制备芯片专用设备—氧化扩散、退火炉(JJ22001368)采购公告
制备芯片专用设备—氧化扩散、退火炉(JJ22001368)采购公告
项目名称 | 制备芯片专用设备—氧化扩散、退火炉 | 项目编号 | JJ******** |
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公告开始日期 | 167*****61000 | 公告截止日期 | 167*****00000 |
采购单位 | 东北大学 | 付款方式 | 货到验收合格后付全款 |
联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
签约时间要求 | 成交后60天 | 到货时间要求 | 签约后3天 |
预 算 | ******.0 | ||
收货地址 | 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号 | ||
供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 |
采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
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氧化扩散、退火炉 | 1 | 台 | 电工器材 |
品牌 | 赛瑞达 |
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型号 | 定制 |
品牌2 | 无 |
型号 | 无 |
品牌3 | 无 |
型号 | 无 |
预算 | ******.0 |
技术参数及配置要求 | 结构:双管结构;硅片规格:4、6寸兼容取送料方式:石英钩手动取送料工控机:三管配置一台工控机控制控制权限管理:三级权限管理控温方式: 三段SPIKE控温+手动拉温区可用恒温区长度:>400mm最高使用温度: 1180℃尾气排放:水浴氧化工艺尾气排毒箱排放,排气管设计有风量调节板。工作温度和精度:800-1180℃ ±0.5℃升温速率:100-600℃ >15℃/min600-1180℃>10℃/min降温速率:600-100℃ >3℃/min1180-600 >5℃/min气路器件:全部使用VCR结构连接水浴氧化气路配置:N2 MFC(10SLM)O2 MFC(10SLM)O2 MFC(5SLM)保护N2 针阀控制水浴加热器:国产水浴加热器工艺腔体管:石英腔体管晶舟:石英舟设备主要由排毒箱、加热炉柜、气源柜等部件组成。设备反应室置于加热炉体中,由工控机控制管内温度、流量、压力,工艺过程全自动控制,可实现远程控制。 |
售后服务 | 无 |
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