电子科技大学-竞价公告(CB106142018000345)
电子科技大学-竞价公告(CB106142018000345)
基本信息: | |
申购单主题: | SG********58001磁控溅射镀膜机 |
申购单类型: | 竞价类 |
设备类别: | 机电设备 |
使用币种: | 人民币 |
竞价开始时间: | 2018-11-06 11:27 |
竞价结束时间: | 2018-11-09 11:37 我要报价 |
申购备注: | |
申购设备详情: |
设备名称 | 数量 | 单位 | 品牌 | 型号 | 是否标配 | 售后服务 | 规格配置 | 附件 |
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SG********58001磁控溅射镀膜机 | 1 | 台 | 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司 | JGP450 | 是 | 按行业标准提供服务 | 1.适用于开发外延膜以及纳米级的单层及多层功能膜和复合膜,可镀金属、合金、化合物、半导体、陶瓷膜(需配射频电源)、介质复合膜和其它化学反应膜等。2. 溅射室极限真空度:≤6.6x10-7 Pa (经烘烤除气后); 真空获得采用分子泵(600L/S)和优质机械泵(8.3L/S)+CF150气动插板阀,此配置具有抽速快,可获得高真空环境,提供薄膜的洁净度。 系统真空检漏漏率:≤5.0x10-10Pa.l/S; 系统从大气开始抽气:溅射室35分钟可达到6.6x10-5 Pa; 系统停泵关机12小时后真空度:≤1Pa。3. 溅射室中配有4套国产60mm高性能永磁共焦磁控溅射靶(溅射靶角度可调),分布在一个圆周上(下底盖位置均匀分布),各靶可独立/顺次/共同工作,磁控靶通水冷却,采用磁控靶在下,垂直向上溅射成膜(也可根据需要改为磁控靶在上,样品在下方式,出厂安装方式为磁控靶在下,样品台在上方式),磁控靶RF、DC、MF兼容,可以溅射磁性材料,磁控靶配有进口SMC气动挡板结构。4. 样品台布置在真空室上部,可放置最大2英寸样品1片,样品具有连续旋转功能,旋转0—30转/分连续可调。 加热装置采用进口电阻丝进行加热,加热温度:室温—600°C,由热电偶闭环反馈控制,可控可调,可加-20000V偏压。5. 真空测量采用进口INFICON 全量程规进行测量。6. 系统配有二路国产口MFC控制进气系统(Ar、O2),流量分别为100SCCM、20SCCM。7. 镀膜工艺压力控制采用气动插板阀+进口SMC气缸节流阀 +MFC自动控制,保证镀膜镀膜工艺具有较高的可靠性、稳定性和重复性。8. 系统配有1台数字式500w直流电源和2台500w全自动匹配射频电源及1套-20000V偏压电源。9.尺寸为2英寸的样品可均镀膜,不均匀度 为≤±4%(以镀膜金属薄膜(Cu、Al2O3)进行验收,镀金属膜厚度约200nm)。10.洁净指标:系统采用超高真空、超洁净真空处理工艺(在极限真空下,启动四极质谱仪进行残气分析,质量数为39、41和43的分气压低于10-11mbar,且质量数大于44的分气压均低于10-12 mbar;)11.具有中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司产品授权及售后服务承诺书。 | 无 |
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