序号

货物名称

技术参数及要求

单位

数量

所属行业

备注（请在此栏备注“进口或强制节能”）

1

电解双喷减薄仪

1、本设备可独立实现将样品减薄到纳米级厚度。

2、操作方式：触摸屏操作且电解液温度和电流变化曲线实时显示。

3、减薄过程中电压、电流单独控制：电解电流范围不低于0～1000mA，电解电压范围不低于0～120V。

4、电解液注入量：100～500 ml。

★5、穿孔尺寸（感光灵敏度）：0～200。

6、液泵调速：0～120级。

7、样品穿孔后自动关闭电源和循环泵，并发出警报。

8、冷却方式：外接低温冷却循环机。

9、低温冷却循环机：制冷温度为-40℃~室温。

10、具有辅助电压/电流扫描功能，以获取样品的阳极极化曲线。

11、可存储和调用多组参数。

12、配带EBSD专用夹具，以制备直径10～15mm、厚度1～2mm金属材料的EBSD样品。

台

1

工业

2

石英管高真空密封机

1、本设备可独立实现样品的无氧无水真空密封保存或高温固相合成，先将样品放入石英管内，再对石英管进行抽真空，最后利用氢氧机对石英管进行熔封，进行高温固相合成或低温冷冻保藏。
2、封管工位:1个。
3、密封石英管外径:15mm。
4、工作真空:不低于10-5Pa。
5、真空管道接口:KF快接式。
■6、真空系统:分子泵和机械泵机组。
6.1、机械泵抽速：不小于2m3/h。
6.2、分子泵抽速：不小于90L/s。
6.3、极限真空：不高于10-5Pa。
7、排气充气测压计测压范围：105～10-6Pa。
8、密封方式：氢氧机600L/h。
9、配件：万向节支架、试管架、点火器、火焰枪。
10、供电电压:220V。

台

1

工业

3

万能试验机

1、本设备可独立实现将样品在相应的实验温度下进行拉伸、压缩测试。

2、整体精度0.5级。

3、系统具有实时的非线性修正、超载和超差自行诊断和自动保护功能、电机过流、过热、漏电、急停、限位、超温、超载、横梁行程超限报警、试验载荷瞬间改变时载荷传感器自动保护功能。

4、控制器自带硬盘，试验数据能够在控制器内进行存储，以防断电时丢失。

5、系统出现保护或故障而停机时，应有相应的指示，以提醒操作者或维修人员快速有效地检查原因和排除故障。

6、控制器能够准确跟踪控制信号，控制方法需包含例如动/静踏步法、端值补偿、相位补偿、峰谷指补偿、自适应反相控制补偿等。

★7、炉子设计合理，能270°以上自由旋转移位，不用时方便拆卸。

8、最大试验力：≥100kN。

9、示值精度等级：0.5级。

10、试验力测量范围：0.4%～100%FS。

11、试验力示值相对误差：≤±0.5%。

■12、控制系统采样频率：≥1000Hz。

13、试验力分辨率：最大试验力的1/******。

14、变形测量范围：0.2%～100% FS。

15、变形示值相对误差：±0.5%FS。

16、变形测量分辨力：0.001mm。

17、位移测量相对误差：±0.5%FS。

●18、位移速度调节范围：0.001～250mm/min（任意调节）。

19、位移测量分辨力：0.001 mm。

20、力控速率调节范围：0.005%～5%FS/S。

21、力控速率精度：≤±0.5%（设定值）。

22、变形速率调节范围：0.005%～5%FS/S。

23、变形控制速率精度：速率＜0.5%FS/S。

24、试验空间：≥1000mm。

25、有效拉伸宽度：≥600mm。

★26、工作温度：≤1350℃。

■27、均热区长度：300～600mm。

★28、炉膛尺寸：≥φ150×320mm或按客户需求执行。

29、移动架行程:25mm。

30、定位精度:0.01mm。

31、主轴转数:0～600R/min。

32、锯片直径:100×0.3×12.7mm。

33、最大切割直径:30mm。

34、配置：

34.1、主机1台（不小于27寸三星显示器，内存不小于32G，显卡不小于6G）。

34.2、高温炉1台。

34.3、高温常温用拉伸、压缩配件各1套。

34.4、试验软件1套。

34.5、高精度负荷传感器1只。

34.6、引伸计50/5，1只。

34.7、切割机一台（移动架行程:25mm；定位精度:0.01mm；主轴转数:0～600R/min；金刚石锯片直径:100×0.3×12.7mm；最大切割直径:30mm。）。

