电子束曝光用纳米图形发生器系统采购公告
电子束曝光用纳米图形发生器系统采购公告
| 项目名称 | 电子束曝光用纳米图形发生器系统 | 项目编号 | HITSZWJ****** |
|---|---|---|---|
| 公告开始日期 | 173*****29000 | 公告截止日期 | 173*****00000 |
| 采购单位 | 哈尔滨工业大学（深圳） | 付款方式 | 签订合同后15天内付70%预付款，到货验收后支付尾款30% |
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 签约时间要求 | 成交后3个工作日内 | 到货时间要求 | 签约后120个工作日内 |
| 预 算 | ******.0 | ||
| 收货地址 | 哈尔滨工业大学（深圳） | ||
| 供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 | ||
| 采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 电子束曝光用纳米图形发生器系统 | 1 | 台 | 无 |
| 品牌 | 金竟科技 |
|---|---|
| 型号 | Pharos Ex |
| 品牌2 | 无 |
| 型号 | 无 |
| 品牌3 | 无 |
| 型号 | 无 |
| 预算 | ******.0 |
| 技术参数及配置要求 | 1、扫描刻写速度可达到20 MHz； 2、电子束最小驻留时间：50 纳秒； 3、写场尺寸：可设置成10μm-1000μm 4、刻写方式：矢量扫描刻写；写场尺寸(像素)的实际像素为：***********。 5、配置高精度压电纳米台；重量：150g；行程：36 mm；移动速度可达到5 mm/s；传感器分辨率：1.25 nm；闭环重复定位精度：5 nm；超高真空兼容：5X10-7 Pa 6、12位高性能，小温漂的DAC图形采集系统 7、匹配DSP高性能信号处理器，信号处理能力优于30M，支撑高效，高分辨的曝光 8、恒温抗干扰机箱，减少干扰，稳定性大大优于集成设备 9、线性电源和开关电源配合使用，输出波纹小，抗电磁干扰能力强 10、独立的X,Y模块，将干扰降到最小，同时进行隔离，屏蔽等处理 11、用于 X 和 Y 方向电子束偏转的两套 16 位高速数模转换和控制系统 12、带有匹配的束闸输入接口 13、配有适配器，使电镜，能谱，曝光互联和转接互不干扰 14、软件功能可实现：数字图像采集；可以图形拼接，可实现精准套刻、写场拼接；软件可控制曝光、工件台移动和束闸通断等功能；高精度工作台的控制和显示；具有对位标记识别能力，可实现标记检测、写场校正；读取图形文件格式：GDSII；图形及写场的分割处理等功能；曝光参数调整与计算功能；具备电子束曝光工艺列表；电子束曝光过程控制和进度显示；数据传输速度：320MB/s 15、配有22寸液晶显示器和PC图形控制系统一套 16、曝光测试： 1) 刻写极限线宽：≤80 nm 2) 拼接及套刻精度：优于100 nm |
| 售后服务 | 无 |
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