序号 | 货物名称 | 招标技术要求 |
1 | 等离子体增强化学气相沉积设备 | ★1.1: 制造商需要有超过30年的该等离子体设备的生产制造经验 |
★1.2:制造商在广州或深圳至少要有一名售后服务人员,便于及时到达现场服务。 |
★1.3:制造商需提供ISO9001:2008资格证书 |
★1.4:制造商需提供不少于10个同类产品销售案例(仅中国科研机构及大学) |
★1.5:投标商需提供不少于10个在南方科技大学的同等规模以上的设备销售案例 |
1.6 等离子增强化学气相沉积系统主要由以下几部分组成:反应腔室、上电极、下电极、射频源、真空系统、气路系统、控制系统与软件、配套附件等 |
1.7 要求整机原装 |
★1.8知名国际品牌射频源,如AE或Comdel,稳定的射频源(RF)和低频源(LF) |
★1.9 用于沉积高质量氮化硅、氧化硅薄膜 |
★1.10 反应腔室具备原位等离子体清洗功能 |
1.11 反应腔室由整块铝锭加工制成、无焊缝、低漏率 |
1.12反应腔室上盖可打开,并与下电极互锁,便于反应腔室的清洁和维护。同时需配有快锁装置和警示灯 |
★1.13 反应腔室极限真空≤5×10-4Torr |
★1.14反应腔室真空漏率≤5×10-4 mbar·L/s |
★1.15 上电极为铝制电极,配有射频与低频驱动,直径≥200mm |
1.16 上电极带showerhead的气体喷淋装置,所有气体通过上电极的showerhead 进入反应腔 |
★1.17 下电极为铝制电极,接地。下电极直径200-250mm |
1.18 样品直径最大8英寸。兼容3英寸、4英寸、6英寸以及碎片。 |
1.19 内置加热器,P.I.D.控温,温控范围最高可达380℃ |
1.20 上电极配射频源与低频源发生器及匹配单元,用于驱动上电极 |
★1.21知名国际品牌射频源,如AE或Comdel射频发生器:频率13.56 MHz,射频功率300~600 W,带冷却系统 |
★1.22知名国际品牌低频源,如AE或Comdel低频发生器:频率≥100KHZ,射频功率500W带冷却系统。 |
1.23反应腔室真空系统:知名品牌干泵,抽速600立方每小时,从大气抽到5×10-4Torr,时间小于15min |
1.24配置2Torr电容式真空计。 |
★1.25气路系统至少八路工艺气体,其中必须包括:沉积氮化硅、氧化硅和清洁反应腔所需工艺气体气路。 |
1.26每路工艺气路均配置数控型MFC、颗粒过滤器和气动截止阀。需使用国际知名品牌MFC,控制范围为满量程的2%~100%,控制精度:+/-1%设定值(20~100%量程);+/-0.2%设定值(2~20%量程) |
1.27 其中SiH4和NH3气路配置防腐蚀MFC和旁路设计 |
1.28工艺操作软件可通过程序控制气体流量、气压、射频功率、低频功率、下电极温度等工艺参数。工艺程序自动运行,也可人为控制。可编辑、调用、拷贝相关工艺程序,具有数据记录、输出功能 |
1.29 配置一台主流的品牌电脑,采用Win7 系统控制所有软件,对系统分级密码保护 |
1.30 根据用户设定能实时监控和记录工艺参数,方便用户分析验证工艺条件 |
1.31 设备配置紧急停止开关和完善的安全互锁功能 |
1.32 对于危险部件需有警示标识, 需有急停开关和相应的互锁系统 |
1.33 设备运行环境 电源: 3相 380V。 环境温度:20-25℃。 相对湿度: 40%-60% |
★1.34 SiO2沉积工艺验收条件: 沉积温度: 300℃ 沉积速率:>50nm/min 片内厚度均匀性: ≤ ± 2% 片间厚度重复性:≤ ± 2% 折射率:1.46±0.02 片内折射率均匀性:≤ ± 5% 薄膜应力: ≤ 300 MPa compressive 腐蚀速率: <350nm/min(7:1 BHF@20℃) |
★1.35 Si3N4沉积工艺验收条件: 沉积温度: 300℃ 沉积速率:>10nm/min 片内厚度均匀性:≤ ± 2% 片间厚度重复性: ≤ ± 2% 折射率:1.98±0.02 片内折射率重复性: ≤ ± 5% 薄膜应力: ≤ 100 MPa 腐蚀速率: <150nm/min(7:1 BHF@20℃) |
1.36 安装调试:供方应在设备到用户现场后1周内,安排技术人员到用户现场免费安装和调试 |
★1.37 设备搬运:供方需提供设备搬运服务,搬运至使用方指定地点,并完成设备安装调试 |
1.38 技术培训:供方需对用户相关人员进行设备使用及维护培训 |
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