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南京南瑞半导体G12300IGBT研发批流片及掩模版采购
(招标编号：NARI-BDT-NW11-2024122401)
项目所在地区：江苏省，南京市
一、招标条件
本G12300
IGBT研发批流片及掩模版采购已由项目审批/核准/备案机关批准，项日资金来
源为其他资金48万，招标人为南京南瑞半导体有限公司。本项目已具备招标条
件，现招标方式为公开招标。
二、项目概况和招标范围
规模：项目建设单位为南京南瑞半导体有限公司或其所属单位（以下简称
“项目单位”；)，建设资金为企业自有资金，采购人为南京南瑞半导体有限
公司。项目已具备采购条件，现对该项目进行公开询价。
范围：本招标项目划分为1个标段，本次招标为其中的：
(001)标一包一
三、投标人资格要求
(001标一包一)的投标人资格能力要求：1.本次采购要求应答人须为中华人民
共和国境内依法注册的法人或其他组织，并在人员、设备、资金等方面具有承
担采购项目的能力。
2.具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度：
3.法定代表人或单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不
得参加同一标包应答或者未划分标包的同一采购项目应答：
4.应答截止日前，与采购人不存在尚未了结的诉讼案件：
5.不接受联合体应答：：
本项目不允许联合体投标，
四、招标文件的获取
获取时间：从2024年12月24日21时00分到2024年12月31日12时00分
获取方式：本项目在中国招标投标公告服务平台(http:/m,cebpubserv
ice.com)发布采购公告，采购文件（电子文件）见附件免费获取。
五、投标文件的递交
递交截止时间：2024年12月31日14时00分
递交方式：nari-bdt@sgepri.sgcc.com.cn电子上传文件递交
六、开标时间及地点
开标时间：2024年12月31日14时00分
开标地点：B8
七、其他
2.采购范围
2.1采购清单
序号采购内容数量单位技术要求备注
标1包1掩模版，G12300_V3MASK1批详见技术规范书
标1包11GBT流片，G12300_V350片详见技术规范书/
2.2合同包个数1个
2.3交付时间及地点：签订合同90天内安排备货、交付：具体地点按买方合同指
定地点。
八、监督部门
本招标项目的监督部门为综合办公室
九、联系方式
招标人：南京南瑞半导体有限公司
地址：南京市江宁区诚信大道19号
联系人：范
电话：025-81086044
电子邮件：fandongxiao@sgepri.sgcc.com.cn
招标代理机构：
地址：
联系人：
电话：
电子邮件：
招标人或其招标代理机构主要负责人（项目负责人》：也东签名
招标人或其招标代理机构：
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附件2
光刻版、流片采购商务条款及技术规范书
一、项目概述
项目单位：南京南瑞半导体有限公司
需求范围一览表
序号
需求内容
工作量数量
单位
备注
G12300 V3 MASK
片
50
片
二、项目进度要求
90日历天
三、项目团队要求
供应商技术团队应当具备3人以上的专业工艺整合工程师，此外
每个关键加工工艺都应具备相应的工艺工程师进行技术支持。供应
商技术团队工程师应具备相应的工作经验和学历背景。
供应商制造部门需对流片相关操作人员进行完整的上岗培训。
供应商其他支撑部门应有相应的专业人士配套支持。
四、技术加工要求
供应商提供的加工过程、物资参数等应满足相关技术需求，具
体如下表。
序号项目
技术需求
1、
膜图形中的各层掩膜图形能较好地套准。
2、
掩膜应尽可能做到无针孔、小岛和划痕等缺陷。
3、构成图形阵列的每一个微小图形要有高的图像质
