采购内容

数量

新型二维半导体等材料采购

见附件

1.报价一览表和报价明细表

按照本公告要求自行制作报价单（可参考报价模板）；（按照适用税率及计税依据、税费、含税总价进行报价，一次报出不得更改的价格；必须法定代表人或授权代理人签字或签章，并加盖单位公章；如无特殊原因，报价有效期应不少于30日；请注明公司联系人和联系方式）

2.营业执照或事业单位法人证书

提供复印件或扫描件，并加盖报价方的单位公章

3.银行开户信息表或开户许可证

提供复印件或扫描件，并加盖报价方的单位公章，开户信息表可自拟格式。

4.法定代表人资格证明书或法定代表人授权书

提供复印件或扫描件，并加盖报价方的单位公章，开户信息表可参考报价模版或自拟格式。法定代表人参与时提供法定代表人资格证明书（见报价模版），授权代表参与时提供法定代表人授权书（见报价模版）

5.承诺函

见报价模版

6.资格要求

无。

序号

名称

技术要求

数量

备注

一、新型二维半导体

1

2H-二硫化钼

2H相，尺寸8-10mm,生长方式：chemical vapor transport (CVT)

1

2

2H-二硒化钨

2H相，尺寸8-10mm,生长方式：chemical vapor transport (CVT)

1

3

2H-二碲化钼

2H相，尺寸8-10mm,生长方式：chemical vapor transport (CVT)

1

4

α-三硒化二铟

α相，尺寸8-10mm,生长方式：chemical vapor transport (CVT)

1

二、硅片

5

300 nm 硅片

尺寸：100mm;掺杂：P/B;晶面：（1-0-0）；电阻：≤0.005 Ω cm;硅厚度：525±25um；工艺：PRIME SILICON WAFER,单面抛光，双面半平光；二氧化硅厚度：300nm±10%；生长方式：单面干法热氧化

75

6

100 nm 硅片

尺寸：100mm;掺杂：P/B;晶面：（1-0-0）；电阻：≤0.005 ohm-cm;硅厚度：525±25um；工艺：PRIME SILICON WAFER,单面抛光，双面半平光；二氧化硅厚度：100nm±10%；生长方式：单面干法热氧化

50

三、掩膜板

7

氮化硅掩膜板

硅基，沟道精度3-5um，尺寸25mm*25mm

1

签订合同后，根据甲方提供的图纸制作