等离子体增强方式氮化硅薄膜化学气相沉积设备(前段)招标公告
等离子体增强方式氮化硅薄膜化学气相沉积设备(前段)招标公告
上海机电设备招标有限公司受招标人委托对下列产品及服务进行国际公开竞争性招标,于2017-12-29在公告。本次招标采用传统招标方式,现邀请合格投标人参加投标。
1、招标条件
项目概况:无掺氮介质防反射层化学气相沉积设备
等离子体增强方式氮化硅薄膜化学气相沉积设备(前段)
等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅薄膜化学气相沉积设备(铜)
等离子体增强方式氮化硅/二氧化硅薄膜化学气相沉积设备(高介电常数工艺段)
资金到位或资金来源落实情况:现招标人资金已到位,具备了招标条件。
项目已具备招标条件的说明:现招标人资金已到位,具备了招标条件。
2、招标内容
招标项目编号:****-********4773/02
招标项目名称:上海华力集成电路制造有限公司等离子体增强方式氮化硅薄膜化学气相沉积设备(前段)
项目实施地点:中国上海市
招标产品列表(主要设备):
序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | 无掺氮介质防反射层化学气相沉积设备 | 1台 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于无掺氮介质防反射层化学气相沉积设备 | |
2 | 等离子体增强方式氮化硅薄膜化学气相沉积设备(前段) | 1台 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于等离子体增强方式氮化硅薄膜化学气相沉积设备(前段) | |
3 | 等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅薄膜化学气相沉积设备(铜) | 1台 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅薄膜化学气相沉积设备(铜) | |
4 | 等离子体增强方式氮化硅/二氧化硅薄膜化学气相沉积设备(高介电常数工艺段) | 1台 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于等离子体增强方式氮化硅/二氧化硅薄膜化学气相沉积设备(高介电常数工艺段)/ |
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