抗辐照接口FPGA、抗辐照FPGA刷新芯片、抗辐照单一来源公示
抗辐照接口FPGA、抗辐照FPGA刷新芯片、抗辐照单一来源公示
抗辐照接口FPGA、抗辐照FPGA刷新芯片、抗辐照NOR FLASH单一来源公示
(一)采购项目名称和内容
1、项目名称：
抗辐照接口FPGA、抗辐照FPGA刷新芯片、抗辐照NOR FLASH
2、项目简介：
在项目研制中，需要采购抗辐照接口FPGA、抗辐照FPGA刷新芯片、抗辐照NOR FLASH以完成计算机的设计与试制。因此，需要采购24块抗辐照接口FPGA、24块抗辐照FPGA刷新芯片、48块抗辐照NOR FLASH。
(二)拟采购的物资或服务的说明
1、采购物资
（1）采购明细
序号 | 设备名称 | 单位 | 数量 |
1 | 抗辐照接口FPGA | 块 | 24 |
2 | 抗辐照FPGA刷新芯片 | 块 | 24 |
3 | 抗辐照NOR FLASH | 块 | 48 |
（2）交付资料一览表：
序号 | 文件名称 | 单位 | 数量 |
1 | 装箱单 | 份 | 1 |
2 | 使用说明书 | 份 | 1 |
3 | 序列号登记表 | 份 | 1 |
4 | 符合标准证明书 | 份 | 1 |
（3）参数指标
序号 | 设备名称 | 性能参数 |
1 | 抗辐照接口FPGA | 1. JFM7VX690T-RT：输入输出接口组I/O bank数17个、用户输入输出接口I/O数850个 |
2. JFM7VX690T80-RT：输入输出接口组I/O bank数12个、用户输入输出接口I/O数600个 | ||
3. 芯片尺寸：24.174mm×19.269mm，芯片凸点使用solder bump工艺。 | ||
4. 器件采用倒装焊，非气密性的封装工艺。器件潮湿敏感，等级为MSL3 | ||
5. 芯片和基板间采用助焊剂进行倒装焊接。芯片背面和散热板（铜镀镍）间采用导热胶粘接固化，封装引脚为焊柱Sn10Pb90（无涂覆）。 | ||
6. 采用表面贴装陶瓷电容，温度范围（Tj）-55℃~125℃，外部电极镀镍锡。 | ||
2 | 抗辐照FPGA刷新芯片 | 1. 非FPGA接口VDD_PAD电源电压3.3V。 |
2. FPGA 接口 VDD_IO 电源电压支持 1.8V~3.3V宽电压域 | ||
3. 内核电源采用芯片内部LDO供电 | ||
4. HBM模式下ESD≥2000V | ||
| 5. 抗辐照性能： 稳态总剂量：≥1000Gy（Si）； 单粒子锁定（SEL）阈值：不小于 75MeV.cm2 /mg； 单粒子翻转（SEU）：翻转阈值不小于 37MeV. cm2 /mg 或翻转率优于 1×10-10errors/bit?day（GEO轨道，3mm 铝屏蔽） | ||
6. 工作温度：-55°C ~ +125°C | ||
7. 重量：5.90g±0.60g | ||
8. 封装形式：CCGA244 | ||
9. 时钟频率为：10MHz | ||
10. 支持特定的PROM、SPI FLASH、异步并行NOR FLASH存储器件 | ||
11. 支持复旦微电子公司研制的JFM4V、JFM7V、JFM7K系列FPGA器件 | ||
12. 支持Xilinx公司主流FPGA，包括VIRTEX2、VIRTEX4、VIRTEX5、VIRTEX6、VIRTEX7、KINTEX7系列 | ||
13. 支持联合并行模式（SelectMap接口）或者Daisy Chain模式（菊花链接口） | ||
3 | 抗辐照NOR FLASH | 1. 架构：单电源操作，使用3.3V电压进行读、编程和擦除操作 |
2. Vo控制：所有输入电平（地址、控制、DQ输入电平）和输出电平由Vo电压决定，Vo电压从1.65v~Vcc | ||
3. 灵活的扇区结构：- 256个64K字（128K字节）的扇区 | ||
4. 遵循JEDEC标准：管脚及软件兼容单电源Flash存储器标准 | ||
5. 1万次擦除 | ||
6. 等效20年数据保存 | ||
| 7. 高性能： 读速度：200ns;-8字/16字节页读缓存； 40ns页读时间； 32字/64字节写缓存，减少多字编程总时间 | ||
| 8. 低能耗（3.3V）： 6mA典型读电流（1MHz）； 40mA典型擦除/编程电流； 20uA典型静态电流 | ||
9. 封装：56脚CSOP | ||
10. ESD：人体模式，大于等于2000V | ||
