根据《中华人民共和国政府采购法》等有关规定，现对大连理工大学超高真空双室共焦多靶磁控溅射系统进行单一来源招标，欢迎合格的供应商前来投标。

项目名称：大连理工大学超高真空双室共焦多靶磁控溅射系统

项目编号：DUTASD-*******

项目联系方式：

项目联系人：宋亮

项目联系电话：****-********

采购单位联系方式：

采购单位：大连理工大学

采购单位地址：大连理工大学南门科技园C座409室

采购单位联系方式：宋亮，cgzbdlut@dlut.edu.cn

一、拟采购的货物或者服务的说明:

拟采购一套超高真空双室共焦多靶磁控溅射系统（ATC-2200-UHV, AJA International,Inc.），用于制备平整的纳米级单层及多层先进薄膜材料，如多层磁性异质结、磁性隧道结、合金薄膜、半导体和氧化物薄膜材料等。

二、采用单一来源采购方式的原因及相关说明:

大连理工大学物理学院和三束材料改性教育部重点实验室拟建设一个先进的材料制备平台，开展新型自旋电子学及先进低维材料物理和器件方面的交叉研究。而开展上述前沿科学研究的基础是能够制备高均匀性、高质量的纳米级单层和多层磁性以及非磁性薄膜。针对学科研究特点和研究方向需求，我们拟购置一套超高真空双室共焦多靶磁控溅射系统。该系统具有如下重要性能指标，包括集成靶枪数量、靶枪构型、衬底加热温度、薄膜均匀性以及沉积腔极限真空度等：

性能指标1：沉积腔单腔集成至少10个2英寸超高真空溅射靶枪；靶枪具有共聚焦（8靶）与正溅射（2靶）相结合的独特构型；靶枪偏转角度可在真空中原位调节；同一靶枪可以在强磁靶枪和普通磁性靶枪之间转换工作；强磁靶可做3mm厚磁性材料；靶枪可根据科研需求，配置在平衡，非平衡和磁性材料模式中工作；所有靶枪均采用稀土磁铁，磁铁和冷却水隔离；所有靶枪可以承受200 °C烘烤和10-11 Torr真空；

性能指标2：基片最高加热温度850 °C，PID温控精度±1 °C；

性能指标3：在 4英寸 (100mm)基片范围内薄膜沉积均匀性优于±1.5%；

性能指标4：主腔体极限真空优于9x10-9 Torr，采用下游压力控制；

经调研，国内类似设备生产厂家生产的高真空磁控溅射系统单腔靶位集成总数量不能满足需求，缺乏同时具有所需的共聚焦和正溅射的靶枪集成构型，基片加热温度、薄膜沉积均匀性和真空度也不能很好满足技术指标要求。国际上类似设备厂商生产的高真空磁控系统不同在靶枪集成构型和靶枪集成数量上同时满足性能指标要求，同时薄膜沉积均匀性也达不到指标性能要求。而美国AJA International,Inc.公司的ATC系列磁控溅射设备满足单腔集成靶枪数量（11个）、靶枪构型（8+3构型）的要求，而且还能同时满足其它技术指标要求。

因此，只有AJA International,Inc.公司的超高真空多靶磁控溅射系统产品能够满足本项目在单腔集成靶枪数量、靶枪集成构型、基片加热温度技术要求的需要，所以申请采用单一来源采购方式进行采购。

三、开标时间：2018年12月28日 08:30

四、拟定的唯一供应商名称及其地址：

生产厂商：AJA International,Inc.国内代理商：重庆眺望科技有限公司地址：重庆市渝中区虎歇路77号升伟中环广场1号楼14-6室

五、其它补充事宜

六、预算金额

预算金额：340.0 万元（人民币）