8英寸忆阻器阵列流片加工采购项目二次询比公告
8英寸忆阻器阵列流片加工采购项目二次询比公告
华中科技大学采购与招标中心(下称“采购中心”)对下列服务项目委托上海中世建设咨询有限公司进行询比采购,欢迎符合资格条件的供应商参加。
一、采购项目信息1.项目名称:华中科技大学8英寸忆阻器阵列流片加工采购项目(二次)
2.项目编号:招案2024-4418、HW********
3.项目概况:本次项目要求见第六章项目需求,根据询比文件项目需求进行服务。采购清单如下:
序号 | 服务名称 | 说明 |
1 | 金属电极工艺模块 | PVD-W 镀膜工艺开发 |
2 | 相变材料单点工艺 | PVD-GST镀膜及0.18 μm光刻刻蚀工艺开发 |
3 | 介质层小尺寸通孔工艺 | 金属电极阵列上 Si02介质层0.18 μm尺寸介质通孔光刻与刻蚀工艺开发 |
4 | 相变材料与通孔互连集成工艺模块 | W镀膜与 PVD-GST材料薄膜沉积填充小尺寸通孔互连 |
5 | 通孔型和T型相变材料阵列集成工艺全流程开发 | GST相变材料与阵列化金属电极垂直结构集成0.18 μm工艺全流程开发 |
4.预算金额:人民币91.99万元,报价超出采购预算则为无效响应。
1.符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条的规定;
1.1具有独立承担民事责任的能力;
1.2具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度;
1.3具有履行合同所必需的设备和专业技术能力;
1.4有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录;
1.5参加政府采购活动前三年内,在经营活动中没有违法记录;
1.6法律、行政法规规定的其他条件。
2.供应商在“信用中国”网站(www.creditchina.gov.cn)、中国政府采购网(www.ccgp.gov.cn)查询无不良记录(以公告发布日期之后的查询结果为准)。
3.本项目不接受联合体响应。
三、询比文件售价及获取1.文件售价:每套售价人民币300元,售后不退。
2.报名方式:线上方式:供应商关注“中世建咨”微信公众号,主界面右下角点击“领取文件”,按提示领取并下载采购文件;线下方式:在武汉市洪山区欢乐大道1号德成国贸中心(岳家嘴地铁站D出口)A座709室会议室,持法人授权委托书原件扫描/复印件(加盖公章)及受托人有效身份证明购买询比文件(法定节假日除外)
领取文件时需要提供的资料:法定代表人身份证明书或授权委托书(含被授权人身份证),资料中需写明供应商名称、项目名称、项目编号、法人姓名、授权人姓名(如有)、授权有效期限(如有)。
3.报名截止时间:2024年11月21日17:00(北京时间)
四、响应文件递交截止时间及地点1.递交截止时间:2024年11月22日上午9:30(北京时间)
2.递交地点:武汉市洪山区欢乐大道1号德成国贸中心(岳家嘴地铁站D出口)A座709室会议室。
五、响应文件开启时间及地点时间1.开启时间:2024年11月22日上午9:30(北京时间)
2.开启地点:武汉市洪山区欢乐大道1号德成国贸中心(岳家嘴地铁站D出口)A座709室会议室。
六、采购项目联系人联系人:余老师,电话:182*****123
七、采购中心联系方式1.采购人信息
名 称:华中科技大学
地 址:湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
联系方式:李老师;027-********;hustcgzx@hust.edu.cn
2.采购代理机构信息
名 称:上海中世建设咨询有限公司
地 址:武汉市洪山区欢乐大道1号德成国贸中心(岳家嘴地铁站D出口)A栋709室
联系方式:熊赣、王帆、董娜;027-********-808;027-********-801;xionggan@cwcc.net.cn
标签: 华中科技大学 8英寸
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