多腔室新型高k金属栅ALD生长系统采购国际招标公告(1)-1069-234Z20230658
多腔室新型高k金属栅ALD生长系统采购国际招标公告(1)-1069-234Z20230658
序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | 多腔室新型高k金属栅ALD生长系统采购 | 1套 | 一、总体配置要求:*1、设备适用于最大8英寸晶圆。*2、设备配置构成:(1)一个热原子层沉积T-ALD反应腔模块、主要沉积氧化物;(2)一个等离子增强原子层沉积PEALD反应腔模块、主要沉积氧化物和氮氧化物;(3)一个等离子增强原子层沉积PEALD反应腔模块、主要沉积氮化物和金属;(4)一个四端口的转接腔模块、带机械手;(5)一个手动预真空室、用于手动送片二、技术指标要求:(一)热原子层沉积T-ALD反应腔模块:沉积氧化铝、氧化铪、氧化锆等氧化物薄膜。1、反应腔:(1)反应腔内壁经耐腐蚀处理;内壁加热温度≥120℃;(2)样品载物台直径≥215mm,兼容8英寸及以下的晶圆和不规则碎片;最高加热温度≥400℃; (3)配置不少于4路的独立的前驱体源入口;(4)配置独立的臭氧源入口;2、真空系统: (1)配置防腐蚀设计的罗茨干泵,抽速≥ 550 m3/hr;(2)反应腔本底真空≤1E-2 mbar;真空漏率≤2E-4 mbar?l/s;(3)配置薄膜电容真空计,分辨率为满量程的0.001%;(4)配置快速响应的自动节流阀,保持工艺过程中腔体内压力稳定;(5)真空管路配置冷阱Vapor trap;3、前驱体源系统:(1)配置至少4路液体/固体前体源管路及相应的300 ml前驱体罐;每路管路配置独立的阀门、ALD快速脉冲阀和温度传感器;(2)前驱体源管路种类至少为:2路带管路加热(最高200℃)的直抽管路;2路带管路加热(最高200℃)、前驱体罐加热(最高200℃)的直抽管路;(3)配置至少1路惰性气体(N2或Ar)载气管路、连接至每一路前驱体源管路;*(4)H2O管路的惰性气体(N2或Ar)载气管路须为单独一路;4、臭氧管路: (1)配置独立的臭氧管路,包括臭氧发生器、质量流量控制器MFC、气体探测器、阀门、控制机箱等。*(2)臭氧发生量:≥6 g/h;(二)等离子增强原子层沉积PEALD反应腔模块(1):沉积氧化铝、氧化铪、氧化钛等氧化物、以及氮氧铝等氮氧化物薄膜。1、反应腔:(1)反应腔内壁经耐腐蚀处理;内壁加热温度≥120℃;(2)样品载物台(下电极)直径≥215mm,兼容8英寸及以下的晶圆和不规则碎片;最高加热温度≥400℃;(3)配置不少于4路的独立的前驱体源入口;2、真空系统: (1)配置防腐蚀设计的罗茨干泵,抽速≥550 m3/hr;*(2)配置防腐蚀设计的涡轮分子泵,抽速≥340 L/s;(3)反应腔本底真空≤1E-5 mbar;真空漏率≤2E-4 mbar?l/s;(4)配置薄膜电容真空计,分辨率为满量程的0.001%;(5)配置快速响应的自动节流阀,保持工艺过程中腔体内压力稳定;(6)真空管路配置冷阱Vapor trap;3、前驱体源系统:(1)配置至少3路液体/固体前体源管路及相应的300 ml前驱体罐;每路管路配置独立的阀门、ALD快速脉冲阀和温度传感器;(2)前驱体源管路种类至少为:1路带管路加热(最高200℃)的直抽管路;1路带管路加热(最高200℃)、前驱体罐加热(最高200℃)的直抽管路;1路带管路加热(最高200℃)、前驱体罐加热(最高200℃)、并带起泡器Bubbler的起泡器管路;(3)配置至少1路惰性气体(N2或Ar)载气管路、连接至每一路前驱体源管路;(4)配置至少2路独立的气体源管路(O2,NH3);每路气体源管路须配有质量流量计(MFC)、颗粒过滤器和气体截止阀;对有毒/腐蚀性气体管路(NH3)须配有旁路bypass。3、等离子体源系统:(1)采用真正的远程等离子体方式,等离子体不直接照射于样品、防止对样品表面的损伤(包括离子轰击、紫外辐照所造成的损伤);(2)等离子体源的射频功率≥300 W,频率13.56MHz;(3)配有自动匹配盒,可通过固定匹配模式或者自动匹配模式稳定地起辉;*(4)配置计算机控制的自动隔离阀(等离子体快门);(三)等离子增强原子层沉积PEALD反应腔模块(2):沉积氮化铝、氮化钛等氮化物薄膜、铂等金属薄膜。1、反应腔:(1)反应腔内壁经耐腐蚀处理;内壁加热温度≥120℃;(2)样品载物台(下电极)直径≥215mm,兼容8英寸及以下的晶圆和不规则碎片;最高加热温度≥500℃;(3)配置不少于4路的独立的前驱体源入口;2、真空系统: (1)配置防腐蚀设计的罗茨干泵,抽速≥550 m3/hr;*(2)配置防腐蚀设计的涡轮分子泵,抽速≥340 L/s;(3)反应腔本底真空≤1E-5 mbar;真空漏率≤2E-4 mbar?l/s;(4)配置薄膜电容真空计,分辨率为满量程的0.001%;(5)配置快速响应的自动节流阀,保持工艺过程中腔体内压力稳定;(6)真空管路配置冷阱Vapor trap;3、前驱体源系统:(1)配置至少3路液体/固体前体源管路及相应的300 ml前驱体罐;每路管路配置独立的阀门、ALD快速脉冲阀和温度传感器;(2)前驱体源管路种类至少为:1路带管路加热(最高200℃)的直抽管路;2路带管路加热(最高200℃)、前驱体罐加热(最高200℃)、并带起泡器Bubbler的起泡器管路;(3)配置至少1路惰性气体(N2或Ar)载气管路、连接至每一路前驱体源管路;(4)配置至少4路独立的气体源管路(O2,N2, H2, NH3);每路气体源管路须配有质量流量计(MFC)、颗粒过滤器和气体截止阀;对有毒/腐蚀性气体管路(NH3)须配有旁路bypass。4、等离子体源系统:(1)采用真正的远程等离子体方式,等离子体不直接照射于样品、防止对样品表面的损伤(包括离子轰击、紫外辐照所造成的损伤);(2)等离子体源的射频功率≥300 W,频率13.56MHz;(3)配有自动匹配盒,可通过固定匹配模式或者自动匹配模式稳定地起辉;*(4)配置计算机控制的自动隔离阀(等离子体快门);(四)转接腔模块:(1)共4个端口;通过闸阀分别与3个反应腔模块、1个预真空室连接;(2)自动机械手,用于不同模块间传送样片;(3)上盖有透明观察窗口;(4)配置单独干泵和真空计,本底真空≤0.1 mbar,真空漏率≤5E-4 mbar?l/s;(五)预真空室:(1)通过闸阀与转接腔模块连接;配透明上盖;(2)用于手动传送8英寸晶圆或托盘;(3)配置单独干泵和真空计,本底真空≤0.1 mbar,真空漏率≤1E-3 mbar?l/s;(六)控制系统:系统须自动化操作,软件功能包括但不限于以下部分:权限管理、参数管理、手动控制、实时数据、数据记录、报警管理等。详见第八章 货物需求一览表及技术规格 | 预算金额:人民币850万元,项目编号:Z******** |
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