氧化镓-MOCVD系统
氧化镓-MOCVD系统
| 序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 落实政府采购政策情况 | 预算金额(元) | 预计采购日期 | 备注 |
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| 1 | 氧化镓-MOCVD系统 | 标的名称：氧化镓-MOCVD系统 标的数量：1.00 主要功能或目标：用于开展宽禁带半导体外延生长研究，可制备高质量宽禁带半导体材料，并实现掺杂。可生长量子阱，超晶格等精细结构，以及完整的器件结构，适用于生长各种尺度的单层膜或多层膜。可生长用于集成电路、半导体器件的高性能材料。 需满足的要求：宽禁带半导体外延生长MOCVD系统：设备配套有传送腔，反应腔，真空泵，气体输运管道，水冷、升温及温度控制、反应实时监控等。可进行6/8英寸宽禁带半导体材料生长。 | 面向中小企业采购 | *******.00 | 2024年10月 |
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