34.8、数据处理机1台；打印复印扫描一体机一台；桌椅一套

工具箱一套。

台

1

工业

4

工作站

1、本设备可独立实现微观材料的计算及图形呈现。

★2、处理器：两颗性能不低于Intel Xeon Glod8280（28C，205W，2.7GHz）处理器。

3、芯片组：Intel C621系列及以上芯片组。

4、内存：不小于512G 2666MHz内存，不少于16个内存插槽，最大支持1TBGB内存 ，支持ECC高级内存保护技术。

5、硬盘：不小于1块2T M2 SSD+16T STA，不少于4个3.5英寸硬盘位，不少于2个M2 SSD硬盘位。

6、Raid：RAID 0，1，5，10板载Intel控制器，SATA6Gb/s；RAID 0，1，5，10；同时支持对M.2 SSD 做Raid 0，1，5，10。

7、显卡：性能不低于2块RTXA6000（48G）；最大支持3块P6000或GP100。

8、声卡：集成声卡。

9、网卡：双千兆网卡。

10、键鼠：USB键盘鼠标套装。

11、接口：不少于10个USB接口（前置不少于4个USB 3.0接口，后置不少于6个USB接口）、不少于2个PS/2接口。

12、扩展槽位：配置≥5个PCI-E3.0 ×16，≥3个PCI-E3.0×4，≥8个插槽。

13、电源：性能不低于1400W 92%白金电源。

14、操作系统：预装WINDOWS 10。

15、机箱：不小于55L立式机箱，支持免工具拆卸、内嵌式把手设计；后面板挂锁环；有线锁插槽；有防入侵开关。

16、显示器：不低于31.5英寸；超高清4K；分辨率不低于3840*2160；屏幕刷新率不低于60Hz；对比度不低于1000:1；Type-C反向不低于65W充电；支持画中画PIP；可编程；140PPI；IPS广视角。

