微纳器件表面氧化处理及镀膜系统（A-WZBX0597）采购公告
微纳器件表面氧化处理及镀膜系统（A-WZBX0597）采购公告
| 项目名称 | 微纳器件表面氧化处理及镀膜系统 | 项目编号 | A-WZBX0597 |
|---|---|---|---|
| 公告开始日期 | 166*****65000 | 公告截止日期 | 166*****00000 |
| 采购单位 | 厦门大学 | 付款方式 | 无 |
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 签约时间要求 | 无 | 到货时间要求 | 无 |
| 预 算 | ******.0 | ||
| 收货地址 | 凌峰电镜楼104 | ||
| 供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 | ||
| 采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 微纳米器件表面氧化及镀膜系统 | 1 | 台 | 无 |
| 品牌 | 无 |
|---|---|
| 型号 | 无 |
| 品牌2 | 无 |
| 型号 | 无 |
| 品牌3 | 无 |
| 型号 | 无 |
| 预算 | ******.0 |
| 技术参数及配置要求 | 四、评标办法说明本项目评标采用综合评分法，评分标准如下：1、技术和服务部分评分F1（满分53分）。1-1根据采购响应供应商所响应货物产品的技术参数、性能指标、软件功能对采购文件各项基本技术参数、性能指标、软件功能要求的逐项响应承诺情况进行打分，“技术参数”中带有“▲”号标注的重要参数（16项），每满足一项得3分，未提供证明材料或证明材料不正确则不得分；检验证书原件中标后需能提供备查。总分 481-2考虑到设备系统的后期的维护，要求五年以上保修得5分，三年保修得3分，其他不得分。总分 52、商务部分F2（满分12分）。2-1采购响应供应商能够提供本地化服务的得2分，否则不得分。采购响应供应商应对此作出书面承诺并加盖谈判响应供应商公章。2分2-2类似业绩：根据报价设备2020年1月至今（以合同签订时间为准）的销售业绩的有效证明文件进行评价，有效证明文件包括： ①中标（成交）公告（提供相关网站中标（成交）公告的下载网页及其网址）； ②中标（成交）通知书复印件； ③采购合同文本复印件； ④能够证明该业绩项目已经采购人验收合格的相关证明文件复印件。 以上材料要求原件备查，如未按照招标文件要求提供该项业绩完整资料的，采购小组对该项业绩将不予采信。 每个有效业绩得1分，满分5分。2-3采购响应供应商提供的售后服务体系完备情况、服务人员配备情况；售后服务方案合理可行的为优可得2分、售后服务方案基本合理可行的为良可得1分、售后服务方案可行性一般的得0.5分，售后服务方案可行性较差的不得分。2分2-4根据采购响应供应商在采购文件中承诺对采购人进行培训的计划（培训内容包含本项目方案原理、主要产品技术构成、规划运维方案、应急操作流程、日常故障处置流程等）进行评价，培训方案详尽完整、针对性强为优得3分，培训方案完整、针对性中等为良得2分，培训方案基本完整、针对性弱为一般得1分。采购响应供应商未提供相关方案不得分。3分3、价格部分F3（满分35分）。3.1评审价（1）算术错误修正（2）漏（缺）项修正：如采购响应供应商的最后报价存在漏（缺）项的，则以修正后的价格作为计算评审价的依据。（3）评审价：评审价是指对供应商最后报价经算术错误修正、漏（缺）项修正后确定的价格。评审价＝最后报价±算术错误修正数＋漏（缺）项修正数3.2采购基准价及价格分采购基准价计算方法采用低价优先法，即满足采购文件要求且评审价最低的报价作为采购基准价，其价格分为满分。其他供应商采购报价得分按下列公式计算：采购报价得分F3=35×采购基准价/供应商的评审价4、各合格采购响应供应商综合得分F=F1+F2+F3。附件：微纳器件表面氧化处理及镀膜系统采购参数与配置要求▲1.工艺配置要求 LPCVD 工艺：单管，4 英寸,自动送片：悬臂, 适用晶片4"-6";在低压状态下，分子平均自由程长，气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定均匀固体膜（如氮化硅、多晶硅、氧化硅等等）。▲2.工艺气体：N2、NH3、SiH2Cl2、TEOS等▲3.1氮化硅淀积（Si3N4）：典型工艺气路（具体根据用户的工艺要求调整）.参考工艺：3NH3+4SiH4 → Si3N4+12H2(～67Pa/700-900℃)3SiH2Cl2+4NH3→Si3N4+6HCl+6H2(～67Pa/750-950℃)--本次采用▲3.2二氧化硅淀积（SiO2）：提供典型工艺气路（具体根据用户的工艺要求调整）.方式一：SiH4 + O2→SiO2 + 2H2(～100Pa/445℃)方式二：Si(OC2H5)4 →SiO2+4C2H4+2H2O(130～400Pa/700-750℃)Si(OC2H5)4+O2+N2→SiO2+4C2H4+2H2O(27～40Pa/700-750℃)方式三：SiH2Cl2-N2O 体系等（典型薄膜淀积工艺，具体可根据客户的情况作相应的调整）▲3.3多晶硅淀积（P-Si）典型工艺气路（具体根据用户的工艺要求调整）.参考工艺类型：SiH4 →Si+2H2(～67Pa/600-750℃)▲4.界面人机关系良好：彩色液晶对话窗口（液晶触摸屏）；控制过程全自动，勿需人工干预（可人工手动操作）；▲5.测温范围：室温～1600℃ ；自动恒温区、具有PID 自整定功能，温度曲线的生、恒、降全自动；▲6.数据输入：触摸屏软件盘/键盘/鼠标均可；报警功能：全功能的安全监测及报警功能；▲7.可存储20+条工艺曲线（可再多），每条工艺曲线最多可达几十步。过程参数的记录，历史曲线、报警记录等；▲8. 配置对应工艺气路（对应相应的工艺）；▲9.可显示当前工艺参数、工作状态：如炉温、设定温度、压力、功率输出大小、流量、舟的位置、阀门状态等等▲10. 工艺管路采用进口阀门管见组成-气密性好、耐腐蚀、无污染（管路均采用电/化学抛光管路），流量控制采用质量流量计（MFC）进口。▲11、主机（加热体、石英（反应）管)、真空及测量系统、送片（悬臂）工作台、气路系统（气源柜）、计算机控系统、压力控制系统等组成。▲12、真空泵组，各管独立。▲13.膜厚均匀性:Si3N4:片内≤2% 片间≤2% 批间≤2%P-Si:片内≤2% 片间≤2% 批间≤2%SiO2:片内≤2% 片间≤2% 批间≤2%▲14. 配套可选：特气柜、尾气处理、二次配管等（选配）。 |
| 售后服务 | 商品承诺:送货上门/安装调试/技术培训;要求三年免费保修; |
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