采购项目名称：化合物半导体微纳结构工艺加工
采购单位：北京市清华大学
付款方式：合同签订后40%，到货后50%，验收合格后10%
签约时间要求：成交后5个工作日内
交货时间要求：签订合同后30个工作日内
交货地址：北京市清华大学
技术参数及配置要求：1、在直径4英寸外延片整片上进行周期性微纳结构加工，单个微纳结构阵列规模644×516，周期25 μm。每个周期结构中包含7×7个微结构，微结构周期2.8 μm，边长1.98 μm，深度700 nm。在每个阵列上进行台面刻蚀，台面边长22 μm，刻蚀深度4.58~4.7 μm 2、具备光刻板设计和加工能力，根据用户需求进行板图设计与加工 3、半导体材料刻蚀深度偏差小于50 nm，均匀性小于3% 4、阵列方块边长控制精度±0.05 μm 5、制备厚度500 nm SiO2钝化膜，折射率在1.46~1.465之间，厚度均匀性小于2% 6、欧姆金属AuGe /Ni/Au ( 100/20/100 nm)，一次性成膜，厚度均匀性小于3% 7、反射层金属溅射 Ti/Au (20 nm/300 nm)，一次性成膜，厚度均匀性小于3% 8、外圈环状电极>75 μm （300~400 μm）,外圈电极需保证边缘完整无缺陷，与周期性微纳结构电极共平面，且需与下接触层欧姆金属实现互联 9、单个微结构阵列器件整体区域比橙色区域两边各多出400~500 μm
质保期：12个月
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