华南师范大学华南先进光电子研究院采购SiNx/SiOx沉积系统PECVD
华南师范大学华南先进光电子研究院采购SiNx/SiOx沉积系统PECVD
| 序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 落实政府采购政策情况 | 预算金额(元) | 预计采购日期 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 华南师范大学华南先进光电子研究院采购SiNx/SiOx沉积系统（PECVD） | 标的名称：SiNx/SiOx沉积系统（PECVD） 标的数量：1.00 主要功能或目标：兼容纳米级薄膜的均匀沉积或纳米结构表面修饰和洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长，并且可以膜厚具有很好的均一性和可控性。 需满足的要求：1、样片≥12 inch，支持SiH4（SiO2、SiNx、SiON、a-Si）和TEOS（SiO2）沉积； 2、高频（≥10MHz）电源的高密度等离子体工艺； 3、RT～350℃ ±5℃沉积加热； 4、片内和片间均匀性≤±3%； 5、粗糙度≤2nm； 7、基底温度 RT-400℃±1℃ ； 8、2路常温源，4路加热源，RT～200℃±1℃ ; 9、每路前驱体配置专用高速高温 ALD 阀。 | 按规定落实。 | *******.00 | 2024年10月 |
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