套

1

工业

5

感应炉

1、本设备可独立实现金属材料在多种气氛环境（真空、真空+气氛、保护气氛条件）下的快速搅拌熔炼、自动浇筑。

2、设备感应电源功率：15KW，30～80HZ（可自由调节功率）。

3、电源电压：380V、3相、50Hz。

4、设计温度：室温～1000℃。

5、工作温度：长时间工作温度800℃。

6、测温控温：程序仪表测温控温。

★7、功率调节：自动、手动功率实时调节，可切换使用。

8、坩埚容量：50～1000g（以铁7.8g/cm³），线圈和坩埚坩埚套可自由更换。

9、线圈：3个线圈（50～200g 1件，200～500g 1件，500～1000g 1件）。

10、坩埚：石墨坩埚，陶瓷坩埚。

★11、极限真空度：6.67×10^-4Pa（配置机械泵+分子泵真空系统）。

12、保护气氛：氮气、氩气≤0.05MPa（包含气瓶、减压阀、气体、连接辅材）。

13、搅拌：机械搅拌转速10～300r/min，配超声激励搅拌装置。

14、超声雾化平台：工作温度1000℃下，不同气氛环境下的，旋转圆盘超声金属雾化，且具有融化送料功能。

15、控制方式：触摸屏+plc。

16、腔室：采用全不锈钢水冷腔室。

17、冷却：环冷水机，且具备水温自动控制调节功能，保证外壳温度低于35℃。

18、浇筑：带倾倒装置，将熔好的试样倾倒在事先准备好的锭模内。

19、温度显示：实时。

套

1

工业

6

相控阵检测仪

1、本设备可独立实现非接触测厚与焊缝检测。

2、模式：可同时进行多组相控阵+TOFD检测。

3、焊缝图示：TKY焊缝图示。

4、焊缝检测：二次波翻转。

5、不低于64通道相控阵，同时具备不低于2组独立UT模块或不低于1个TOFD通道。

★6、负方波发射脉冲，脉宽精度不小于2.5ns。

★7、脉冲重复频率不小于20KHz，具备CAD导入模块。

8、带宽不低于0.5～15MHz，兼容多种频率的相控阵探头。

9、内置聚焦法则计算器，实现线性、扇形扫查。

10、聚焦方式可根据工件需求自由选择：深度聚焦，声程聚焦投影聚焦和任意面聚焦。

11、实时数据采集，在线或离线进行分析。

12、单组聚焦法则数不小于256个，多组时仪器总聚焦法则数不小于1024个。

13、具有配件(如自动扫查系统、矩阵探头、螺栓探头等)研发设计生产能力；应有配套探头加工生产线。

14、数据存储可选择SD卡或外接USB设备。

15、检测报告可在仪器上直接生成或在计算机上离线生成。

16、具备检测报告编辑模块并提供证明材料，可在仪器上直接生成，并且用户可设置、修改报告的模板、条目，在仪器上直接生成。

17、可对每个声束进行延迟及灵敏度校准。

18、对材料声速、楔块延迟和灵敏度、TCG曲线进行校准。

19、配备参考光标和测量光标，方便缺陷定位和数据记录。

20、不低于8.4寸彩色液晶触摸屏（屏幕分辨率不低于800×600），能在单组、多组检测中对A/B/S/C扫描进行交互分析。

21、具有平板对接焊缝，管道纵、环焊缝，螺栓多项模式组合检测等软件处理能力。

22、离线软件能分析处理仪器扫查后的数据，并能进行后期处理。

23、数据存储可以保存完整的A扫查数据、C扫描、S扫描图像均可离线合成。

台

1

工业

7

手持三维扫描仪

1、本设备用来侦测并分析现实世界中物体或环境的形状（几何构造）与外观数据（如颜色、表面反照率等性质）。

2、扫描方式：手持激光式，非接触式面扫描。

3、帧扫描区域：≥300mm×275mm。

4、扫描速率：≥******次/秒。

■5、景深：≥250mm（自动）。

6、工作距离：≥300mm。

7、测量范围（物件尺寸）：0.1～8米。

★8、测量精度：≤0.03mm。

9、数据采集传感器：高速、高精密工业级相机2台；内置微惯性传感器，实时输出设备位姿。

10、测量光源：14束交叉激光线+1束单独激光线，激光级别ClassII(人眼安全)。

11、拼接方式：系统整合“专业模式”全自动标志点拼接模块。

12、扫描方式：可变点距扫描，检测扫描数据配3D实验副机。

13、防抖设计：采用先进的防抖动算法，防止扫描过程中人为的抖动对误差的影响。

14、自动化：自动探测被扫描物体颜色材质，从而自动调节激光亮度及CCD曝光。

15、软件：

15.1、界面实时捕捉静态图像，一键截图功能。

15.2、可一键自动过滤扫描背景数据，自动删除杂点及过滤不良点云数据。

15.3、可变点距扫描，在同一次扫描中，可对点距进行灵活设置和改变。

15.4、自动调节系统参数，自适应各种材质/颜色表面的不同扫描对象，无需手动调节；系统自动跟踪识别标志点；全局误差控制模块，可对拼接后的误差进行全局控制。

15.5、内置网格处理控制参数人机交互界面，可对去除钉状物、精简、平滑、特征锐化等网格处理参数进行设置；可自动对三角网格数据进行补洞、去除钉状物、精简、平滑、特征锐化等处理。

15.6、导出结果为ASC，STL，OBJ等格式数据输出接口广泛,扫描的三维数据可以导入到三维检测软件中进行尺寸分析和生成三维检测报告，也可以导入到设计软件中进行快速建模以及混合建模。。

