等离子体增强方式氮化硅薄膜化学气相沉积设备(前段)招标公告

等离子体增强方式氮化硅薄膜化学气相沉积设备(前段)招标公告

上海机电设备招标有限公司受招标人委托对下列产品及服务进行国际公开竞争性招标,于2017-12-29在公告。本次招标采用传统招标方式,现邀请合格投标人参加投标。
1、招标条件
项目概况:无掺氮介质防反射层化学气相沉积设备
等离子体增强方式氮化硅薄膜化学气相沉积设备(前段)
等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅薄膜化学气相沉积设备(铜)
等离子体增强方式氮化硅/二氧化硅薄膜化学气相沉积设备(高介电常数工艺段)

资金到位或资金来源落实情况:现招标人资金已到位,具备了招标条件。
项目已具备招标条件的说明:现招标人资金已到位,具备了招标条件。
2、招标内容
招标项目编号:****-********4773/02
招标项目名称:上海华力集成电路制造有限公司等离子体增强方式氮化硅薄膜化学气相沉积设备(前段)
项目实施地点:中国上海市
招标产品列表(主要设备):

序号产品名称数量简要技术规格备注
1无掺氮介质防反射层化学气相沉积设备1台满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于无掺氮介质防反射层化学气相沉积设备
2等离子体增强方式氮化硅薄膜化学气相沉积设备(前段)1台满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于等离子体增强方式氮化硅薄膜化学气相沉积设备(前段)
3等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅薄膜化学气相沉积设备(铜)1台满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅薄膜化学气相沉积设备(铜)
4等离子体增强方式氮化硅/二氧化硅薄膜化学气相沉积设备(高介电常数工艺段)1台满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于等离子体增强方式氮化硅/二氧化硅薄膜化学气相沉积设备(高介电常数工艺段)/

3、投标人资格要求
投标人应具备的资格或业绩:1)投标人应为符合《中华人民共和国招标投标法》规定的独立法人或其他组织;
2)投标人或投标货物的制造商须具备向12英寸集成电路制造企业提供此类设备的供货和安装调试经验;
3) 法律、行政法规规定的其他条件。
是否接受联合体投标:不接受
未领购招标文件是否可以参加投标:不可以
4、招标文件的获取
招标文件领购开始时间:2017-12-29
招标文件领购结束时间:2018-01-08
是否在线售卖标书:否
获取招标文件方式:现场领购
招标文件领购地点:上海市长寿路285号恒达广场16楼(上海机电设备招标有限公司)
招标文件售价:¥1000/$150
5、投标文件的递交
投标截止时间(开标时间):2018-01-19 09:30
投标文件送达地点:上海市长寿路285号恒达广场16楼(上海机电设备招标有限公司)
开标地点:上海市长寿路285号恒达广场16楼(上海机电设备招标有限公司)
6、投标人在投标前需在上完成注册。评标结果将在公示。
7、联系方式
招标人:上海华力集成电路制造有限公司
地址:上海市浦东新区张江高科技园区497号
联系人:汤育文
联系方式:86-21-********-****
招标代理机构:上海机电设备招标有限公司
地址:上海市长寿路285号恒达广场16楼(上海机电设备招标有限公司)
联系人: 张 伟 潘永亮
联系方式:86-21-********
8、汇款方式:
招标代理机构开户银行(人民币):中国建设银行上海市分行营业部
招标代理机构开户银行(美元):中国建设银行上海市分行营业部
账号(人民币):****************6341
账号(美元):****************6341


联系人:郝工
电话:010-68960698
邮箱:1049263697@qq.com

标签: 国际招标 化学气相沉积 薄膜

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