化学气相沉积机国际招标公告(2)0613-194022150948/03
化学气相沉积机国际招标公告(2)0613-194022150948/03
上海机电设备招标有限公司受招标人委托对下列产品及服务进行国际公开竞争性招标,于2019-03-30在公告。本次招标采用传统招标方式,现邀请合格投标人参加投标。
1、招标条件
项目概况:中芯集成电路制造(绍兴)有限公司计划为中芯绍兴特种晶圆工艺生产线项目购买一批工艺生产设备
资金到位或资金来源落实情况:资金已到位
项目已具备招标条件的说明:项目已具备招标条件
2、招标内容
招标项目编号:****-********0948/03
招标项目名称:化学气相沉积机
项目实施地点:中国浙江省
招标产品列表(主要设备):
序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | 高真空离子镀膜金属溅射机/ SIP TTN PVD高真空离子镀膜金属溅射机/ Metal Dep Ti/Al/Cr/Au PVD | 2台 | 1、实现片内高均匀性的金属薄膜沉积(高真空离子镀膜金属溅射机/(SIP TTN PVD) 2、实现片内高均匀性的金属薄膜沉积高真空离子镀膜金属溅射机/(Metal Dep Ti/Al/Cr/Au PVD) | |
2 | 化学机械抛光机/CMP Oxide化学机械抛光机/CMP STI(Direct STI) | 2台 | 1、实现wafer上Oxide研磨 2、实现片内SIN上的Oxide研磨 | |
3 | 化学气相沉积机/CVD(HDP USG)化学气相沉积机/CVD(HT Nitride Dep) 化学气相沉积机/CVD(IDL BPSG)化学气相沉积机/CVD(Normal PE TEOS) 化学气相沉积机/CVD(SA CVD TEOS)化学气相沉积机/CVD(Silane based PEOX/SIN/DRAC) 化学气相沉积机/CVD(W CVD) | 8台 | 1、实现片内高均匀性的薄膜沉积(HDP USG) 2、实现片内高均匀性的Nitride薄膜沉积 3、实现片内高均匀性的薄膜沉积(BPSG)4、实现片内高均匀性的薄膜沉积(Normal PE TEOS) 5、实现片内高均匀性的薄膜沉积(SA CVD TEOS) 6、实现片内高均匀性的薄膜沉积(Silane based PEOX/SIN/DRAC)7、实现片内高均匀性的薄膜沉积(W CVD) | |
4 | 金属刻蚀机/AL Metal Etch介质刻蚀机/oxide etch BE氧化层刻蚀机/Oxide etch FE钨刻蚀机/CT W EB | 4台 | 1、实现wafer上铝金属刻蚀/ AL Metal Etch2、实现wafer上Oxide刻蚀/ oxide etch BE3、实现wafer表面氧化层刻蚀/ oxide etch FE4、实现wafer上钨金属刻蚀/ CT W EB | |
5 | 氢离子注入机/H+ Implanter | 1台 | 实现H+离子注入晶圆内部,达到总剂量,厚度分布及均匀性指标 | |
6 | 缺陷扫描仪/Semvision G3 FIB缺陷检测仪/Complus 3T | 2台 | 实现0.1um 级别Sem Review 以及FIB实现0.2um 级别DFI defect scan | |
7 | 外延机/ EPI快速热退火机/Rapid Thermal Annel | 4台 | 外延化学气相沉积实现晶圆快速热退火,修复表面晶格损伤,激活掺杂物火星均匀性好 |
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