华中科技大学硅基光电晶体管工艺开发采购项目
华中科技大学硅基光电晶体管工艺开发采购项目
华中科技大学采购与招标中心(下称“采购中心”)对下列服务项目委托法正项目管理集团有限公司进行询比采购,欢迎符合资格条件的供应商参加。
一、采购项目信息1.项目名称:华中科技大学硅基光电晶体管工艺开发采购项目
2.项目编号:FZHB-*******-136、HW********
3.项目概况:本次项目要求见第六章项目需求,根据询比文件项目需求进行服务。采购清单如下:
序号 | 服务名称 | 说明 |
1 | SiO2衬底隔绝层图形化工艺开发 | SiO2层光刻刻蚀开发工艺(氧化硅层200±10nm) |
2 | 叉指源漏金属电极工艺开发 | 光刻套刻工艺及EBE-Cr/Au镀膜工艺开发 |
3 | Al2O3栅介质层淀积工艺开发 | ALD-Al2O3薄膜淀积工艺开发 |
4 | 叉指源漏金属电极工艺开发 | 光刻套刻工艺及EBE-Cr/Au镀膜工艺开发 |
4.预算金额:人民币98万元,报价超出采购预算则为无效响应。
二、供应商资格条件1.符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条的规定;
1.1具有独立承担民事责任的能力;
1.2具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度;
1.3具有履行合同所必需的设备和专业技术能力;
1.4有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录;
1.5参加政府采购活动前三年内,在经营活动中没有违法记录;
1.6法律、行政法规规定的其他条件。
2.供应商在“信用中国”网站(www.creditchina.gov.cn)、中国政府采购网(www.ccgp.gov.cn)查询无不良记录(以公告发布日期之后的查询结果为准)。
3.本项目不接受联合体响应。
三、询比文件售价及获取1.文件售价:每套售价人民币300元,售后不退。
2.报名方式:方式一:登录“法正集团招投标报名管理系统”(网址http://yb.fzjtcn.com:9999/login)注册并完成报名。(登录方式:选择“供应商身份”注册/登录系统,点击选中参与的项目先进行企业认证,认证审核通过后进行报名)。报名资料(①、三证合一营业执照或事业单位法人证书或个体工商户营业执照或自然人等证明文件;②法定代表人自己领取的,需法定代表人身份证明书及法定代表人身份证原件;法定代表人委托他人领取的,需法定代表人授权书及受托人身份证原件;③加盖公章报名表一份。)须上传加盖单位公章的扫描件,须清晰可辨认。经报名审核通过后,可选择购买或下载采购文件。逾期未下载造成本项目采购活动无法参加的,后果自负。方式二:现场获取。提供以上资料并加盖公章。
3.报名截止时间:2024年09月24日17:00(北京时间)
四、响应文件递交截止时间及地点1.递交截止时间:2024年09月27日上午9:30(北京时间)
2.递交地点:法正项目管理集团有限公司评标室(武汉市洪山区书城路170号SBI创意大厦1003室)。
五、响应文件开启时间及地点时间1.开启时间:2024年09月27日上午9:30(北京时间)
2.开启地点:法正项目管理集团有限公司评标室(武汉市洪山区书城路170号SBI创意大厦1003室)。
六、采购项目联系人联系人:吴老师,电话:027-********-602
七、采购中心联系方式1.采购人信息
名 称:华中科技大学
地址:湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
联系方式:李老师;027-********;hustcgzx@hust.edu.cn
2.采购代理机构信息
名 称:法正项目管理集团有限公司
地 址:武汉市洪山区书城路170号SBI创意大厦1003室
联系方式:高欣、汪沛、张翠粉、马振伟;027-********;fzjthubei@163.com
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