1分辨率 *1.1信息分辨率:≤0.12nm 1.2点分辨率:≤0.25nm 2加速电压 *2.1加速电压:最高200kV;最低至少20kV 2.2 加速电压全程范围内切换仅需通过软件控制完成。 2.3 高压稳定性:≤ 1ppm/10min 3电子枪 3.1电子枪类型:肖特基场发射电子枪; *3.2 束流:1nm束斑电流 ≥ 2nA; 0.31nm束斑电流 ≥ 0.4nA; 3.3 束斑漂移:<1nm/min 3.4 最小能量分辨率:≤ 0.8eV 4 最小束斑尺寸 1.4.1 平行光照明模式:最小束斑 ≤ 1.0 nm *1.4.2 汇聚束照明模式:最小束斑 ≤ 0.3nm 5会聚束电子衍射(CBED) *5.1最大衍射角:≥ 12° (半角) 6 透镜 6.1 球差系数:≤1.5mm 6.2 色差系数:≤ 1.6 mm 6.3 最小聚焦步长:≤ 3nm *6.4 恒功率透镜 *6.5 全自动光阑系统 7 TEM放大系统 7.1 放大倍数:25 - 1,500,000倍 7.2 放大倍数重复性:< 1.5% 8 相机长度:最小 ≤ 14mm;最大 ≥ 5700mm 9 扫描透射(STEM) *9.1分辨率:0.16 nm 9.2探头:高角环形暗场探头(HAADF) 9.3 BF/DF探头 9.4 STEM放大倍数:150-230M倍 9.5 TEM与STEM模式相互切换后所需热稳定时间小于30秒 10 样品台 10.1最大倾斜角度:± 90° *10.2样品移动范围:X,Y ≥ 2 mm;Z : ±0.375 mm 10.3样品漂移速率(使用标准样品杆):≤ 0.5nm/min 10.4 XY方向压电陶瓷样品台 11 能谱仪探测器 *11.1 四个集成在极靴内的SDD 探头,每个探头晶体面积30mm2,无窗设计,快门保护 11.2 能量分辨率:≤136 eV (Mn-Ka),在输出计数率10kcps内保持不变 11.3 最大输入计数率:≥ 500Kcps 11.4 EDS立体角:≥ 0.90srad 11.5 可进行快速点、线、面扫描等分析 12 数字化照相系统 *12.1底装CMOS相机:像素********像素,像素大小:≥14um14um,拍摄速度: 30fps@4k x 4k 13真空系统 13.1 真空系统构成:完全无油真空系统,由机械泵、涡轮分子泵和3个离子泵等构成 *13.2 真空度:电子枪真空度:≤ 5.0*10-6 Pa;镜筒真空度:≤ 2.0*10-5 Pa; 13.3 典型换样时间小于1min; 14 三维重构系统技术指标: 14.1 样品杆最大倾角:± 70° 14.2 倾角最小步长:0.2° 14.3三维重硬件和软件: 三维重构硬件包含专用大倾角样品杆一套;三维重构软件包括:数据采集软件包(TEM模式、STEM模式和EDS模式),和数据对中重构及可视化处理软件包 14.4 最大图像漂移:X/Y方向 ≤ 2um (+/- 70°内倾转) 14.5 最大欠焦量变化:≤ 4um (+/- 70°内倾转) 14.6 重复性:≤ 400nm (样品杆重复3次进入) 14.7 能对样品杆进行初始化校准,并将所有坐标参数存储下来,供对中时用。 *14.8 可以实现TEM模式的三维重构和、扫描透射(STEM)模式和能谱仪(EDS)模式三维重构。 15电镜操作 15.1 数字化操作系统,基于Windows7的64位计算机控制系统, 在用户图形界面上完成电镜的操作控制。 15.2 能方便地实现常用功能, 包括样品移动、光束移动、放大倍数、模式切换、聚焦、合轴操作等。 15.3电镜操作者可以根据需要拥有一套或多套电镜状态参数,每套状态参数相互独立,可在使用过程中迅速切换调用。可设置任意多个用户,每个用户之间的参数设置相对独立,同时还可以相互调用。 *15.4 电镜操作者可以远程控制和操作电镜,不需要暗室。 16.配置要求 16.1 场发射透射电镜主机一台,包括: 16.2电子显微镜基本单元 1套 16.3 冷却水循环系统、压缩机及必要的外围附属设备1套 16.4提供CMOS、EDS必需的通信接口并完成TEM与CMOS、EDS的配合 1套 16.电镜控制计算机等 1套 16.6其它保证设备正常运行和保养所需的全套标准备品备件、专用工具 1套 16.7 一体化STEM系统(全套软硬件) 1套 16.8 洛仑兹透镜1套 16.9 四探头能谱仪系统及相关软件 1套 16.10 CMOS相机系统(全套软硬件) 1套 16.11 TEM、STEM、EDS三维重构系统软硬件 1套 16.12备用场发射灯丝一根 16.13电子全息系统1套 |