等离子体气相沉积设备旧机国际招标公告1/03
等离子体气相沉积设备旧机国际招标公告1/03
序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | 等离子体气相沉积设备(旧机) | 1台 | (1)PECVD—等离子体化学气相沉积的主要原理是借助射频使化学反应气体在工艺腔内解离,在局部形成等离子体。 (2)在SiNx3000 ? /a-Si 2000 ? /n+a-Si 500?膜层厚度条件下: 产能: ≥20片/小时 (PECVD-三层膜) 或同目前量产腔体 (3)在SiNx5000 ?膜层厚度条件下:产能: ≥ 25片/小时 (PECVD-一层膜) 或同目前量产腔体 | 0730-234*****0148/03 |
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