原子层沉积系统反应和真空系统-技术参数(JJ20220781)采购公告
原子层沉积系统反应和真空系统-技术参数(JJ20220781)采购公告
项目名称 | 原子层沉积系统反应和真空系统-技术参数 | 项目编号 | JJ******** |
---|---|---|---|
公告开始日期 | 165*****54000 | 公告截止日期 | 165*****00000 |
采购单位 | 重庆大学 | 付款方式 | 货到付款 |
联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
签约时间要求 | 无 | 到货时间要求 | 合同签订120个工作日内 |
预 算 | 无 | ||
收货地址 | 重庆大学虎溪校区第一实验楼量子实验室1楼 | ||
供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 |
采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
---|---|---|---|
原子层沉积系统反应和真空系统-技术参数 | 1 | 台 | 其他仪器 |
品牌 | kemicro |
---|---|
型号 | TALD-150R |
品牌2 | 无 |
型号 | 无 |
品牌3 | 无 |
型号 | 无 |
预算 | 无 |
技术参数及配置要求 | 1.腔室与样品台:用于原子层沉积(ALD)的水平流单腔腔室,腔盖有保温隔热套;.样品台配有可拆卸片托,可放下晶圆尺寸不小于6英寸;反应温度:最高400℃,温度控制精度±1℃;2.真空系统:整机极限真空<5E-3Torr,真空漏率<5E-7 Pa·L/S;额定抽速>16m3/h,泵前配置有截止阀;真空泵前级需配置热阱,用于吸附、分解未反应的前驱体源,加热温度不低于500℃,控制精度不大于±1℃;真空计前需有过滤网以及气动隔膜阀;3.控制系统:配备自动控制系统,满足高精度ALD沉积需求;需配备可视化的操作界面,实时显示系统各部分运行状态,可方便的调节温度、流量、脉冲时间等参数,编辑并保存配方参数;多用户权限分配,软硬件互锁,异常报警、紧急停机等功能确保安全性;4.沉积模式:至少需配备连续模式、停流模式;5.验收工艺:在 6英寸晶圆上以厂家提供的工艺配方沉积 300 循环氧化铪,以晶圆上至少 5 个均匀分散点(上、下、左、右、中心 5 点,每两点间距不小于 15 毫米)进行膜厚测试,膜厚非均匀性≤±1.5%为合格; |
售后服务 | 电话支持:5x24小时;质保期限:1年;响应时间:8小时;发票类型:增值税专用发票;质保金:无; |
招标
|
- 关注我们可获得更多采购需求 |
关注 |
最近搜索
无
热门搜索
无