15.7、可同时识别3mm和6mm的目标点，可自由选择是否自动填补标志点。后处理完成后可更改扫描数据的分辨率。

★15.8、配备一个3d素材库，素材库数量须大于2万个，素材涵盖人物、卡通、教育、建筑、时尚、玩具、动物、植物、家居、工具、动漫游戏等类别，素材拥有20个以上特色专题，每个专题包含至少5个以上同类别优质素材。素材库包含网站及APP，APP同步支持安卓及IOS下载。（提供模型素材库电脑终端与手持移动终端《计算机软件著作权登记证书》复印件。）

15.9、采用三维引擎实现对三维模型、图片和文字的显示；采用Access数据库，可实现对对象的树状管理和从图片上选择区域进行切换等功能，从而实现对三维数据、图片和文字的有效管理。

15.10、能对三维数据进行多层次树状结构管理，实现从大场景到局部细节的有效管理；支持对三维模型、图片和文字的综合管理，并能相互切换；支持从图片上选择区域切换，用户可以随心所欲的浏览对象的每一个细节；截取高清晰的光照图信息。

15.11、实现对三维模型的分析如距离等进行量测，得到最准确的测绘资料。

15.12、数据库基于Windows操作系统，采用Access数据库管理系统对三维模型、照片、文字等文件路径进行管理，三维模型的支持格式为STL，OBJ，VRML，IGES，图片支持的格式为JPG，BMP，文字支持的格式为html。

套

1

工业

8

红外测温仪

1、800～3000℃，光纤式，激光瞄准，OQ25-B2，RS485。

2、附加配件：

2.1、HA14：适配于OQ25-B2的安装支架。

2.2、AV43：14芯专用电缆（弯角和直角），带RS485至USB转换器。

2.3、Regulus RD：PID控制器。

2.4、Wiring-Box：使测温仪RS485通过USB转接至电脑。

台

1

工业

9

脉冲激光沉积腔

1、系统的主要组成及技术指标
1.1 极限真空度：≤6.67×10^-5Pa(经烘烤除气后)；

★1.2 系统真空检漏漏率：≤5.0×10^-7
Pa.l/S；

1.3系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，20分钟可达到5×10^-3Pa；

1.4激光入射口到地面的距离为1200mm；1.5 系统主要由溅射真空室、旋转靶台、抗氧化基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。

2.1、溅射真空室组件
真空室采用球型真空室尺寸为Ф450mm，选用不锈钢材料制造，连接处由氩弧焊接，焊后消除应力处理，表面进行特殊工艺抛光处理，接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封。

RF200法兰接口：1个（靶组件）；

RF150法兰接口：2个（基片样品台组件、活开门组件）；

法兰接口：4个（激光入射窗口1个、红外测温窗口、观察窗口、空 1 个）；

法兰接口：3个（进气管路、充气阀、备用）；CF150 法兰接口：1个（接分子泵）；

CF50法兰接口：1个（空）；

CF35法兰接口：3个；

CF16法兰接口：3个；

RF35法兰接口：2个(旁抽)；

ZC16法兰接口：1个(低真空规管)；

★2.2、旋转靶台组件1套
每次可以装四块靶材，靶材尺寸：（i）Φ60mm 和（ii）Φ25mm；每块靶材可实现自转，转速 5～60 转/分，连续可调，由电机驱动磁力耦合机构控制；靶位公转换位机构，由电机驱动磁耦合机构控制；靶材屏蔽罩将4块靶材屏蔽，每次只有一个靶材露出溅射成膜，以避免靶材之间的交叉污染；
2.3、抗氧化基片加热台组件（2套）
基片尺寸：可放置φ2″基片；基片加热最高温度800℃±1℃，由热电偶闭环反馈控制，采用抗氧化材料作加热器；基片可连续回转，转速 5～60 转/分，电机驱动磁耦合机构控制；基片与靶台之间距离30～90mm可调，由腔外手动波纹管调节机构控制；手动控制样品挡板组件：1套；样品托4个；
2.4、窗口及法兰接口部件 1套
RF150带窗活开门：1套（其上有铰链、锁紧件、RF100观察窗）；