量，即图形尺寸要准确，尽可能接近设计尺寸的要求
，且图形不发生畸变。
制版
4、版面平整、光洁、结实耐用。版子要坚固耐磨、
不易变形。图形应不易损坏。
5、图形边缘清晰、锐利，无毛刺，过渡区要小，即
充分光密度区（黑区）应尽可能陡直地过波到充分透明
区（白区）
1、可以满足8英寸IGBT/FRD晶圆加工过程需求，包
括光刻、刻蚀、薄膜、扩散、离子注入、背面工艺等
芯片加工全过程。
2、光刻：CD最小尺寸≤1um:光刻胶厚度可以满足5
umA1刻蚀以及>4um
BPSG台阶厚度的覆盖性：终端钝化PI保护胶满足绝
缘耐压>5000V的绝缘需求：满足单芯片≤5
2
晶圆加工
cm大小的芯片加工需求。具备背面光刻机，对位精
度≤3um。
3、注入：BP/As注入的剂量满足1EI1cm2~1EI6
cm2,能量在30KeV-2000
KeV:具备背面注BP能力。H注入的剂量满足1EI0
cm2~1E15cmr2,能量在350KeV-1500
KcV。注入旋转角（平边）0-45°。
4、扩散：满足温度≥1150℃的设备要求
5、薄膜：金属层厚度24um:氧化厚度满足21.6
m:氧化层厚度的片内和片间的均匀性控制在5
%以内。具备SRO,PESN薄膜制程。
6、刻蚀：满足CT,METAL,PAD千法刻蚀要求：满
足硅≥0.45um,CD≤5um的刻蚀需求。
7、背面工艺：具备减薄划片、激光退火、背面金属
背面B/PH注入等工艺设备。
8、晶圆片加工过程严格控制，确保不产生新的污染
及划伤等。
五、联络会及验收要求
依技术约定和设计要求生产产品的工作，包括从芯片正面背面工
艺加工，直至芯片电性参数测试完成的全过程。制造的芯片需要符合
所有相关的产品技术规范。
采购方提供或转移必要的参数，技术指标，工艺流程，质量与可
靠性的技术规范及其它与芯片有关的技术及生产要求。
验收IGBT芯片外观完整，性能符合CP规范。
大、项目交付物
G12300项目涉及的光刻版、流片。
七、交货时间和地点
于产品下线后90天内安排备货、交付：具体交货地点按买方合同
指定地点。
八、质保、培训及售后服务
供应商根据采购方提出的技术要求，完成全部样品服务，且样品
必须通过采购方测试验收后方算合格。在质量体系方面，采用质量管
理体系IS09001:2015标准，对过程和结果进行管控。
九、知识产权及保密要求
1、本项目实施过程中，由采购方提供的设计、工艺流程和工艺条
件分片细节、光刻版数据的知识产权，归采购方所有。
2、本项目实施过程中，所产生的工艺数据和最终芯片的CP测试数
据的知识产权，归双方共有，且由实施所产生的数据保存有效时间应
不少于5年。
3、供应商及其项目参与人员对技术开发过程中所接触到的采购方
的技术信息、商业秘密等尚未公开的有关信息、资料及研究所涉成果
负有保密义务。未经采购方书面同意，供应商及其项目参与人员不得
将上述信息、资料及研究所涉成果披露给任何第三方或用于本项目以
外的其他目的。
4、未经一方书面同意，另一方及其项目参与人员不得得双方共有
的包括但不限于数据资料在内的保密信息披露给任何第三方或用干
本项目以外的其他目的。
5、本项目下的保密义务自相关资料或信息以及研究所涉成果正式
向社会公开之日或采购方书面解除供应商本项目下保密义务之日起
终止。
十、付款方式
合同签订后，预付款100%。
十一、供应商资质要求
1、应具有独立订立合同和履行合同能力的中华人民共和国境内
注册的企业法人、事业法人或其他组织（提供法人营业执照、组织
机构代码证、税务登记证并加盖公章，原件备查)：
2、应具有良好的商用信誉和健全的财务会计制度：
3、未处于被贵令停业或者财产被接管、冻结和破产状态。未涉
及重大诉讼。未被认定有拖欠劳务工资行为、不正当竞争行为、欺
诈行为、商业贿赂等腐败行为并在处罚期内。
十二、标包划分及授标原则
一个标包
十三、评审办法
1.评标方法
本次评标采用最低评标价法。
联系人：郝工
电话：010-68960698
邮箱：1049263697@qq.com