| 11. 抗辐照指标： 抗辐照总剂量能力：≥150Krad ( Si)； 抗单粒子门锁阈值SEL (LET)：≥90MeV·cm2/mg； 单粒子翻转阈值（读模式)：LETth≥22 MeV-cm2lmg； 单粒子翻转率:5.67E-14次/位·天（GEO轨道，3mm铝屏蔽)，读模式； | ||
| 12. 软件： DQ#轮询位和翻转位提供内部状态； 跳过解锁（UNLOCK BYPASS）编程命令可以减少多字编程总时间； CFI(通用FLASH接口):允许系统识别和配置多个Flash器件 | ||
| 13. 硬件： WP#输入为低时对内部状态机进行异步复位，对全芯片写保护，保证WP#为低时器件强行处于待机模式； 硬件复位输入管脚（RESET#）可复位芯片； Ready/Busy#输出管脚（RY/BY#）监测编程或者擦除操作是否结束 |
2、服务说明
（1） 实施人员要求
技术支持工程师：高效能推理卡到购买方指定地方后，供应商安排有资质、有经验的工程师，负责开箱、安装和调试，解决测试故障以及其它调试阶段可能出现的意外情况。
（2） 安装调试等要求
a) 供应商须根据购买方通知的时间和地点，安排有经验、具备相应资质的工程技术人员免费进行安装调试，按照验收指标逐项测试，直至达到验收要求。
b) 供应商所有施工项目应符合国家安全法律法规，现场施工整洁、规范。
c) 产品及服务各项技术性能指标必须达到合同和技术文件规定的要求。
（3） 供货、安装周期及交货地点要求
a) 供应商负责所有产品及服务的供货与安装、调试，解决系统联调中相关技术问题。
b) 交货日期为采购合同正式签订后30天内。
c) 交货地点：购买方指定地点。
（4） 售后、质保、培训等要求
a) 质保期从调试验收合格并交付使用算起，满足存放条件情况下3年，质保期内原厂免费保修。质保期满后，设备使用寿命期内提供免费技术支持，终身提供设备成本价格的有偿设备故障维修更换服务，供应商须继续提供报价产品的终身维修保养服务。维修保养服务只收取零配件费，无零配件更换时不收费，软件免费升级。具体服务条款及费用收取，由购买方和供应商另行协商。
b) 供应商应有常用配件库和快速服务保障能力。故障设备、器件要求10个工作日内修复并返回，包含原厂工程师的现场安装服务。
c) 在设备使用寿命期内，供应商应保证购买方对设备的零配件、易损件的供应。在10天内买到必需的零配件。
d) 供应商负责对购买方的运维人员进行设备的安装、调试、维修保养培训。供应商需对购买方的操作人员及维护人员进行一次培训，使他们分别具有独立操作和仪器维护的能力，具体培训计划（时间、地点、人数）由供应商提供，其费用应包括在报价价格内。
e) 报价产品属于“三包”范围的，质保期不得低于“三包”规定；供应商质保期承诺优于国家规定的，按供应商实际承诺执行。
f) 质保期内，提供免费保修、定期维护和免费升级软件等服务，出现质量问题时，供应商须免费包修、包换、包退；因产品质量问题所发生的费用，以及给用户造成的损失，由供应商承担和赔偿。
g) 质保期内发生报价产品技术升级时，供应商应及时通知用户，如用户有相应需求，供应商和制造商须提供产品免费升级服务。
h) 如报价产品由制造商负责售后服务，供应商须在报价文件售后服务方案中明确说明，并附制造商出具的售后服务承诺。
i) 供应商或产品制造商须在当地设有满足售后服务要求的服务网点和技术支持体系；在质保期内，供应商提供7×24小时技术服务，售后响应时间小于2小时，48小时内恢复设备及系统稳定高效运行。过质保期，供应商须在24小时内做出响应，一般问题（小修）须在72小时内解决，重大问题（大修）须在1周内解决或提出用户认可的明确解决方案。
(三)拟定的唯一供应商名称、地址
由于上海复旦微电子集团股份有限公司已明确表示不直接参加单一来源采购谈判，由有关代理销售商参加，且相关产品存在多家代理销售商，无法指定唯一代理销售商，因此，为遴选到优质的供货商，拟通过发布公告的形式征集代理销售商，并与所有响应的代理销售商进行单一来源谈判，以满足资格条件且报价最低的代理销售商作为本次单一来源采购供货商。
(四)论证意见
已于2023年10月27日完成采购需求论证专家评审，专家组成为1名高级职称专家、2名副高级职称专家、2名中级职称专家。评审专家组一致同意“高效能推理卡”采购需求论证通过评审。
(五)公示期限
公示截止日期：2024年7月14日
(六)需求单位的联系地址、联系人和联系电话
需求单位地址：北京市丰台区丰台东大街53号院
联系人：黄炎
联系电话：166*****990
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