动静态测试台招标公告

项目名称：IGBT功率模块封装生产线技术改造项目
日期：2009年12月08日
招标编号：0747-0940SITCA102
中化国际招标有限责任公司受买方委托对下列产品及服务进行国际公开竞争性招标，于2009年12月08日公告。 本次招标采用传统招标 方式，现邀请合格投标人参加投标。
1、招标产品的名称、数量及主要技术参数：
包1：动静态测试台 一套（动态测试台1台、静态测试台1台）
设备用途：
完成IGBT模组的各项动静态参数的测试
技术参数：
Item
序号 Measurement
测试项目 Conditions
测试条件 Requirement
合格的判断
1 Blocking characteristics（阻断特性）
Collector-emitter breakdown voltage（集电极-发射极击穿电压） Tvj=25℃,VGE=0V,
ICE=1mA,10mA V(BR)CES@10mA>6500V@25℃
V(BR)CES@10mA>6000V@-40℃
Max :7000V
Gate leakage current（门极漏电流） Tvj=25℃,125℃,VCE=0V,
VGE=±20V IGES<±500nA
Collector cut-off current（集电极关断电流） Tvj=125℃,
VGE=0V,VCES=0…6500V ICES@VCE=6500V<100mA
Max 120mA(125℃)
Min 12mA(25℃)
2 On-state characteristics（导通特性） Tvj=25℃,125℃,
VGE=15V,IC=200A,600A VCEsat@600A,125℃,15V<5.9V
VCEsat@600A,125℃,15V typ .5.5V
VCEsat@600A,25℃,15V typ. 4.4V

3 Forward characteristics（正向特性） Tvj=25℃,125℃,
VGE=15V,IF=200A,600A VF@600A,125℃,<3.9V
VF@600A,25℃,<3.6V
VF@600A,125℃,typ 3.45V

4 VP（操作电压） IC=600A,VCE=15
Tvj=25℃,125℃ VP:
25℃, typ 11.2V
125℃,max11.8V, min 10. 8 V
typ 11.3V
5 Gate threshold voltage（门极阈值电压） Tvj=25℃,VGE=VCE,
IC=240mA 6.9V6 Gate Charge（门极电荷） Tvj=25℃ ,VCE=3600V,
VGE=-15V～+15V,
IC=600A typ. 9.65μC
7 switching characteristics（开关特性）
IGBT turn-off energy（IGBT关断能量） Lσ=280nH,RG=3.9Ω,
Tvj=25℃,125℃,
IC=600A,Vcc=3600V
VGE=±15V Eoff<3.8J
td(off) :25℃, typ 1260ns
125℃, typ 1500 ns
tf:25℃, typ 640ns
125℃, typ 930 ns
IGBT turn-on energy（IGBT开通能量） Lσ=280nH,RG=3.9Ω,
Tvj=25℃,125℃,
IC=600A,
Vcc=3600V
VGE=±15V Eon<5.6J
td(on)
25℃, typ640ns
125℃, typ 620 ns
tr: 25℃, typ 270ns
125℃, typ 270 ns
Diode recovery（恢复二极管） Lσ=280nH,RG=3.9Ω,
Tvj=125℃,
IF=600A,Vcc=3600V
VGE=±15V Erec<2.6J
Trr
25℃, typ 1700ns
125℃, typ 2200 ns
Qrr
25℃, typ 700μC
125℃, typ 1150μC
Irr,
25℃, typ 770A
125℃, typ 930A
8 Diode softness test（二极管软特性测试） Lσ=280nH,RG=3.9Ω,
Tvj=125℃,
IF=0...1200A,Vcc=4500V
test at worst-case conditions
在最坏条件下测试 Pass（合格）
9 RBSOA（关断安全工作区） Lσ=280nH,RG=3.9Ω,
VGE=±15V,
Tj=25℃,125℃,
Vcc=4500V,Ic=1200A Pass（合格）
ext.RBSOA（关断安全工作区扩展） Lσ=280nH,RG=3.9Ω,
VGE=±15V,
Tj=25℃,125℃,
Vcc=4500V,
Ic=1200A…desat测试到该模块的电流极限值 evaluate destruction limit（极限毁坏指标评估）
10 SCSOA（短路安全工作区） RG=3.9Ω,VGE=15V,tp=10us,
Tj=25℃,125℃,
Vcc=3600V,4500V,
Vcem≤6500V Pass（合格）
ext.SCSOA（短路安全工作区扩展） RG=3.9Ω,VGE=15V…20V,
tp=10us
Tj=25℃ ,125℃,
Vcc=3600V,4500V,
Vcem≤6500V(6000V@-40℃) evaluate destruction limit（极限毁坏指标评估）
11 Diode SOA（二极管安全工作区） Lσ=280nH,RG=3.9Ω,VGE=15V
Tj=25℃,125℃
Vcc=4500V,IF=0...1200A Pass（合格）
12 Short circuit current（短路电流） tpsc ≤ 10μs, VGE = 15V,
Tvj = 125℃
VCC = 4500V 6000A

中化国际招标有限责任公司为（IGBT功率模块封装生产线技术改造项目）的授权招标代理机构，在此，我司郑重提醒各投标人注意：我司对任何转载信息及由此产生的后果均不承担任何责任（与本项目相关招标事宜均须与我司指定人员联系）.

2、招标文件售价：2000.00
3、购买招标文件时间：2009年12月8日-2009年12月29日上午10：00点整（北京时间）
4、购买招标文件地点：北京市复兴门外大街A2号中化大厦大堂西侧售标书处
5、投标截止时间和开标时间：2009-12-28 08:56
开标地点：通过传真另行通知
地 址：北京市西城区复兴门外大街A2号中化大厦
邮编：100045
电子邮箱：huangmingjuan@sinochem.com
电话： ***-********
传真：010－********
联系人：黄明娟
开户银行（人民币）：工行北京复外支行
开户银行（美元）：中国银行总行营业部
帐 号（人民币）：****************668
帐 号（美　元）：****************14