复旦大学芯片高密度堆叠耦合设备国际招标公告(1)-2000-224HG2206006
复旦大学芯片高密度堆叠耦合设备国际招标公告(1)-2000-224HG2206006
序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | 芯片高密度堆叠耦合设备 | 1 | 3.1设备主要组成系统包含主机、显微对准系统、压焊臂、承片台、非接触式光学调平系统、计算机控制系统、工艺参数自动记录系统、甲酸处理系统、设备校准工具包等。3.2主要技术参数:3.2.1设备总体要求3.2.1.1结构与主体设备主体采用气浮式结构、花岗岩框架,需确保结构的长期稳定性和可靠性,需具备集成一体式减震系统,最大程度降低周围环境对系统的干扰;3.2.1.2操作系统需基于Windows操作系统的图形化控制软件,自由进行设备控制、工艺编程和工艺记录。3.2.1.3垂直焊臂(1)★键合完成后精度:达到或优于±1μm(在典型工艺条件下);(2)★键合压力范围: 0.6-2000N;(3)压力分辨率:0.6-60N(分辨率0.06N);60-2000N(分辨率2N);(4)★焊臂只做Z轴方向运动,X-Y方向需完全固定,确保键合精度;(5)★焊臂Z轴方向移动范围:≥160mm,控制精度达到或优于1μm;无刷电机驱动;(6)★焊臂温控范围:室温达到或优于—450℃;精度达到或优于1℃,由陶瓷基板加温,循环空气降温,水冷恒温装置;加热器材质:r陶瓷材料,CTE: ~10-8或更优(7)可承载芯片最大尺寸:达到或优于50mm×50mm.3.2.1.4高精度承载台(1)承片台负责X-Y方向的高精度移动和对准,需具有快速移动和精细调整两种工作模式,分别用于芯片的快速移动和精细对准;(2)承片台移动范围:≥250 mm×250 mm,分辨率达到或优于1μm,由步进电机驱动;(3)承片台精调范围:25μm×25μm,分辨率达到或优于0.1μm,步进电机驱动;(4)承片台旋转:旋转范围≥±5°,分辨率达到或优于8.3μradian,步进电机驱动;(5)承片台与焊臂独立温控,具备独立设置温度和升降温速率;(6)★温控范围:达到或优于室温—450℃,分辨率达到或优于1℃;由陶瓷基板加温,循环空气降温,水冷恒温装置,加热器材质:陶瓷材料,CTE: ~10-8或更优(7)承片台可承载基板最大尺寸:达到或优于50mm×50mm.3.2.1.5高精度垂直双光路对准显微系统(1)垂直双光路同轴式显微系统, 需在对准时同时对上下芯片进行观察,并且确保观察与对准过程中上下光轴的同轴性;(2)显微对准系统:至少包含一对物镜10X;视场:达到或优于700×500μm;数码变焦;(3)★视场分辨率:达到或优于0.44μm/Pixel;(4)★显微对准系统内置非接触式光学准直仪,用于显微镜准直的自动精确调整,测量分辨率达到或优于21μradian/Pixel;(5)★显微镜全自动校准功能,需要自动进行精度校准和显微镜姿态精细调整;(6)全自动对准功能,需实现芯片上图形的全自动识别、抓取和对准。3.2.1.6高精度非接触式光学自动调平系统(1)★用于芯片上2—8个点的高精度调平;调平过程非接触式光学测量,不可接触芯片或基板;焊头调平装置移动范围:≥±0,5°;(2)测量光斑尺寸:≤10μm;(3)★测量精度:达到或优于0.05μm.3.2.1.7甲酸处理系统(1)配置甲酸加热容器和甲酸安全灌注装置,需配有液位侦测装置和用于控制气流和浓度的专用阀门;(2)半封闭式回流腔体:气体喷嘴需将工艺气体水平喷向芯片;配置排气环,将反应气体抽出,并需设有专用的甲酸泄露和报警安全装置;反应室外部氮气需配置保护气幕,防止外部氧气进入回流腔体,并防止甲酸气体外泄;(3)★气体加热功能,气体进入回流腔体前需进行加热,温度范围:达到或优于室温至120℃.3.2.1.8芯片SiC夹具(1)★材质:SiC(2)厚度达到或优于3.5mm. 数量:2个(1对)(3)需用于芯片或基板,尺寸可定制,且满足使用要求.3.2.1.9工艺参数自动记录系统(1)数模转换装置,需自动生成Log文件;(2)工艺过程中所有工艺参数需自动记录;(3)工艺记录数据存储在系统硬盘中,并可实现导出。3.2.1.10其他附件要求(1)包含系统校准工具套组,包括:2个标准石英芯片、2个配套SiC夹具、2个托盘。(2)专用冷水机,用于温控装置的冷却与恒温。(3)需具备远程诊断功能,必要时可通过互联网进行远程故障分析和诊断。 |
标签: 芯片
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