标人必须是中国境内注册的独立法人,不能是法人联合体。
三、获取招标文件的时间、地点
1、获取招标文件时间: 2014年11月19日至 2014 年11月26日上午9:00-11:00,下午2:30-4:30(北京时间,节假日除外);外地可信箱my_foot@163.com报名(公司名称,所投项目名称,联系人及电话等)
2、获取招标文件地点:武汉大学采购与招投标管理中心 405 室;
四、投标截止时间、开标时间及地点
1、递交投标文件时间: 2014年11月27日上午8:00至8:30 (北京时间)
2、投标截止及开标时间: 2014 年11月27日上午9:00 (北京时间)
3、投标、开标地点:武汉大学采购与招投标管理中心
五、采购人、联系人、技术负责人等。
采购人名称:武汉大学
采购联系人:张伟 陈阜新 联系电话:********
采购项目技术负责人:管志强 联系电话:186*****793
武汉大学采购与招投标管理中心
2014- 11 - 17
附件一 6 英寸纳米压印设备
纳米压印技术要求
纳米压印设备的功能,是利用施加极大的外部压力和紫外固化技术,来实现模版到衬底的高精度大面积的纳米级别的图案及结构复制和转移。
1 . 进口品牌
2. 压印区域
能够使用从1英寸直径到6英寸直径范围的模板和衬底进行压印。能够使用在此范围内的不同大小的衬底和模板。
*3.加压技术
能够压印厚度低至50nm的压印胶,并能够得到薄的和均匀的压印剩余胶(±20nm)。该系统必须建立在气压软加压技术上,其在压印模板和衬底上施加均匀的压力,必须通过在其中一面使用压缩气体而另一面作为固定基准面来实现。
*4.压力
压印模板和衬底间的压力必须由压缩空气或氮气来施加,能提供高至70-80bar的压印压力。
5.热压印
加热装置必须能够进行温度高至200 °C的压印。控温精度±2°C。
加热速率:≥100k/min;
降温速率:≥50k/min;
*6.可扩展至紫外压印
该系统必须能够兼容紫外压印,并保证能同时和原位使用热压印和紫外压印。
7. 适用范围
该系统必须至少能够使用镍、硅、石英制成的压印模板,以及各种不同的衬底材料,包括:Si、石英、GaAs、聚合物薄片等。
商务要求
* 有完善的售后及技术支持体系,在国内有成熟的用户。
数量一套
附件二 双面掩膜对准紫外曝光机
双面掩膜对准紫外曝光机技术参数
1 进口品牌
2 设备要求及主要规格参数:
2.1 光刻线条分辨率:对于1微米厚的光刻胶,
分辨率小于0.6微米@vacuum contact mode;
分辨率小于1.0微米@hard contact mode;
分辨率小于2微米@ soft contact mode;
设备验收时须完成实际工艺验收。
2.2 曝光模式:应支持Proximity Gap、软接触、硬接触、真空接触曝光模式;
2.3 光源:350 W或以上近紫外光源,波长范围350nm-450nm
2.4 光强稳定性:开机后10分钟内光路系统达到稳定状态;
2.5 光源尺寸:适用最大直径6英寸晶圆的曝光工艺;
2.6 光强控制:365/436nm波长处恒光强和恒功率选择控制,光强和功率可调;
365 nm 波段最大输出不小于:18 mW/cm2
400 nm 波段最大输出不小于: 30 mW/cm2
436 nm 波段最大输出不小于: 8 mW/cm2
设备验收须完成实际测量验收
2.7 光源均匀性:
6英寸直径面积内<±3%;
4英寸直径面积内<±2%;
2英寸直径面积内<±1%;
设备验收须完成实际测量验收
2.8 曝光时间:0.1~999.9s连续可调,最小调节尺度0.1s;
2.9 半自动控制系统,PLC触屏控制,可实现除上片和对准外的功能自动化。具备一键找平功能,可实现掩膜夹具及基板夹具一键找平。无需手动找平。
2.10 正面对准系统配备双CCD分离视场放大系统,放大倍数从90倍到600倍连续可调。显微系统配备双CCD显示器,大于17英寸。配备棱镜对准装置,最小(左右)双视场对准间距小于等于10mm。正面对准精度±1微米。
2.11 对准模块X/Y轴移动范围±12.5毫米,移动精度0.5微米;,转动角度范围±5°。
2.12 掩膜版夹具可自由转动±45度以方便预对准。
2.13 背面对准系统,配备光学放大及双CCD,光源照明系统,并配有X,Y,Z轴调节装置,后对准具备图像抓取、图像存储等处理功能。。背面对准精度±2微米。
2.14 正面对准夹具:
l 1个2英寸基片夹具,可适用于2英寸及碎片,具有预对准标记
l 1个4英寸基片夹具,可适用于2英寸、3英寸、4英寸圆片及碎片,具有预对准标记
l 1个6英寸基片夹具,可适用于5英寸、6英寸、具有预对准标记,
2.15 背面对准夹具:
l 1个2英寸背对准基片夹具,可适用于2英寸及碎片,
l 1个4英寸背对准基片夹具,可适用于2英寸、3英寸、4英寸圆片及碎片,
l 1个6英寸背对准基片夹具,可适用于5英寸、6英寸
2.16 掩膜版装载夹具:3x3英寸,5x5英寸,7x7英寸,标准掩模版装载夹具各1个,基片曝光区域为圆形开口。
2.17 须支持SU8厚胶工艺,100um厚胶深宽比大于5:1,设备验收须完成实际工艺验收
2.18 具有温度报警等安全设置。
2.19 配备备品备件包,包括2个备用汞灯。
数量一套
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