量子科学与工程研究院等离子体增强原子层沉积设备采购需求公示
量子科学与工程研究院等离子体增强原子层沉积设备采购需求公示
项目名称 | 量子科学与工程研究院等离子体增强原子层沉积设备采购 | 是否预选项目 | 否 |
采购人名称 | 南方科技大学 | 采购方式 | 公开招标 |
财政预算限额（元） | 2,900,200 | ||
项目背景 | 南方科技大学量子科学与工程研究院由俞大鹏院士领军，成员包括南科大物理系多名教授和专职研究人员，形成了量子材料、量子输运、超导量子计算实验、量子计算理论、量子计算软件、人工量子智能等围绕量子计算机的实现和应用研发的若干研究方向。低维材料量子器件也是其中一个重要的研究方向，如以石墨烯、碳纳米管、拓扑绝缘体以及自旋液体等量子材料为基础的量子器件制备。量子器件的一个重要组成部分为在量子材料上沉积的超薄的高介电常数的电介质层，如HfO2、AL2O3等。 等离子体增强原子层沉积工艺（PEALD）可以用于制备石墨烯及其他二维材料、拓扑绝缘体材料以及量子芯片与器件中的HfO2和Al2O3等高介电常数介质层。与传统的薄膜制备技术相比，原子层沉积技术优势明显。传统的溶液化学方法以及溅射或蒸镀等物理方法（PVD）由于缺乏表面控制性或存在溅射阴影区，不适于在三维复杂结构衬底表面进行沉积制膜。化学气相沉积（CVD）方法需对前驱体扩散以及反应室温度均匀性严格控制，难以满足薄膜均匀性和薄厚精确控制的要求，而原子层沉积技术是基于表面自限制、自饱和吸附反应，具有表面控制性，所制备薄膜具有优异的三维共形性、大面积的均匀性等特点，适应于复杂高深宽比衬底表面沉积制膜，同时还能保证精确的亚单层膜厚控制。常规的热ALD膜层沉积温度要求约300-500摄氏度，而对于某些拓扑绝缘材料以及自旋液体材料器件，无法承受这么高的生长温度。采用等离子体增强ALD工艺,在等离子体辅助条件下，反应源材料反应活性极大增强，在低于200摄氏度温度条件依然能够生长高质量的薄膜，从而可以实现低温量子器件膜层沉积与制备。因此，等离子体增强原子层沉积技术在量子芯片制备中有着重要意义。 | ||
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