根据军队采购相关规定，国防科技大学拟采用单一来源方式采购一套磁控溅射离子镀膜机，现将相关情况公示如下：

一、项目名称

磁控溅射离子镀膜机采购项目

二、公示时间

2017年11月22日-2017年11月28日

三、采购内容

一套磁控溅射离子镀膜机，具体指标要求如下：

1.工件结构为半球形壳体，要求内弧面及中心直柄镀膜其余面屏蔽；镀膜方式采用磁控靶在上，工件在下的沉积方式。

2.工件材质为SiO2，目前外形尺寸为DSΦ30mm半球，留有以后扩展尺寸的余地。

3.每炉装载量4只，镀制膜层厚度≤500 nm，均匀性：±3%/Φ80（平面内）。

4.常温沉积。

5.3″磁控靶3只，配3套1000W直流电源；磁控电源可选恒功率、恒流、恒压工作模式；电源具备良好的抑弧能力，具备与上位机通讯并进行远程控制能力。

6.磁控靶靶基距可以调节，调整范围80-150mm；靶头角度可以调节（调整范围：0-20°）。

7.各磁控靶均配电动挡板，可与膜厚仪联锁控制。

8.磁控靶直流、射频兼容，靶材利用率不小于30%；磁钢有效防护，不与冷却介质接触，以延长磁钢使用寿命；磁控靶靶材更换方便。

9.设备具备工件等离子清洗功能，清洗源为考夫曼型离子源，离子源同时具备辅助沉积功能；离子源有效作用距离不小于300mm，300mm距离上的均匀性不小于Φ150。

10.膜厚仪为进口知名品牌产品，可通过上位机与磁控靶挡板、溅射电源进行联锁控制，膜厚仪探头从腔体底部中心引入，引入点在4工位的公转回转中心上，探头需可靠固定，不因工件转动而对测量结果产生影响；晶振片位于公转中心，高度与工件基本持平。

11.设备真空指标：设备极限真空：8×10-5Pa，40分钟可至8×10-4Pa本底真空（破真空充干燥氮气）；采用分子泵侧装形式，抽速不小于1300L/S。

12.设备为立式方箱结构，侧开门；磁控靶布置在腔体顶板上，工件布置在底板上；真空箱内外表面采用电抛光处理；设备留有足够的备用接口，便于今后的功能扩展。

工件布置方式：(1)工件置于腔体底部，凹面向上插与卡具内；(2)磁控靶从上向下、倾斜溅射；(3)工件在样品台上公自转运动； (4)样品一次装载4件；(5)每靶配备单独挡板，驱动方式为伺服电机驱动。

13.样品转台可布置4只工件，工作时工件公自转运动，运动由伺服电机+减速机+齿形带实现；转速可调，调速范围：0-50rpm；公自转齿轮非整数比。

14.供气管路流量计为数字通讯型，可进行远程操作，数量为2只；流量计出口配高真空电磁（气动）截止阀。供气管路为3路，其中2路Ar，1路备用。

15.镀膜腔室内配相应清洗挡板，清洗板方便装卸，材质为不锈钢，并经喷砂处理。

16.根据设备需要配置相应水冷机和静音空压机。

17.观察窗：布置于侧开门上，规格DN100，配置手动磁耦合挡板。

四、拟单一来源供应商

北京中科科美科技股份有限公司

五、单一来源理由

公开招标后，只有北京中科科美科技股份有限公司响应。经论证，项目所需要的技术指标只有上述公司能够满足，供应商唯一。

六、其它说明

如对公示内容有异议的，请于公示期内以实名书面（包括联系人、地址、联系电话）形式将意见反馈至采购管理办公室。

七、联系方式

联系电话：****-********,137*****655

国防科技大学供应保障处

二〇一七年十一月二十一日