等离子增强型化学气相沉积设备-工艺腔国际招标公告1/02
等离子增强型化学气相沉积设备-工艺腔国际招标公告1/02
序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | 等离子增强型化学气相沉积设备-工艺腔 | 1台 | (1)PECVD(等离子增强型化学气相沉积)工艺用于形成非晶硅层(3Layer); (2)基板尺寸:1500mm (W) × 1850 mm(L) ;基板厚度:0.3~0.8mm; (3)设备可用于生产表面隔离层,覆盖层,非晶硅层薄膜,金属层间绝缘层,层间绝缘层和钝化层薄膜。 | 0730-244*****0011-02 |
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