单芯片大容量存储器辐射效应仿真建模

单芯片大容量存储器辐射效应仿真建模

一、采购清单

可靠性/测试性/维修性

二、主要内容

标题: 单芯片大容量3D NAND Flash存储器辐射效应仿真建模
场次号: XJ023*****0540
发布时间: 2023-12-29 11:13:50 参与方式: 定向询价
出价方式: 一次性出价 操作员: 李海燕
联系人: 郑雪松 联系方式: 186*****910
付款方式: 验收合格付款 附件: 详见航天电子采购平台
备注: 请报价方按照附件任务技术要求报价,填写报价人,联系方式,报价时间,报价有效期(大于或等于此询价单要求的报价有效期),形成详细报价单后需加盖电子签章或者公章后作为附件上传。
供应商 产品名称 型号 规格 是否国产 标准 质量等级 封装形式 产品批次 备注 成交数量 最新报价(单价) 成交总价 到货日期 到站地点
哈尔滨工业大学 单芯片大容量3D NAND Flash存储器辐射效应仿真建模 见航天电子采购平台任务书 见航天电子采购平台任务书 见航天电子采购平台任务书 1.000次 ******.00元 ******.00元 2024-01-30 00:00:00 北京
西安电子科技大学 单芯片大容量3D NAND Flash存储器辐射效应仿真建模 见航天电子采购平台任务书 见航天电子采购平台任务书 见航天电子采购平台任务书 ******.00元 2024-12-31 00:00:00 北京
中国科学院近代物理研究所 单芯片大容量3D NAND Flash存储器辐射效应仿真建模 见航天电子采购平台任务书 见航天电子采购平台任务书 见航天电子采购平台任务书 ******.00元 2024-05-09 00:00:00 北京

三、响应方式

有意参加本项目的企业,请与本公告截止时间之前登录航天电子采购平台(www.ispacechina.com)与该项目采购人员联系。按照采购单位要求在提交截纸时间前提交询价响应文件,未按要求提交的视为无效响应。

公告截至日期2024-01-05

,哈尔滨,西安,中国科学院

标签: 仿真建模 3D 芯片

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