RF100石英玻璃窗口：1 块（可透过紫外 248nm 波段的JGS1石英玻璃，供激光入射使用）；

RF100红外石英玻璃窗口：1块（透过红外波段JGS3石英玻璃，供红外测温使用）；RF100光学玻璃窗口：1块；

CF35陶瓷封接引线法兰：1个（照明及内烘烤引线）；

盲法兰：RF10、CF16、CF35、CF50、RF100各1个；

CF16单芯陶瓷封接引线法兰：1个（高压放电电极）；

室内进气法兰 RF 接管D6：1套（其上有 RF10双面法兰、铜管、D6卡套、瓷管等）。
2.5、激光束扫描控制系统1套，二维扫描机械平台，两套电机控制，也可手动控制；
2.6、工作气路2路，100SCCM 质量流量控制器、充气阀RF16、管路、接头等；1 路（汇博隆）、充气阀 D6、管路、接头等；1 路（解除真空充氮气）。
2.7、抽气机组及阀门、管道 1 套；

复合分子泵及变频控制电源：1 台（抽速 600 升/秒，）；

直联机械泵：1 台（抽速 8升/秒）；KF40电磁压差阀：1台；

分子泵与机械泵软联接金属软管：1套；机械泵与真空室之间的旁抽管路、KF40 电磁隔断阀及角阀 RF35：1 套；

分子泵与真空室之间的旁抽管路及角阀KF40：1套；

CF150-B闸板阀：1台（用于分子泵与真空室隔离）；

2.8、安装机台架组件1套：安装机台架采用方钢型材焊接成，快卸围板表面喷塑处理；机台表面用不锈钢蒙皮装饰；并配有四只脚轮安装，即可固定，又可移动；
2.9、真空测量及电控系统1套：电源机柜：1台（含总控电源，有断电保护功能）；控制电源：1台（为机械泵、电磁阀等提供电源）；

产生氧等离子体的电离电源：1 套；

样品加热控温电源：2套（可实现程序控温）；

电机旋转电源：3 套；

加热烘烤及照明电源：1 套；

宽量程数显真空计：1套；】测量范围：1.0×10⁵Pa～1.0×10^-5Pa。

100SCCM质量流量显示器：1套；

激光扫描电源：1套；

分子泵控制电源：1套；
2.10、配件1套：无氧铜密封垫圈及管路规格及数量如下：

CF16：3个；

CF35：5个；

CF50：1个；

CF150：2个；

￠6mm 卡套：4套；

￠6mm 不锈钢管：6米；

氟橡胶密封圈：￠200mm：1个；

￠150mm：1个；

￠100mm：4个；

烘烤带：3条；

碘钨灯：5个；

样品加热丝：3套；

￠100mm 光学玻璃：1块；

小型不锈钢标件M3、M4：各 3个；

电器相关的保险丝：各10个。

2.11、计算机控制系统 1套
计算机控制系统由硬件卡、软件组成；计算机由商家提供，计算机参数：屏幕：不小于14英寸，分辨率不小于：2240×1400, CPU主频性能不低于：2.1GHz, CPU性能不低于Intel 酷睿 i7 1260P，内存容量不小于：16GB,重量不大于：1.12Kg。

控制的内容主要有公转换靶、靶自转、样品自转、样品控温、激光束扫描等控制。

个

1

工业

10

▲磁控溅射机

1、设备可适用于大学、研究院所、企业研发机构通用的磁控溅射教学、科研等；

★2、6+1工位，7片样品（无需更换工件盘）；3、配备冷却水循环系统：设有报警系统；

4、保护系统：对泵、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护；完善的逻辑程序互锁保护系统；

5、系统安全:通过软、硬件相互配合的传感技术、互锁技术、超时控制、智能监控、在线状态记忆、断点保护、安全日志、操作日志等设计，使设备的安全性、可靠性得到有效保证。不会因操作失误导致设备故障；

