瑞萨半导体一期扩建项目后续工程

招 标 正 文
 

瑞萨半导体一期扩建项目后续工程

　　建设周期：2007年-2008年
　　
　　主要设备：单晶炉、切割机、磨片机、检测设备。
　　
　　项目简介：
　　该项目位于北京市海淀区上地信息产业基地，主要生产品种为MCU（Micro-ControlUnit，微控制器）封装测试产品，外形分为QFP（四边有引线扁平封装）、LQFP（薄型四边有引线扁平封装）、SOP（小尺寸封装）三种形式。
　　
　　该项目为一期扩建工程的后续工程，规划用地面积61353.15平方米，本期新增建筑面积4.519万平方米，在现有公司规划用地内进行，主要建筑物包括：第3栋生产厂房、第3栋水处理栋、废弃物置场、仓库、门卫等。
　　
　　项目总投资7.1364亿元。
　　
　　建设单位：瑞萨半导体（北京）有限公司
　　邮政地址：北京市海淀区上地信息产业基地八街七号
　　邮编：100085
　　联系人：赵冲
　　电话：***-********

联系人：郝工
电话：010-68960698
邮箱：1049263697@qq.com

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