某单位四种器件器材招标公告
某单位四种器件器材招标公告
序号 | 需求名称 | 需求类别 | 需求信息 | 供应商资质和能力要求 | 联系人和联系电话 |
1 | 国产D D R 3 L 颗粒 | 器件器材类 | 1)工作电压:VDD=VDDQ=1.283V~1.45V;2)存储容量:不小于8Gb; 3)存储结构:512Meg×16(64Meg×16×8 banks); 4)差分时钟输入:支持时钟频率800MHz; 5)CAS 延迟:支持可编程的CAS Latency;6)CAS 附加延迟:支持可编程的Additive Latency 7)工作温度:支持温度范围不小于-40℃~+85℃; 8)可编程突发长度:支持BC4 或BL8 9)片上阻抗:支持ODT 片上阻抗匹配功能; 10)封装形式:BGA96。 | 1)国产原厂; 2)具备完备的质量及品控体系; 3)产品国产自主可控等级C*级(含)以上。厂商提供自主可控等级和伪空包测试报告(证书),或者厂商承诺满足自主可控要求,并配合完成自主可控和伪空包审查。 4)产品成熟度和产能需满足我方要求; 5)提供良好的技术支持。 | 李先生1 3 8 1 4 2 8 5 2 7 0 王先生1 3 6 6 5 1 1 1 8 6 3 |
2 | 国产FP G A 芯片 | 器件器材类 | 1)可编程逻辑单元数:≥310K; 2)内部块RAM 总量:≥15Mb; 3)PCIE 硬核数:≥1 个,集成PCIExpress 模块,x8 Gen2;支持2.5Gb/s 和5Gb/s 链路速度;支持1、2、4、8 通道的连接方式;支持64 位、128 位的用户接口; 4)通用IO 引脚数:≥500,支持3.3V、2.5V、1.8V、1.5V、1.35V、1.2V 等I/O 电压标准; 5)时钟管理单元数:≥10; 6)DDR3L 接口位宽:≥64; 7)DDR3L 接口速率:≥1600MT/s; 8)支持配置模式:主串配置模式、从串配置模式、主并(SelectMAP)配置模式(x8、x16)、从并配置模式(x8、x16 和x32)、JTAG 配置模式、主SPI 配置模式、主BPI 配置模式; 9)工作温度范围:支持温度范围不小于-40℃~+85℃; 10)封装形式:FFG900; 11)开发工具:提供成熟可用的软件开发调试工具,支持DDR、PCIE、GPIO、PLL 和I2C 等常用IP Core。 12) 满足系统要求的其他技术指标。 | 1)国产原厂; 2)具备完备的质量及品控体系; 3)产品国产自主可控等级C*级(含)以上。厂商提供自主可控等级和伪空包测试报告(证书),或者厂商承诺满足自主可控要求,并配合完成自主可控和伪空包审查; 4)产品成熟度及产能需满足我方要求; 5)提供良好的技术支持。 | 李先生1 3 8 1 4 2 8 5 2 7 0 王先生1 3 6 6 5 1 1 1 8 6 3 |
3 | 国产陶瓷贴片电容(4 7 μ F) | 器件器材类 | 1)容值:47μ F; 2)容值精度:≤20%; 3)耐压值:耐压不低于25V; 4)封装形式:陶瓷封装,封装格式1210;5)温度范围:支持温度范围不小于-55℃~+85℃ 6)满足系统要求的其他技术指标。 | 1)国产原厂; 2)具备完备的质量及品控体系; 3)满足国产自主可控要求,厂商提供国产自主可控等级报告(证书),或厂商承诺符合自主可控要求,并 配合开展审查工作; 4)产品成熟度及产能满足我方要求; 5)提供良好的技术支持。 | 李先生1 3 8 1 4 2 8 5 2 7 0 王先生1 3 6 6 5 1 1 1 8 6 3 |
4 | 陶瓷贴片电容(2 2 0 μ F) | 器件器材类 | 1)容值:220μ F; 2)容值精度:≤20%; 3)封装形式:陶瓷封装,封装格式1210; 4)耐压值:耐压不低于6.3V; 5)温度范围:支持温度范围不小于-55℃~+85℃。 6)满足系统要求的其他技术指标。 | 1)国产原厂; 2)具备完备的质量及品控体系; 3)满足国产自主可控要求,厂商提供国产自主可控等级报告(证书),或厂商承诺符合自主可控要求,并 配合开展审查工作; 4)产品成熟度及产能需满足我方要求; 5)提供良好的技术支持 | 李先生1 3 8 1 4 2 8 5 2 7 0 王先生1 3 6 6 5 1 1 1 8 6 3 |
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