6、需提供完整的工艺解决方案及有效的镀膜工艺参数；

●7、红外加热器≥800℃；控温精度1℃；

8、不低于19寸液晶显示器；

9、倾斜靶共溅射方式镀膜，中心共溅射单工位Φ4英样品1片；

■10、垂直靶方式镀膜，环带垂直溅射6工位Φ2英寸样品6片；

11、中心工位自转，转速5～30rpm可调；★12、倾斜溅射：Φ4 英寸范围内，平面样品≤±5％；

★13、垂直溅射：Φ2英寸范围内：≤±5％；14、Ras≤1.3nm；

15、真空度：≤5.0××10^-5Pa；

16、硬度8.0Mohs；

17、每炉样品最大工艺次数：6次且相互间无污染；

18、泄漏率：5.0××10^-7Pa.l/s；

●19、DC1000W××2；

20、损伤阈值：10J/cm2；

21、可在不同材料衬底上沉积：包括但不限于金属材料、非金属、金属化合物、非金属化合物、半导体材料等薄膜；

22、支持射频磁控溅射方式镀膜；直流磁控溅射方式镀膜；磁控共溅射方式镀膜；倾斜靶方式磁控共溅射镀膜，垂直靶方式磁控溅射镀膜；

23、溅射距离调节范围：8-12cm；

24、通径：150mm；

25、泄漏率(Pa·m3/s)：≤1.3×10^-10；

26、PNP光电开关；

■27、样品下置，自上而下溅射，小样品、异形样品摆放方便；

28、可选样品上置，自下而上溅射。

29、控制方式：基于PLC及工控机的全自动、半自动控制方式；

30、包含安全报警系统；

31、自动压力控制系统；

■32、偏压电源：-300V××1；

33、系统停泵关机12小时后，真空度≤5Pa；34、系统充干燥N2解除真空，短时暴露大气后抽气至9.0××10^-5Pa≤30min；

■35、带角度调节Φ80mm磁控靶3只；

36、角度调节精度：1°；

●37、13.56MHz，600W，自动匹配×1；38、

压力:5.0×10^-2～1.0×10⁵Pa；0.1Pa～1×10⁴Pa±10%；

10×4Pa～1×10⁵Pa、5×10^-2Pa～0.1Pa±20%；

0.1Pa～1×10⁴Pa±2%；

39、自动控制系统1套。PLC及模块；

40、FormFactor：4U Rackmount；3.5External Bay 1；5.25 External Bay 3；Fan：1(12cm /77/ 82CFM)；LED Indicators：Power status and HDDactivity；Control：Power switchand system eset button；Operating Vibration：1 Grms；Non-Operating Vibration：2G；

41、真空腔体、样品架系统、机柜机架、辅助设施1套；

42、质量流量控制器3个；

■43、频率：34.9kHz，不低于750℃；

44、折射率：1.95；

45、平均功率：10W；

46、压缩比：1e9；

47、抽速：600L/s；

48、气载量：1200sccm；

49、极限压强：6E-7；

50、500L/min，6.7×10-1Pa，VG40；

51、继电器输出，无感负载；

52、测量范围：电阻：1.0×10⁵～1×0.1Pa；

冷规：0.1～1×10^-7Pa；

53、控制范围：电阻：2.5×10³～1×100Pa；

冷规：5×10-²～5×10-⁷Pa；

54、进气口：1/4″不锈钢管，双卡套连接；供气系统管路走向及安装工艺由客户决定。55、5-35℃，8L，600W；

56、0.75HP，22L；

57、外形、重量：不大于L1800mm×W900mm×H1900mm，700Kg；

58、电源：动力电60A 10KW三相五线制，并预留40A空开一个；市电10A、16A三头万能插座各一个；

59、气体各一瓶（含配套减压阀），具体规格由客户待定；

■60、定制高温样品台2件；

61、可扩展：考夫曼离子源系统(口径6em)；speedflo反应气体控制系统；偏压清洗与辅助沉积统；非平衡磁控溅射系统；晶控膜厚在线检测与镀膜终点控制系统；全光谱残余气体监控与析系统；

62、设备色调应符合实验中心整体风格，具体色调由客户待定。

63、若安置地点不满足设备的正常运行，中标方须按照国家标准GBT*****及设备生产厂家设备正常运行需求对实验室进行改造（包括门、墙、顶、水、供气、照明、强电、弱电、路由器、亚克力板文化墙等），投标人报价时综合考虑。

台

1

工业