高深宽比填孔薄膜设备招标公告
高深宽比填孔薄膜设备招标公告
上海机电设备招标有限公司受招标人委托对下列产品及服务进行国际公开竞争性招标,于2018-01-05在公告。本次招标采用传统招标方式,现邀请合格投标人参加投标。
1、招标条件
项目概况:满足12英寸集成电路生产企业的14nm工艺研发和量产要求,用于可流动性化学气相沉积
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于无定形碳薄膜沉积设备
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于高深宽比填孔薄膜设备
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于深沟槽填孔薄膜设备
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于应力氮化硅薄膜设备
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于应力氮化硅薄膜设备
满足12英寸集成电路生产企业的14nm工艺研发和量产要求,用于高密度等离子体化学气相淀积
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅薄膜化学气相沉积
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于超低介电常数薄膜化学气相沉积
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于超低介电薄膜紫外处理
满足12英寸集成电路生产企业28nm\14nm工艺研发和量产要求,用于锗硅外延生长薄膜化学气相沉积
资金到位或资金来源落实情况:现招标人资金已到位,具备了招标条件。
项目已具备招标条件的说明:现招标人资金已到位,具备了招标条件。
2、招标内容
招标项目编号:****-********4775/03
招标项目名称:上海华力集成电路制造有限公司高深宽比填孔薄膜设备
项目实施地点:中国上海市
招标产品列表(主要设备):
序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | 可流动性化学气相沉积设备 | 1 | 满足12英寸集成电路生产企业的14nm工艺研发和量产要求,用于可流动性化学气相沉积 | |
2 | 无定形碳薄膜沉积设备 | 1 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于无定形碳薄膜沉积设备 | |
3 | 高深宽比填孔薄膜设备 | 1 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于高深宽比填孔薄膜设备 | |
4 | 深沟槽填孔薄膜设备 | 3 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于深沟槽填孔薄膜设备 | |
5 | 应力氮化硅薄膜设备 | 1 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于应力氮化硅薄膜设备 | |
6 | 应力氮化硅薄膜设备 | 2 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于应力氮化硅薄膜设备 | |
7 | 高密度等离子体化学气相淀积设备 | 1 | 满足12英寸集成电路生产企业的14nm工艺研发和量产要求,用于高密度等离子体化学气相淀积 | |
8 | 等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅薄膜化学气相沉积设备(前段) | 2 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅薄膜化学气相沉积 | |
9 | 超低介电常数薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于超低介电常数薄膜化学气相沉积 | |
10 | 超低介电薄膜紫外处理设备 | 2 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求,用于超低介电薄膜紫外处理 | |
11 | 锗硅外延生长薄膜化学气相沉积设备 | 4 | 满足12英寸集成电路生产企业28nm\14nm工艺研发和量产要求,用于锗硅外延生长薄膜化学气相沉积 |
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