低温无定形碳厚膜化学气相沉积设备招标公告
低温无定形碳厚膜化学气相沉积设备招标公告
湖北省成套招标股份有限公司受招标人委托对下列产品及服务进行国际公开竞争性招标,于2017-09-27在公告。本次招标采用传统招标方式,现邀请合格投标人参加投标。
1、招标条件
项目概况:长江存储科技有限责任公司国际设备采购
资金到位或资金来源落实情况:已落实
项目已具备招标条件的说明:已具备
2、招标内容
招标项目编号:0668-1740H*******/03
招标项目名称:长江存储科技有限责任公司国际设备采购项目(第十三批)
项目实施地点:中国湖北省
招标产品列表(主要设备):
序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | 低温无定形碳薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
2 | 高温无定形碳厚膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
3 | 低温无定形碳厚膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
4 | 前端介质防反射层薄膜化学气相沉积设备 | 4 | 详见文件 | |
5 | 高温介质防反射层薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
6 | 氮氧堆叠化学沉积设备 | 3 | 详见文件 | |
7 | 低温双重曝光介质层氧化硅原子层化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
8 | 低温钨阻隔介质氧化硅原子层化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
9 | 高温高密度氧化硅原子层化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
10 | 前端高密度等离子体介电薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
11 | 后端高密度等离子体介电薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
12 | 前端等离子体增强方式氮化硅薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
13 | 后端等离子体增强方式氮化硅薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
14 | 前端介质防反射层薄膜化学气相沉积设备 | 4 | 详见文件 | |
15 | 后端介质防反射层薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
16 | 热反应式深沟槽填孔薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
17 | 等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
18 | 前端等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅厚膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
19 | 前端等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
20 | 后端等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 |
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