技术参数：

★样品尺寸:5mmx5mm～20mmx20mm

★样品厚度：<3mm

★测试温度:77K~425K

★测试材质：半导体类材质、如：Si,SiGe,SiC,ZnO,GaAs,InGaAs,InP,GaN,ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)

★磁场强度:0.68Tesla

稳定性:±1%（超过一年）

均匀度：±1%(从中心点至30mm直径圆范围内)

★磁极间隙：20mm

★输入电流：1nA～20mA

★霍尔电压范围:1μVto12V

★电阻率(？.㎝):10-5to107

★迁移率(cm2/Volt.sec):1～107

★载流子浓度(1/cm-3):107～1021

尺寸：主机W400*H360*D200mm

磁装置W140*H110mm*D114mm

★可根据样品尺寸提供各类型测试探针；

★系统可升级高低温控制系统，升级后高温可达773K；

★单一主机能够在常温环境下配合可调磁场装置进行测试（组件为可选配件）；

★单一主机可在常温环境下配合变磁场装置（永磁）测试，并可提供可调范围为0.35～0.8T变磁场装置（组件为可选配件）；

★系统模块化设计、USB数据接口，高速传输；

★主机可配合其它真空磁场探针测试系统进行高磁场强度(垂直/水平)的霍尔效应测试；

★主机可配合其它单(垂直/水平)/双磁场探针测试系统进行高磁场强度的霍尔效应测试；

★系统需使用空气压缩装置驱动磁极切换，有效减少电动装置对霍尔系数测试的影响；

★与系统相关的磁场环境类设备需通过CE认证；

其余详见采购文件。