半导体测试仪器(第二次)招标公告

半导体测试仪器(第二次)招标公告

半导体测试仪器密封询价(第二次)


询(xj*******)号

各供应商:

我校现需一批设备决定采用密封询价方式进行采购,请供应商仔细阅读需求清单及询价注意事项,并提供一次性报价(不得更改)。

询价项目概况(内容、数量、简要技术要求等):



序号

仪器名称

规格型号

数量

备注

1

C-V测试仪

1、功能:用于测试半导体器件PN结的势垒电容在不同偏压下的电容量,也可测试其他电容

2、主要技术参数:

试信号频率:1.000MHz±0.01%;
测试信号电压:小于或等于100mVrms;
电容测量范围:1.00pF~1000pF;
工作误差:±3.0%±2字;
直流偏压:最大100V;

电容分辨率:0.01pF;

偏置电压分辨率:0.1V;

漏电流分辨率:0.01μA

供电电源:交流电压:220V±5%;频率: 50Hz±5%;
消耗功率:不大于40W;

标配:夹具

要求:配件齐全,货到后即可使用

2

2

单晶少子寿命测试仪

1、系统功能: 用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命,可测量包括电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶,经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等;

2、系统组成:稳压电源、高频源、检波放大器、InGaAsP/InP红外光源、样品台、示波器;

3、主要技术指标:

测试单晶电阻率范围:>2Ω﹒cm

可测单晶少子寿命范围:5μs~7000μs

光源类型:波长1.09μm;余辉<1μs;闪光频率20~30次/秒

高频振荡源:用石英振荡器,振荡频率30MHz

前置放大器:放大倍数25,频宽2Hz~1MHz

仪器重复误差:<±20%

测量方式:采用对标准曲线读书方式

仪器消耗功率:<25W

示波器:频宽0~20MHz;电压灵敏:10mV/cm;

标配:测试样品;

要求:配件齐全,货到后即可使用

2

2. 投标报价为投标方所能承受的一次性最低、最终报价,以人民币为结算币种,包括产品(含配件)购置费、运输费、保险、培训、安装调试费和税费等所有费用,即按招标方要求安装调试完毕的完工价格。

3. 成交供应商所提供的设备必须为厂家原装正规行货产品,并达到要求的性能规格,其质量及售后服务须符合国家规定的有关标准。供应商擅自变更或无故不提供中标产品,将按照《政府采购法》相关规定进行处罚。

4. 询价成交原则:符合采购需求、质量和服务相等且报价最低的原则确定成交商。

5. 付款方式:设备全部到货并经用户验收合格后一次性付清。

6. 请于2011年1月6日上午11:00之前将上述设备的最终报价,以信封密封(加盖公章)的形式交给浙江师范大学采购中心(新行政大楼北楼一楼116室),逾期作废。

7. 如对本次询价有疑问,可电话、传真或查阅采购中心网站形式进行联系:联系人:吴老师 电话:****-******** 传真:****-********

8. 注意:请在信封上分别注明询价编号、供应商联系人及电话。型号停产更改务必请报价前联系。

浙江师范大学采购中心

2010年12月6日

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联系人:郝工
电话:010-68960698
邮箱:1049263697@qq.com

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